兩大巨頭你追我趕 處理器65nm時(shí)代提前來(lái)臨

 　　半導體工藝技術(shù)日新月異。記得當年P(guān)3的末期，P3 Tualatin憑借著(zhù)130nm的技術(shù)，讓原本已經(jīng)P3的性能再一次的爆發(fā)。不過(guò)好景不長(cháng)，隨著(zhù)P4的上市，P3 Tualatin漸漸淡出市場(chǎng)。初期的Willamette核心P4性能表現并不優(yōu)秀，甚至在一些方面還不如P3 Tualatin系列處理器，直到基于130nm的技術(shù)的Northwood P4出現，這才真正的發(fā)揮出P4的性能，到了后期90nm技術(shù)的 Prescott P4出現，將P4的極限頻率再次再次提高一個(gè)層次。

　　然而由于NetBurst架構設計過(guò)于強調頻率，所以到后期出現了功耗過(guò)大的問(wèn)題。為了改變P4所留下的不良印象，基于65nm技術(shù)產(chǎn)品Core 2 Duo應運而生了。Core 2 Duo的到來(lái)標志著(zhù)一個(gè)新的時(shí)代的到來(lái)，于此同時(shí)，為了追上主流的步伐，AMD也提前在今年的第四季度推出65nm技術(shù)的處理器?？梢哉f(shuō)在2006年，我們已經(jīng)提前進(jìn)入65nm時(shí)代。

　　預期的事情總是美好的，但事實(shí)卻會(huì )遇到一些突發(fā)總結：

　　從英特爾和AMD所公布的路線(xiàn)圖來(lái)看，在65nm工藝制成方面，英特爾已經(jīng)遙遙領(lǐng)先AMD一年的時(shí)間，正當英特爾已經(jīng)開(kāi)始熱賣(mài)65nm的今天，AMD突然出現65nm工藝的技術(shù)障礙，這不免讓人擔心，兩者之間的差距是否只有一年時(shí)間爾已。

Intel與AMD制程時(shí)間對照表 

制程 　　　　AMD 　　　　　　Intel 

180nm工藝 　1999年第四季度 1999年第三季度 
130nm工藝　 2002年第二季度 2001年第三季度 
90nm工藝 　 2004年第三季度 2004年第一季度 
65nm工藝    2007年第一季度 2006年第一季度 

　　自180nm以來(lái)，英特爾與AMD的制程工藝時(shí)間日益增大，這客觀(guān)的反映了做為芯片老大的英特爾在技術(shù)上占有巨大的優(yōu)勢，站在行業(yè)發(fā)展的前端，主導著(zhù)處理器行業(yè)的發(fā)展。同時(shí)也暴露出了AMD在技術(shù)上的不足，由于自身實(shí)力的不足，導致了無(wú)論在產(chǎn)能上還是在技術(shù)上，都大大落后于英特爾。

　　在0.13um與90nm時(shí)代，人們曾一度懷疑摩爾定律是否已過(guò)時(shí)，因為當時(shí)面臨的技術(shù)難題太多了。不過(guò)現在看來(lái)，這一疑慮似乎是多余的，英特爾的表現便證明了這一點(diǎn)。目前英特爾官方網(wǎng)站上為用戶(hù)提供了大量CPU制造技術(shù)資料，但從AMD網(wǎng)站上很難看到這些。尤其是隨著(zhù)英特爾45nm SRAM測試芯片的完成，讓我想到了正在邁入65nm工藝大門(mén)的AMD。

　　今年7月，英特爾新一代的Core 2 Duo處理器正式上市，標志著(zhù)英特爾已經(jīng)全面轉向65nm制程產(chǎn)品，并且產(chǎn)能在不斷的增加，而AMD方便即便最快也要到明年第一季度，65nm的制程產(chǎn)品才會(huì )真正的出現在市面上，時(shí)間上相差半年。

