3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區

內存DRAM芯片價(jià)格達谷底即將回調達到波谷

亞洲芯片制造商上周末召開(kāi)了會(huì )議，研究結果表明內存DRAM芯片價(jià)格已經(jīng)達到了波谷，未來(lái)將有所上浮。在上周四的全球市場(chǎng)上，DRAM內存平均售價(jià)再次下滑了五個(gè)百分點(diǎn)，而該數字在周五也處于下滑態(tài)勢。計算機內存制造商三星電子和現代半導體甚至表示，內存產(chǎn)品的售價(jià)迅速下調，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實(shí)際上，自從今年開(kāi)始，某些內存產(chǎn)品的售價(jià)足足下滑了70％。 “如今的價(jià)格已經(jīng)幾乎達到了最低點(diǎn)，我們都在等待重新的上浮?！盌aiwa研究所分析家JaeLee先生表示，“如果庫存量下滑，價(jià)格上浮
關(guān)鍵字： DRAM 內存消費電子芯片價(jià)格存儲器消費電子

內存DRAM芯片價(jià)格達谷底即將回調

　　路透社：亞洲內存制造商：DRAM芯片價(jià)格已到谷底，7月開(kāi)始回調　　亞洲芯片制造商上周末召開(kāi)了會(huì )議，研究結果表明內存DRAM芯片價(jià)格已經(jīng)達到了波谷，未來(lái)將有所上浮。　　據路透社報道，在上周四的全球市場(chǎng)上，DRAM內存平均售價(jià)再次下滑了五個(gè)百分點(diǎn)，而該數字在周五也處于下滑態(tài)勢。電腦內存制造商三星電子和現代半導體甚至表示，內存產(chǎn)品的售價(jià)迅速下調，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實(shí)際上，自從今年開(kāi)始，某些內存產(chǎn)品的售價(jià)足足下滑了70％。　　“如今的價(jià)格已經(jīng)幾乎達到了最低點(diǎn)，我們都在等待重新的
關(guān)鍵字： DRAM 存儲器

韓制造商全球DRAM儲存市場(chǎng)領(lǐng)導地位受到威脅

市場(chǎng)調研機構 iSuppli總裁兼首席執行官Derek Lidow稱(chēng)，未來(lái)三年內，韓國的DRAM 儲存芯片制造商長(cháng)期以來(lái)在全球的領(lǐng)先地位存在著(zhù)威脅，可能將被其他外國的競爭對手奪取。在韓國舉行的數字論壇上Lidow表示，目前在全球DRAM儲存芯片市場(chǎng)，韓國的制造商仍然保持了領(lǐng)先的位置，去年三星電子和現代半導體的銷(xiāo)售收入在全球市場(chǎng)占到45%。相比之下中國和中國臺灣的公司擁有的份額為17%。 Lidow預期今年全球DRAM儲存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化，韓國廠(chǎng)
關(guān)鍵字： DRAM 儲存市場(chǎng) 消費電子存儲器消費電子

iSuppli:08年3月前全球DRAM銷(xiāo)售恐減緩

　　5月29日消息，美國研究機構iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM銷(xiāo)售將減緩，出貨增長(cháng)將壓低價(jià)格。　　iSuppli今天在韓國首爾的科技會(huì )議上發(fā)表聲明指出，全球DRAM到明年3月以前將持續減緩。　　iSuppli指出，2010年全球DRAM銷(xiāo)售將由去年的339億美元增至457億美元。
關(guān)鍵字： DRAM iSuppli 存儲器

DRAM廠(chǎng)減產(chǎn)　DRAM售價(jià)瀕臨變動(dòng)成本

近來(lái)對于所有DRAM廠(chǎng)來(lái)說(shuō)都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價(jià)重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠(chǎng)不做生意的階段。DRAM廠(chǎng)已展開(kāi)一波自救計劃，部分DRAM廠(chǎng)已正式啟動(dòng)產(chǎn)能調配計劃，希望通過(guò)這樣動(dòng)作來(lái)減少虧損，也因為DRAM廠(chǎng)已開(kāi)始減產(chǎn)，DRAM廠(chǎng)認為第三季度應該可以見(jiàn)到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩成效。過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)全球DRAM售價(jià)不斷出現暴跌，雖說(shuō)目前價(jià)格略微回穩，不過(guò)整體來(lái)說(shuō)DRAM廠(chǎng)還是面臨到嚴重虧損壓力，DRAM廠(chǎng)坦承這樣的售價(jià)幾乎已是跌到DRAM廠(chǎng)采用12英寸廠(chǎng)90納米工藝技術(shù)時(shí)所需的變動(dòng)成本，
關(guān)鍵字： DRAM 成本消費電子存儲器消費電子

三大DRAM廠(chǎng)商瘋狂擴產(chǎn) 致內存價(jià)崩潰

　　據業(yè)界消息稱(chēng)，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內存廠(chǎng)商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內存價(jià)格近期出現大幅下跌。　　據悉，這三家廠(chǎng)商紛紛調整調整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類(lèi)型產(chǎn)品的生產(chǎn)線(xiàn)全部轉而生產(chǎn)DRAM內存。據預測，07年第二季度受上述三家廠(chǎng)商產(chǎn)能調節影響，全球DRAM內存產(chǎn)量將增長(cháng)20-30%。　　美光科技由于預測07年受手機市場(chǎng)帶動(dòng)，CIS（C
關(guān)鍵字： DRAM 擴產(chǎn) 存儲器

