意法半導體測試65nm硬盤(pán)驅動(dòng)器物理層IP模塊
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通過(guò)制造和驗證這款65nm接口設計,ST正在為今年下半年系統芯片向65nm技術(shù)過(guò)渡做準備,以便與客戶(hù)一起分享低功耗要求和更小的物理尺寸帶來(lái)的好處。經(jīng)過(guò)驗證的IP模塊將大幅度壓縮新產(chǎn)品的上市時(shí)間,減少新的ASIC的開(kāi)發(fā)成本。此外,這個(gè)新的宏單元的多標準功能(SATA第1代、第2代和第3代)將有利于設備制造商加快驗證針對不同市場(chǎng)的產(chǎn)品設計,創(chuàng )造大規模生產(chǎn)的經(jīng)濟效益,同時(shí)通過(guò)優(yōu)化工程資源來(lái)降低制造成本。
“ST的戰略是保持最先進(jìn)的技術(shù)開(kāi)發(fā)水平,為客戶(hù)提供最好的解決方案,”ST數據存儲產(chǎn)品部總經(jīng)理Roberto Fantechi表示,“業(yè)內第一個(gè)65nm MiPHY模塊的發(fā)布為客戶(hù)提供了他們所需要的技術(shù):針對增長(cháng)最快的硬盤(pán)驅動(dòng)市場(chǎng)優(yōu)化的解決方案?!?nbsp;
ST擁有一整套經(jīng)過(guò)驗證的IP和創(chuàng )新技術(shù)相結合的硬盤(pán)驅動(dòng)器知識產(chǎn)權組合,這個(gè)第四代MIPHY是其中的一個(gè)重要的IP模塊。該器件是在90nm PHY技術(shù)上的一次巨大的飛躍,裸片尺寸和功耗比上一代IP模塊分別減少35%和30%。在均衡電路和收發(fā)電路方面,因為架構經(jīng)過(guò)進(jìn)一步改進(jìn),抗抖動(dòng)性能明顯增強,發(fā)送抖動(dòng)現象減弱。這些優(yōu)勢直接指向移動(dòng)硬盤(pán)驅動(dòng)器PC市場(chǎng)和成本敏感的臺式硬盤(pán)驅動(dòng)器PC市場(chǎng),在這兩個(gè)市場(chǎng)上,對于系統制造商而言,提供高性能、低功耗的產(chǎn)品是區別于競爭對手的一個(gè)重要因素。
通過(guò)與戰略合作伙伴密切合作,滿(mǎn)足他們特殊的需求,ST開(kāi)發(fā)出一整套65nm IP模塊組合,包括這個(gè)增強型的MiPHY IP模塊和下一代讀通道IP模塊,并計劃在下一代65nm系統芯片內集成這個(gè)IP組合中的模塊。
物理層的宏單元對來(lái)自和發(fā)送到驅動(dòng)器的數據執行高速串行化和解串行化轉換功能,并提供一個(gè)20位寬的并行接口來(lái)連接鏈路層。在串行ATA應用中,宏單元可以執行主機或設備操作,無(wú)需增加外部組件即可直接驅動(dòng)外部信號。
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