　　做為英特爾劃時(shí)代的新一代產(chǎn)品，Core 2 Duo一直以來(lái)備受矚目。在功耗及性能上都有著(zhù)較大的優(yōu)勢，各項性能都優(yōu)于目前市面上的處理器。桌面版的Conroe處理器較之前的雙核處理器在性能上提升40%，而功耗則降低40%，一舉撇除了“高頻低能”的稱(chēng)號，即便是目前AMD所號稱(chēng)的高性能處理器所無(wú)法比擬的性能及功耗優(yōu)勢，力壓風(fēng)光已久的AMD K8處理器。

　　而移動(dòng)平臺的Merom處理器性能可比此前的產(chǎn)品提高20％，而耗電量相同；面向服務(wù)器的Woodcrest在性能提高80％的同時(shí)，耗電量可減少35％”(Rattner)。隨著(zhù)Core 2 Duo處理器的迅速普及，AMD原先優(yōu)勢盡失，再加上原本已有的產(chǎn)能問(wèn)題，使得產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比大打折扣。

　　英特爾在65nm技術(shù)上的成功，扭轉了以往失利的局面。在英特爾眾多產(chǎn)品的壓制下，使得AMD不得不加速65nm的進(jìn)度，以求能在短期追上英特爾65nm的普及步伐。但事實(shí)卻并未能如AMD所愿，正所謂“欲速則不達”。此次AMD再次遇到技術(shù)上的難題，從側面反映出了AMD在技術(shù)上的劣勢。

　　功耗問(wèn)題曾一度成為AMD打擊英特爾的利器，讓人感到有趣的是，此次AMD也正是在這個(gè)問(wèn)題上被卡住了，技術(shù)上的不足使得AMD尚未量產(chǎn)的65nm工藝的芯片，在額定電壓下無(wú)法獲得應有的主頻，只能通過(guò)提高電壓來(lái)解決，但高電壓會(huì )帶來(lái)更大的功耗，這樣一來(lái)會(huì )導致AMD在65nm產(chǎn)品上再次失利?？v觀(guān)這幾年，AMD跳票連連，如果這一問(wèn)題沒(méi)有的好很好的解決，如果此次65nm產(chǎn)品延遲發(fā)布，屆時(shí)將會(huì )再次讓眾多玩家失望。

　　今年下半年，英特爾將會(huì )大力推廣65nm產(chǎn)品，隨著(zhù)45nm工藝成熟，到了明年將會(huì )基于45nm工藝產(chǎn)品出現在市面上，如果現在A(yíng)MD不奮力直追英特爾的65nm的普及步伐，那么當英特爾45nm時(shí)代的到來(lái)，AMD與英特爾之間的差距將會(huì )更加之大。事情，比如AMD就是如此。據來(lái)自INQ報道的最新報道稱(chēng)，目前AMD在的65nm工藝的芯片方面“遇到問(wèn)題”。AMD尚未量產(chǎn)的65nm工藝的芯片，在額定電壓下無(wú)法獲得應有的主頻，因此目前樣品只能將電壓從額定的1.1V提升到1.4V。

　　表面看來(lái)，這個(gè)問(wèn)題似乎沒(méi)有什么大礙，但一些稍微懂得微處理器原理的人士都可以知道其中的要害，功耗和電壓成二次冪關(guān)系，進(jìn)行簡(jiǎn)單的計算一下，(1.4 x 1.4)/(1.1 x 1.1)＝1.62，從這條簡(jiǎn)單的算式，其運算結果不免讓我們感到意外，簡(jiǎn)單的說(shuō)，目前在65nm工藝的芯片的產(chǎn)品中，AMD需要提高60％以上功耗才能獲得需要的主頻。這將讓AMD難以再將“性能功耗比”作為自己的優(yōu)勢。

