4大DRAM陣營(yíng)競爭激烈 美光、爾必達提前導入40納米

　　2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過(guò)50納米制程，大舉轉換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競爭更激烈。

　　雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代，其中三星是46納米制程，海力士轉進(jìn)44納米制程，但存儲器業(yè)者透露，兩大廠(chǎng)轉換的速度是雷聲大雨點(diǎn)小，傳出良率不如預期，因此量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)延后，也凸顯40納米世代的困難度，連老大哥都有不少難題要克服，因此2010年DRAM產(chǎn)業(yè)號稱(chēng)要以制程演進(jìn)增加產(chǎn)出，恐怕位元成長(cháng)率會(huì )不如預期。

　　值得注意的是，這次的40納米世代大戰，爾必達和美光都不會(huì )缺席，且在轉換的時(shí)間點(diǎn)上相當接近。繼爾必達和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳過(guò)50納米制程，直接轉45納米制程后，美光陣營(yíng)的華亞科和南亞科也宣布42納米制程提前1季投產(chǎn)，將在年中轉進(jìn)42納米制程。

　　華亞科總經(jīng)理高啟全表示，由于50納米制程階段，3家公司就已經(jīng)開(kāi)始用Immersion機臺，因此轉進(jìn)42納米制程的資金花費相對較少，且技術(shù)門(mén)檻相對較低，華亞科的計畫(huà)是2010年中42納米制程試產(chǎn)，年底通過(guò)認證，2011年42納米制程進(jìn)入大量，而下半年將會(huì )有50納米制程打前鋒。

　　華亞科也強調，美光的50納米制程是正統且完整個(gè)1個(gè)世代技術(shù)，并非制程微縮下的產(chǎn)物，因此對成本結構相當有信心，預計3月開(kāi)始大量投50納米，預計10月旗下13萬(wàn)片產(chǎn)能可全數轉換到50納米制程，屆時(shí)全數產(chǎn)出為2Gb DDR3產(chǎn)品。

　　爾必達的42納米制程在2009年底宣布量產(chǎn)，瑞晶將在2010年第2季導入，力晶也表示，日前已和爾必達、瑞晶共同采購Immersion機臺，為轉進(jìn)42納米制程做暖身。

　　DRAM 業(yè)者表示，爾必達2010年省略50納米，直接跳到45納米世代，技術(shù)層次上算相當厲害，但短期要面臨兩個(gè)問(wèn)題，第1是現有的65納米技術(shù)不能做2Gb的 DDR3，第2是跳躍世代的技術(shù)導入，過(guò)去DRAM廠(chǎng)從未有此經(jīng)驗，因此良率和技術(shù)是否能順利銜接，同業(yè)都相當好奇。

　　DRAM業(yè)者指出，隨著(zhù)爾必達和美光在40納米世代上趕上進(jìn)度，與三星和海力士的距離更加縮小，年底4大DRAM陣營(yíng)可望回到同1個(gè)競爭起點(diǎn)，其中美光打著(zhù)正統50、40納米旗子，遇上爾必達這個(gè)擅長(cháng)制程微縮的大軍，兩陣營(yíng)廝殺會(huì )更加激烈。