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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司
- 據國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國國際貿易委員會(huì )提出申訴，稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專(zhuān)利，要求禁止進(jìn)口侵權芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱(chēng)，涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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海力士41納米通過(guò)認證 切入蘋(píng)果供應鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠(chǎng)一起「吃蘋(píng)果」! 海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤(pán)，導致虧損
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
NAND Flash買(mǎi)氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩住陣腳
- 7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠(chǎng)表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場(chǎng)的買(mǎi)氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)則是維持低價(jià)搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì )較第2季成長(cháng)25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。 根據英鼎
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臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說(shuō)服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
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英特爾推出業(yè)內首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)
- 英特爾公司已經(jīng)開(kāi)始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。SSD是電腦硬盤(pán)的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來(lái)實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統硬盤(pán)(
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英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻 三星買(mǎi)氣清淡
- 隨著(zhù)英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價(jià)格策略上，更是上演絕地大反攻計畫(huà)，以超低價(jià)策略搶食三星地盤(pán)。下游廠(chǎng)商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價(jià)差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營(yíng)近期NAND Flash產(chǎn)品詢(xún)問(wèn)度大增，三星在現貨市場(chǎng)活絡(luò )度則降低。 英特爾
- 關(guān)鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱(chēng)，預計韓國三星電子下半年在一個(gè)半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。 該報未指明消息來(lái)源稱(chēng)，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動(dòng)上稱(chēng)，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規模，或是迄今的已投資額。 ETnews報稱(chēng)，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 30納米 NAND
3D應用當紅 首款超短焦倍頻3D投影機試水溫
- 3D立體影像市場(chǎng)快速發(fā)展，據估計，2012年約有10%的美國、日本家庭消費者將使用3D影像產(chǎn)品，西歐約有6%，到了2015年，3D立體影像產(chǎn)品進(jìn)入一般家庭使用的比重將超過(guò)60~70%，也宣告3D影像世代即將來(lái)臨。 日前落幕的2009年光電展中，可看出3D顯示器堪稱(chēng)是當紅炸子雞，包括友達、奇美電、華映等面板廠(chǎng)均正式發(fā)表其3D顯示器產(chǎn)品，意味3D影像技術(shù)漸趨成熟，而從2008年起，美國好萊塢各大電影公司也陸續大動(dòng)作投入3D電影、動(dòng)畫(huà)的制作，3D影片數量達到上百部，加上目前也有數百種的游戲支持3D顯示
- 關(guān)鍵字： 友達 3D 投影機
NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(pán)(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預期。 iSuppli專(zhuān)研行動(dòng)和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對閃存供貨商來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來(lái)阻礙。因為SSD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷(xiāo)量就會(huì )減緩。 多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
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英特爾美光及三星開(kāi)始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲器下降周期時(shí)尺寸縮小競賽并無(wú)實(shí)際的意義。 按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導者,據今年早些時(shí)候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲器的銷(xiāo)售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續因市場(chǎng)需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統的淡季,所以存儲器模塊的銷(xiāo)售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開(kāi)始利潤有所好轉。 由于供應商擔心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷(xiāo)給出更大的折扣,導致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價(jià)格趨勢在零售價(jià)基礎上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
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Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現量產(chǎn)。Micron還稱(chēng)其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤(pán)。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過(guò)合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準備，計劃于第四季度推出樣品。
- 關(guān)鍵字： Micron 納米 NAND USB閃盤(pán)
09年固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)份額不會(huì )大提升
- 雖然固態(tài)硬盤(pán)迅速成為了各大媒體主要的宣傳內容,但是由于價(jià)格過(guò)高的原因今年固態(tài)硬盤(pán)的市場(chǎng)份額將不會(huì )太高.根據DRAMeXchange的最新調查報告表明,固態(tài)硬盤(pán)在標準筆記本電腦的市場(chǎng)份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠(chǎng)商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤(pán),因此在低端PC上的市場(chǎng)份額將不到10%,這里應該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤(pán)向更深市場(chǎng)的侵入,根據市場(chǎng)調研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內存芯片的價(jià)格走勢,SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)接受度將會(huì )下降.
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán) NAND 內存芯片
Intel兩周內發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 近來(lái)謠言越來(lái)越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤(pán)。之前有報道稱(chēng)英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤(pán)出現的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將大大降低，容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤(pán)的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
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