　　據之前AMD官方所發(fā)布的信息，AMD的65nm產(chǎn)品將在今年第四季度推出，并將在2007年下半年全線(xiàn)推出一系列的65nm產(chǎn)品。當然，距離65nm芯片最終亮相還有3個(gè)月時(shí)間，相信AMD能夠及時(shí)找到解決方案，推出正常功耗的65nm處理器產(chǎn)品。如若不能夠及時(shí)找到解決方案，那么可能不得不延遲發(fā)布，那樣AMD將再次失利?？v觀(guān)近年來(lái)，AMD因技術(shù)問(wèn)題而最終導致產(chǎn)品跳票的事情連連，讓不少用戶(hù)倍感失望。此次又爆出65nm工藝的問(wèn)題，不免讓人擔心是否跳票的。

　　其實(shí)，早在今年年初，英特爾便率先推出了基于65nm工藝的產(chǎn)品。而7月27日，具有劃時(shí)代意義的Core 2 Duo正式上何謂65nm工藝？

　　相信不少人都經(jīng)常聽(tīng)到諸如90nm、65nm、45nm等等制程工藝，那么這些數字的背后代表著(zhù)什么呢？其實(shí)，我們經(jīng)常說(shuō)的90nm、65nm、45nm等等這些，都是指處理器核心當中每一個(gè)晶體管的大小。(nm英文全稱(chēng)nanometer，中文為納米，又稱(chēng)奈米)

　　晶體管是構成處理器的重要部件。CPU工藝，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，是在硅材料上制成晶體管，再覆蓋上二氧化硅絕緣(SiO2)層，然后在絕緣層上布上制作金屬導線(xiàn)(以往使用鋁材料，不過(guò)現在主流是銅材料)，使各獨立的“管子”連在一起成為能工作的單元。

晶體管大小的意義：

　　簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)，晶體管越小，那么同一面積的硅晶芯片能容納的晶體管也越多，性能由此得到提升。目前，晶體管的集成數量是衡量一個(gè)芯片性能的重要標志，所以在芯片業(yè)界，制造商們不引入新的技術(shù)，制造出更高集成度的CPU芯片。

　　隨著(zhù)晶體管數量越多，CPU芯片的尺寸變得越來(lái)越大，無(wú)論對制造成本、散熱還是提高運行速度都相當不利，所以提升制造工藝便成了制造商們的共識。從另外一個(gè)角度說(shuō)，采用先進(jìn)的制造技術(shù)往往能讓芯片擁有更出色的表現，使之在同行的競爭中取勝對手。

　　在過(guò)去幾十年間，英特爾始終牢牢把握著(zhù)這一項優(yōu)勢，幾乎每年都投入大量資金用于設備的升級以及工廠(chǎng)的建造，所以無(wú)論是在0.25um、0.18um、0.13um還是90nm、65nm工藝，英特爾都遙遙領(lǐng)先對手。

新工藝的優(yōu)勢：

　　通常，為了獲得更高的性能，廠(chǎng)商都會(huì )想盡辦法來(lái)提高芯片的集成度。事實(shí)也證明了，隨著(zhù)時(shí)代的發(fā)展，同樣面積的芯片內容納的晶體管數變得越來(lái)越多。而這一切都為了進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能。

　　另一方面可以提升頻率降低功耗。半導體芯片，若用先進(jìn)工藝制造往往可以帶來(lái)功耗的明顯降低，而低功耗同時(shí)又意味著(zhù)芯片的工作頻率可以繼續向上提升一個(gè)等級。AMD的Athlon XP就是因為工藝的一再升級，工作頻率得到不斷的提升，使其市場(chǎng)生命力長(cháng)達5年之久，創(chuàng )下單個(gè)CPU架構的新紀錄。

　　英特爾方面聲稱(chēng)，300毫米晶圓及65納米制程可有效降低單片制造成本，并可將產(chǎn)能大幅提升240%，而且300毫米晶圓制造技術(shù)也更加環(huán)保，除耗電量降低40%，有機化合物排放減少48%，純凈水使用量也減少約42%。

　　正是因為工藝的提升，能夠從成本到性能等等諸多方面帶來(lái)優(yōu)勢，所以目前眾多芯片廠(chǎng)商都致力于工藝上的突破，英特爾與AMD這一對死對頭的表現就很好的證明了這一點(diǎn)。

