ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

　　ST推出了一個(gè)采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品?；诘谒拇?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/多電平單元">多電平單元(MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶(hù)升級現有系統提供了一條捷徑，同時(shí)還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。

　　為滿(mǎn)足移動(dòng)應用市場(chǎng)對高分辨相機、多媒體內容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz，編程速度達到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個(gè)先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存儲器芯片以共享總線(xiàn)或分用總線(xiàn)的配置組裝在一起，以多片封閉(MCP)和層疊封裝(PoP)解決方案的形式提供給廣大用戶(hù)。

　　“通過(guò)進(jìn)軍65nm蝕刻工藝，意法半導體提供了一個(gè)極具競爭力的解決方案，為OEM融入設計高密度NOR閃存解決方案增加了一個(gè)新的選擇，”Semiconductor Insights公司存儲器產(chǎn)品首席分析師Geoff MacGillivray表示，“與主要競爭產(chǎn)品相比，裸片尺寸50.8mm²的ST 1-Gbit MLC NOR閃存是市場(chǎng)上最小  
的閃存芯片，創(chuàng )造了20.16-Mbit/mm²的最高M(jìn)bit/mm²存儲密度。單元尺寸也非常小，僅為0.042µm²?！?

　　“1000兆位單片存儲器采用65nm多電平單元制造技術(shù)，有助于提高系統性能，增強最終用戶(hù)的使用體驗，”意法半導體無(wú)線(xiàn)NOR閃存產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Marco Dallabora表示，“512兆位的65nm NOR閃存芯片是簡(jiǎn)易的ST 90nm PR系列升級解決方案，目前該芯片已集成到現有的高性能平臺內?！?nbsp;

　　65nm PR系列是意法半導體與英特爾于2005年12月宣布的合作計劃的一部分，這項目前還在進(jìn)行的合作計劃的目的是為客戶(hù)提供最新的高性能產(chǎn)品，并提供多貨源的采購靈活性。

　　新產(chǎn)品樣片現已上市，擬定于2007年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit閃存與PSRAM、LPSDRAM和NAND存儲器芯片的堆疊封裝產(chǎn)品的預算價(jià)格估計在10美元到30美元之間。