任重而道遠：中芯國際將力爭在今年實(shí)現45納米小批量試產(chǎn)

　　據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí) 現45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。

　　在第四屆(2009年度)中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)評選中，中芯國際有兩項技術(shù)獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。

　　據介紹，目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認證，并于2009年第三季度開(kāi)始在北京廠(chǎng)小批量試產(chǎn)。中芯國際65納米技術(shù)前段采用的是應力工程(即硅應變技術(shù))和鎳硅合金(柵極)工藝，后段采用的是低介電常數(low-k)銅互連工藝。中芯國際還將繼續在65納米技術(shù)節點(diǎn)上拓展更多的技術(shù)種類(lèi)。

　　在65納米技術(shù)節點(diǎn)上，CMOS器件的電學(xué)參數更難以控制，為此，中芯國際引入了DFM(可制造性設計)，這樣不但提高了設計服務(wù)的能力，而且拓寬了IP庫。中芯國際和國內的設計公司協(xié)作，不僅研發(fā)出了通用的IP，而且為中國市場(chǎng)開(kāi)發(fā)出定制的IP。

　　0.11微米圖像傳感器技術(shù)是中芯國際和相關(guān)設計公司合作開(kāi)發(fā)的、具有國際先進(jìn)水平的集成電路制造技術(shù)。該技術(shù)結合并優(yōu)化了動(dòng)態(tài)存儲器及邏輯工藝，優(yōu)化了像素設計，形成了一個(gè)通用的工藝平臺，可以服務(wù)于從30萬(wàn)到300萬(wàn)像素的產(chǎn)品。中芯國際的0.11微米CMOS圖像傳感器技術(shù)不僅提供更高像素的圖像，而且其數字信號處理的能力更強，該技術(shù)可以滿(mǎn)足手機和圖像傳感器應用的所有需要。中芯國際的此項工藝完全自主研發(fā)，所用的工藝步驟優(yōu)于國外同行，有著(zhù)明顯的成本優(yōu)勢，其結構、技術(shù)水平和光學(xué)性能都達到了國際先進(jìn)水平。

　　2010年對于中芯國際來(lái)講是非常重要的一年，因為我們要完成一系列的里程碑式的任務(wù)：45/40納米的邏輯工藝平臺要為試生產(chǎn)做好準備，要增強65和40納米節點(diǎn)上的IP等等。所有這些技術(shù)創(chuàng )新都會(huì )增強中芯國際的芯片制造能力、IP能力、設計服務(wù)能力，最終一定會(huì )增強公司的贏(yíng)利能力。