英特爾制程計劃：

　　P1262是我們熟悉的采用90nm制造的Pentium 4處理器，第一批產(chǎn)品在2003年末出廠(chǎng)，典型代表是Pentium 4 Prescott。P1262延續了上一代Pentium 4的NetBrust(網(wǎng)絡(luò )爆發(fā))架構，在頻率方面瘋狂飆升，而且90nm工藝內有一些問(wèn)題沒(méi)有很好地解決。P1262計劃預期達到的頻率是4.0GHz，實(shí)際最后一款產(chǎn)品止步于3.8 GHz。

　　P1264是我們正在經(jīng)歷的時(shí)代，周期同樣是2年。我們熟悉的產(chǎn)品是Core微架構的Conroe處理器，采用65nm工藝制造，功耗控制表現優(yōu)秀，性能強大。

　　P1266是未來(lái)45nm工藝制造的處理器，它將從2007年持續到2009年，產(chǎn)品的名稱(chēng)和型號未知。然后由32nm工藝的P1268接替P1266。

英特爾65nm工藝新技術(shù)特性：

改進(jìn)型應變硅技術(shù)

　　所謂應變硅，指的是一種僅有1.2nm厚度的超薄氧化物層，利用應變硅代替原來(lái)的高純硅制造晶體管內部的通道，可以讓晶體管內的原子距離拉長(cháng)，單位長(cháng)度原子數目變少，當電子通過(guò)這些區域時(shí)所遇到的阻力就會(huì )減少，由此達到提高晶體管性能的目的。

　　改進(jìn)型應變硅技術(shù)，這種獨特的技術(shù)拉伸了硅原子的晶格結構，允許電子更快流動(dòng)，同時(shí)更進(jìn)一步減小了阻抗。

　　應變硅技術(shù)的著(zhù)眼點(diǎn)并非降低功耗，而是加速晶體管內部電流的通過(guò)速度，讓晶體管獲得更出色的效能。在65nm工藝中，英特爾決定采用更先進(jìn)的第二代高性能應變硅，該技術(shù)可以讓晶體管的激勵電流進(jìn)一步提升到30%，優(yōu)于90nm工藝中的第一代應變硅。

Low K互連層技術(shù)8層銅互連

　　隨著(zhù)電路板蝕刻精度越來(lái)越高，芯片上集成的電路越來(lái)越多，信號干擾也就越來(lái)越強，IBM開(kāi)發(fā)、發(fā)展一種新的多晶硅材料，于是Low K技術(shù)出現了。這里的“K”就是介電常數，Low K就是低介電常數材料。Low K材料幫助解決了芯片中的信號干擾問(wèn)題。使用低介電常數的材料來(lái)制作處理器導線(xiàn)間的絕緣體?？梢院芎玫亟档途€(xiàn)路間的串擾，從而降低處理器的功耗，提高處理器的高頻穩定性。

　　每一個(gè)芯片可以容納的個(gè)不同的邏輯電路層數，叫做互連層數。層數越多，芯片占據的面積就越小，成本越低，但同時(shí)也要面對更多的技術(shù)問(wèn)題。在這65nm工藝中，英特爾用上了“帶有Low k絕緣層的8層銅互連”。更多的互連層可以在生產(chǎn)高集成度晶體管的CPU時(shí)提供更高的靈活性。

晶體管睡眠技術(shù)

　　晶體管睡眠技術(shù)允許一些不會(huì )被調用的晶體管暫時(shí)處于休眠狀態(tài)，當再次被調用時(shí)，它們可以立刻恢復動(dòng)力，這一功能節省了大量電能。