海力士半導體預期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉

　　5月16日，據香港媒體報道，海力士半導體高層主管今日表示，公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期，但是有望在7月或者8月開(kāi)始得到好轉。　　海力士策略規劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示，目前，移動(dòng)存儲設備的價(jià)格尚沒(méi)有止跌，但是希望下半年通過(guò)供需的改善，需求應該會(huì )快速成長(cháng)。　　2006年，由于電腦存儲芯片需求超過(guò)預期，導致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中，最后導致供過(guò)于求。除了供需失衡影響外，微軟的Vista系統的相關(guān)新需求也令這些廠(chǎng)商們失望。
關(guān)鍵字： DRAM 海力士半導體存儲器

DRAM價(jià)格或將觸底，NAND供應商加快開(kāi)發(fā)內置產(chǎn)品

據Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷(xiāo)售旺季，PC廠(chǎng)商將增加庫存，預計DRAM需求將隨之增長(cháng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續下滑，已使DRAM廠(chǎng)商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠(chǎng)商業(yè)績(jì)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
關(guān)鍵字： DRAM NAND 內置產(chǎn)品消費電子存儲器消費電子

全球12吋DRAM廠(chǎng)版圖擴大　亞洲成為戰略重地

全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢(mèng)達(Qimonda)正式對外宣布，將在未來(lái)5年出資20億歐元，在亞洲地區自行興建第1座12吋廠(chǎng)，自此可說(shuō)全球DRAM大廠(chǎng)從東北亞到東南亞均已到場(chǎng)卡位，其中，北有爾必達(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有臺灣DRAM四寶及大陸中芯，南則有美光(Micron)、奇夢(mèng)達，全球各大DRAM廠(chǎng)幾乎都在亞洲建先進(jìn)廠(chǎng)。奇夢(mèng)達26日表示，未來(lái)5年內將在新加坡花費高達20億歐元興建12吋廠(chǎng)，奇夢(mèng)達全球總裁暨執行長(cháng)羅建
關(guān)鍵字： 12吋 DRAM 消費電子亞洲戰略重地存儲器消費電子

Hynix勢頭迅猛三星DRAM冠軍寶座岌岌可危

4月28日消息，據國外媒體報道，權威調研機構Gartner日前指出，三星在全球DRAM市場(chǎng)的份額已降至7年來(lái)的最低點(diǎn)，可能被競爭對手Hynix超越。據Gartner的初步報告顯示，今年第一季度，三星全球DRAM市場(chǎng)份額已降至25.5%，比第二名的Hynix僅高出2.7個(gè)百分點(diǎn)。這是自2000年以來(lái)，三星在DRAM市場(chǎng)表現最糟糕的一次。在過(guò)去的五年中，三星的DRAM市場(chǎng)份額平均比第二名高出17%。相比之下，競爭對手Hynix的市場(chǎng)份額達到了22.8%。銷(xiāo)售額達到了21.82億美元，同比增長(cháng)6
關(guān)鍵字： DRAM Hynix 三星消費電子存儲器消費電子

DRAM內存可能被淘汰 PRAM才是正道

　　4月19日消息，據國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開(kāi)發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）。　　在日前于北京召開(kāi)的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì )（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。　　Rattner還稱(chēng)，英特爾開(kāi)發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據悉，PRAM是一種非易失性的內存產(chǎn)品，它集DRAM內存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數據的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來(lái)D
關(guān)鍵字： DRAM PRAM 存儲器

4月DRAM合約價(jià)格繼續下滑已突破生產(chǎn)商成本

據臺灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數據，4月上旬DRAM內存價(jià)格繼續下滑，而且已經(jīng)降到了多數制造商的生產(chǎn)成本以下。據IDG新聞社報道，運營(yíng)著(zhù)一個(gè)在線(xiàn)DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱(chēng)，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7％，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進(jìn)行買(mǎi)賣(mài)。最新的報價(jià)來(lái)自4月上旬的合約價(jià)格，它們顯示出DR
關(guān)鍵字： DRAM 消費電子存儲器消費電子

4月DRAM合約價(jià)格繼續下滑已突破生產(chǎn)商成本

　　4月11日消息，據臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數據，4月上旬DRAM內存價(jià)格繼續下滑，而且已經(jīng)降到了多數制造商的生產(chǎn)成本以下。　　據IDG新聞社報道，運營(yíng)著(zhù)一個(gè)在線(xiàn)DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱(chēng)，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%，每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。　　大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買(mǎi)賣(mài)。最新的報價(jià)來(lái)
關(guān)鍵字： DRAM 成本合約價(jià)格存儲器

揚長(cháng)補短發(fā)展FeRAM

　　存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性?xún)刹糠?，它們各有所長(cháng)，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì )失去保存的數據，但是RAM 類(lèi)型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會(huì )丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器

3D智能導航，未來(lái)GPS的發(fā)展方向？

車(chē)載GPS的出現，給駕車(chē)者提供了極大地方便。目前，隨著(zhù)中國開(kāi)始進(jìn)行以省、市為主體的ITS(智能道路交通系統)建設，車(chē)載導航系統也將發(fā)生一些新的變化，如車(chē)載導航系統是采用原裝還是后裝產(chǎn)品、如何把車(chē)載導航系統與車(chē)載音響進(jìn)行融合？車(chē)載導航信息以什么樣的方式顯示？從IIC一些公司的展示產(chǎn)品我們可以發(fā)現一些趨勢。 ST的導航系統可以收看數字電視節目車(chē)載導航和車(chē)載音響的融合從瑞薩展出的車(chē)載信息系統設備來(lái)看，因為目前駕駛者傾向于語(yǔ)音指路的模式，所以，車(chē)載導航系統和車(chē)載音響會(huì )出現融合。另外，融合到這
關(guān)鍵字： 3D GPS 汽車(chē)電子消費電子汽車(chē)電子