　　CPU的緩存單元從來(lái)都是發(fā)熱大戶(hù)，尤其是二級緩存占據晶體管總量的一半不止、對功耗的“貢獻”也極為可觀(guān)。為了降低大容量緩存帶來(lái)的高熱量，英特爾為其65nm SRAM芯片中引入了全新的“睡眠晶體管”功能，當SRAM內的某些區域處于閑置狀態(tài)時(shí)，睡眠晶體管就會(huì )自動(dòng)切斷該區域的電流供應，從而令芯片的總功耗大大降低。

耗盡型襯底晶體管(depleted substrate transistor，DST)

　　隨著(zhù)晶體管的縮小，門(mén)泄漏快速上升問(wèn)題，SOI(Silicon on Insulator，絕緣層上覆硅)技術(shù)便應運而生了。

　　在2000年“GHz時(shí)代”來(lái)臨時(shí)，曾一度采用SOI技術(shù)，因為這種技術(shù)耗電量低，電容量小，并將使用SOI作為完成未來(lái)“THz晶體管”的主要工具，但由于成本太高，在第二年放棄了。不過(guò)對手AMD在IBM的幫助下成功地在A(yíng)thlon 64產(chǎn)品中使用了SOI技術(shù)，這時(shí)的SOI使得晶體管的成本雖提高近10%，但AMD的晶體管數目不及英特爾，這種成本提升在它的身上體現得沒(méi)有英特爾明顯。

　　而現在耗盡型襯底晶體管(depleted substrate transistor，DST)的技術(shù)，實(shí)際上是SOI技術(shù)的變形，相比SOI技術(shù)其做了一些改動(dòng)來(lái)消除它的主要缺點(diǎn).

65nm的現狀

市場(chǎng)狀況：

　　早在2005年，英特爾便第一次生產(chǎn)出了65nm工藝成品CPU，隨著(zhù)今年的7月Core 2 Duo處理器的上市，英特爾產(chǎn)品可以說(shuō)已經(jīng)基本過(guò)渡到了65nm工藝，實(shí)現了90nm與65nm的“制造接替”。目前消費者已經(jīng)可以相當方便的購買(mǎi)到基于65nm工藝的英特爾處理器。向來(lái)與英特爾勢不兩立的AMD，目前65nm工藝產(chǎn)品仍在研發(fā)當中，尚未有成品上市，距較早前的消息稱(chēng)，AMD將在今年第四季度推出65nm制程工藝的新一代處理器?？梢哉f(shuō)，目前65nm市場(chǎng)仍是英特爾的天下。

生產(chǎn)線(xiàn)、產(chǎn)能：

英特爾：

　　英特爾對65nm工藝技術(shù)的部署相當快速，目前已擁有三個(gè)65nm工廠(chǎng)，在制造方面達到了一個(gè)重要的里程碑。在制造能力上取得跨越，這意味著(zhù)英特爾目前生產(chǎn)的PC和服務(wù)器微處理器中，一半以上都是采用這種業(yè)界領(lǐng)先的制程技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的。

　　今年6月份，英特爾公司位于位于愛(ài)爾蘭Leixlip的“Fab 24-2”正式開(kāi)張，這是英特爾第三間65nm工廠(chǎng)。另外兩座65nm工廠(chǎng)均位于美國本土，分別是俄勒岡州Hillsboro的“D1D”和亞利桑那州Chandler的“Fab 12”，前者同時(shí)也是Intel的研發(fā)基地，后者則是近期才升級到65nm。其實(shí)早在今年3月份之前，“Fab 24-2”就已經(jīng)開(kāi)始利用65nm工藝生產(chǎn)300mm晶圓。

　　目前英特爾擁有的六大芯片工廠(chǎng)(從事12英寸晶圓制造)，12英寸晶圓芯片工廠(chǎng)的數量愿意超出了任何一個(gè)競爭對手，其主要的對手AMD僅在去年10月份才剛剛新建了第一個(gè)12英寸晶圓芯片工廠(chǎng)，而與此同時(shí)英特爾已經(jīng)開(kāi)設計劃建造另外三個(gè)芯片工廠(chǎng)，每個(gè)工廠(chǎng)的造價(jià)預計在30億美元到40億美元之間?；谶@些工廠(chǎng)生產(chǎn)出來(lái)的更大面積晶圓，英特爾可以制造出更多的芯片，從而節省成本、時(shí)間和資源。

　　英特爾在保持65nm技術(shù)領(lǐng)先的同時(shí)，也開(kāi)始積極向45nm制程沖刺。位于亞歷桑那州Chandler的另一座全新12吋晶圓廠(chǎng)“Fab 32”也已開(kāi)始興建，造價(jià)為30億美元，預計將從2007下半年開(kāi)始以45納米制程技術(shù)生產(chǎn)微處理器。此外，位于以色列南部城市Kiryat Gat，總投資額達40億美元的英特爾新廠(chǎng)“Fab 28”，目前已經(jīng)動(dòng)工，這將是將是英特爾第二個(gè)使用45納米制造工藝的芯片生產(chǎn)廠(chǎng)。同時(shí)，英特爾還將投資15億美元為另外一個(gè)在以色列的工廠(chǎng)“FAB 18”進(jìn)行升級改造。

　　英特爾計劃用兩年左右的時(shí)間轉入45nm工藝，相應的產(chǎn)品是Core架構的Penryn和新架構的Nehalem；2010年進(jìn)軍32nm工藝，具體產(chǎn)品為過(guò)渡型的Nehalem C和六年內的第三代架構Gesher。

　　目前英特爾出貨的處理器中50％以上都采用65nm工藝，隨著(zhù)生產(chǎn)線(xiàn)轉向65nm工藝，近期英特爾也宣布了部分采用90nm的處理器即將停產(chǎn)，可見(jiàn)，在今年年底90nm產(chǎn)品將會(huì )被徹底取代。

AMD：

　　跟英特爾相比，AMD一直差距很大。自AMD在成立以來(lái)，產(chǎn)能為題一直是其最大的困擾。到了上世紀90年代，AMD開(kāi)始形成相對固定的建廠(chǎng)模式，就是以5年左右為一個(gè)周期去建造一個(gè)新廠(chǎng)。所以AMD與英特爾的產(chǎn)能懸殊相當大。

　　目前AMD主要的晶圓工廠(chǎng)是Fab 30和Fab 36，兩個(gè)工廠(chǎng)都位于德國德累斯頓。

　　Fab 30在1996年10月動(dòng)工，到了98年5月竣工，2000年實(shí)現了量產(chǎn)。Fab 30主要生產(chǎn)基于200mm晶圓的芯片。該工廠(chǎng)原設計產(chǎn)能為每月2萬(wàn)片晶圓，但迫于需求，目前該工廠(chǎng)以150%的超負荷生產(chǎn)。目前Fab30生產(chǎn)K8處理器，2004年完成90nm SOI工藝；2005年第二季度開(kāi)始投產(chǎn)雙核處理器。引人矚目的Opterons和Athlon 64 X2處理器正是由Fab 30負責。

　　Fab 36從2003年11月開(kāi)始建設，2004年12月1日開(kāi)始具備生產(chǎn)能力。從2006年上半年開(kāi)始，AMD的Fab36開(kāi)始向客戶(hù)交付產(chǎn)品。Fab36是AMD第一座具備300mm晶圓生產(chǎn)能力的工廠(chǎng)。2007年，AMD將投資25億美元在Fab36的建設上。AMD計劃在Fab36投產(chǎn)65nm。

　　此外，據消息稱(chēng)，AMD將在德國建設第三間晶圓工廠(chǎng)，以緩解產(chǎn)能不足的難題。另外，AMD 公司已經(jīng)與紐約州政府簽訂了一項非約束性協(xié)議，它將投資32億美元在Saratoga Springs興建一座芯片制造工廠(chǎng)。新的芯片制造工廠(chǎng)的建筑面積為120 萬(wàn)平方英尺，占地200英畝，位于Luther Forest 科技園。新芯片制造工廠(chǎng)將采用0.032 微米工藝，但AMD 必須在2008年中期推出0.045 微米工藝。

　　除了Fab 30和Fab 36兩大晶圓工廠(chǎng)工廠(chǎng)外，AMD還在中國蘇州、馬來(lái)西亞檳城、泰國曼谷及新加坡等等地方建設有芯片封裝測試工廠(chǎng)。

英特爾、AMD路線(xiàn)圖

英特爾：

　　根據這份藍圖，Core 2 Duo處理器在明年第一季度將占據英特爾全部CPU出貨量的35%。

　　根據藍圖顯示，7月27日之后，雙核心Core處理器將全面取代單核心處理器，Core 2 Duo處理器將成為英特爾桌面旗艦產(chǎn)品，Woodcrest將幫助Intel在2007年奪回企業(yè)服務(wù)器處理器市場(chǎng)。這也表明了，Core 2 Duo發(fā)布之后，英特爾將會(huì )更大力的推廣65nm制程的處理器。

　　最新藍圖也證實(shí)Kentsfield的存在，它是英特爾第一款四核心桌面處理器，它將作為一款“Extreme”處理器，在明年第一季度發(fā)布，英特爾還沒(méi)有為它制定正式名稱(chēng)。AMD也將在明年發(fā)布四核心桌面處理器K8L。

AMD：

　　日前AMD發(fā)布了最新的CPU路線(xiàn)圖，AMD將在今年引入65nm工藝，并首度透露下一代K8L微架構處理器將于2008年面市。

　　2007年第一季度，Brisbane核心的Athlon 64 X2系列處理器推出，該核心處理器將首次采用基于65nm工藝制程，推出的型號有，Athlon 64 X2 3800+、4200+ 和4600+；07年第二季度，AMD推出65nm工藝的Athlon 64 X2 5000/5200+處理器；Athlon 64 X2 5400處理器將于第三季度推出，這些處理器的TDP功率都是65W。

　　AMD將會(huì )在07年第二季度面向低端市場(chǎng)推出基于65nm的Sempron 4000+，3800+，3600+，3500+和3400+，而65nm的Sempron 4200+將會(huì )在第三季度推出，到時(shí)將會(huì )有90nm和65nm的Sempron共存的局面。

　　高端方面，2007年第三季度 AMD將會(huì )推出Athlon 64 FX-66，主頻將會(huì )達到3.2GHz，其他規格不變，比較遺憾的是其并未使用65nm的制造工藝。

　　通過(guò)路線(xiàn)圖可看出，AMD其將會(huì )有多款新產(chǎn)品推出，并會(huì )引入65nm的工藝制程。不過(guò)AMD在采用65納米制造工藝初期，可能將先用來(lái)量產(chǎn)入門(mén)級產(chǎn)品，以保證產(chǎn)品質(zhì)量。至于價(jià)格昂貴的高端產(chǎn)品，可能還將繼續沿用舊有的90納米制造工藝。

總結：

  從英特爾和AMD所公布的路線(xiàn)圖來(lái)看，在65nm工藝制成方面，英特爾已經(jīng)遙遙領(lǐng)先AMD一年的時(shí)間，正當英特爾已經(jīng)開(kāi)始熱賣(mài)65nm的今天，AMD突然出現65nm工藝的技術(shù)障礙，這不免讓人擔心，兩者之間的差距是否只有一年時(shí)間爾已。

Intel與AMD制程時(shí)間對照表 

制程           AMD             Intel 
180nm工藝   1999年第四季度  1999年第三季度 
130nm工藝   2002年第二季度  2001年第三季度 
90nm工藝    2004年第三季度  2004年第一季度 
65nm工藝    2007年第一季度  2006年第一季度 

　　自180nm以來(lái)，英特爾與AMD的制程工藝時(shí)間日益增大，這客觀(guān)的反映了做為芯片老大的英特爾在技術(shù)上占有巨大的優(yōu)勢，站在行業(yè)發(fā)展的前端，主導著(zhù)處理器行業(yè)的發(fā)展。同時(shí)也暴露出了AMD在技術(shù)上的不足，由于自身實(shí)力的不足，導致了無(wú)論在產(chǎn)能上還是在技術(shù)上，都大大落后于英特爾。

　　在0.13um與90nm時(shí)代，人們曾一度懷疑摩爾定律是否已過(guò)時(shí)，因為當時(shí)面臨的技術(shù)難題太多了。不過(guò)現在看來(lái)，這一疑慮似乎是多余的，英特爾的表現便證明了這一點(diǎn)。目前英特爾官方網(wǎng)站上為用戶(hù)提供了大量CPU制造技術(shù)資料，但從AMD網(wǎng)站上很難看到這些。尤其是隨著(zhù)英特爾45nm SRAM測試芯片的完成，讓我想到了正在邁入65nm工藝大門(mén)的AMD。

　　今年7月，英特爾新一代的Core 2 Duo處理器正式上市，標志著(zhù)英特爾已經(jīng)全面轉向65nm制程產(chǎn)品，并且產(chǎn)能在不斷的增加，而AMD方便即便最快也要到明年第一季度，65nm的制程產(chǎn)品才會(huì )真正的出現在市面上，時(shí)間上相差半年。

　　做為英特爾劃時(shí)代的新一代產(chǎn)品，Core 2 Duo一直以來(lái)備受矚目。在功耗及性能上都有著(zhù)較大的優(yōu)勢，各項性能都優(yōu)于目前市面上的處理器。桌面版的Conroe處理器較之前的雙核處理器在性能上提升40%，而功耗則降低40%，一舉撇除了“高頻低能”的稱(chēng)號，即便是目前AMD所號稱(chēng)的高性能處理器所無(wú)法比擬的性能及功耗優(yōu)勢，力壓風(fēng)光已久的AMD K8處理器。

　　而移動(dòng)平臺的Merom處理器性能可比此前的產(chǎn)品提高20％，而耗電量相同；面向服務(wù)器的Woodcrest在性能提高80％的同時(shí)，耗電量可減少35％”(Rattner)。隨著(zhù)Core 2 Duo處理器的迅速普及，AMD原先優(yōu)勢盡失，再加上原本已有的產(chǎn)能問(wèn)題，使得產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比大打折扣。。

　　英特爾在65nm技術(shù)上的成功，扭轉了以往失利的局面。在英特爾眾多產(chǎn)品的壓制下，使得AMD不得不加速65nm的進(jìn)度，以求能在短期追上英特爾65nm的普及步伐。但事實(shí)卻并未能如AMD所愿，正所謂“欲速則不達”。此次AMD再次遇到技術(shù)上的難題，從側面反映出了AMD在技術(shù)上的劣勢。

　　功耗問(wèn)題曾一度成為AMD打擊英特爾的利器，讓人感到有趣的是，此次AMD也正是在這個(gè)問(wèn)題上被卡住了，技術(shù)上的不足使得AMD尚未量產(chǎn)的65nm工藝的芯片，在額定電壓下無(wú)法獲得應有的主頻，只能通過(guò)提高電壓來(lái)解決，但高電壓會(huì )帶來(lái)更大的功耗，這樣一來(lái)會(huì )導致AMD在65nm產(chǎn)品上再次失利?？v觀(guān)這幾年，AMD跳票連連，如果這一問(wèn)題沒(méi)有的好很好的解決，如果此次65nm產(chǎn)品延遲發(fā)布，屆時(shí)將會(huì )再次讓眾多玩家失望。

　　今年下半年，英特爾將會(huì )大力推廣65nm產(chǎn)品，隨著(zhù)45nm工藝成熟，到了明年將會(huì )基于45nm工藝產(chǎn)品出現在市面上，如果現在A(yíng)MD不奮力直追英特爾的65nm的普及步伐，那么當英特爾45nm時(shí)代的到來(lái)，AMD與英特爾之間的差距將會(huì )更加之大。