EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d x-dram
3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區
恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場(chǎng)
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng )新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(cháng)，在成立之初就成為存儲器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠(chǎng)商，專(zhuān)注于存儲器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
FPGA到高速DRAM的接口設計(04-100)
- FPGA做為系統的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò )、通信、存儲和高性能計算應用中，在這些應用中都需要復雜的數據處理。 所以，現在FPGA支持高速、外部存儲器接口是必須遵循的?，F在的FPGA具有直接接口各種高速存儲器件的專(zhuān)門(mén)特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設計。 設計高速外部存儲器接口不是一件簡(jiǎn)單的任務(wù)。例如，同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲器并正在用于主機中。最新的DRAM存儲器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達到133MHz(260
- 關(guān)鍵字： Altera FPGA DRAM
GPS 3D導航設計的穩定性考慮
- 摘要：?3D地圖的出現和推廣、更多信息點(diǎn)的地圖，使大容量的存儲器成為2008年導航產(chǎn)品發(fā)展的一個(gè)重要方向。大容量存儲器的需要還來(lái)源于對數據保護的需求。本文通過(guò)對比Embedded Raw MLC和Managed Nand兩種存儲方式，介紹了系統硬件和軟件設計對GPS導航設備穩定性的影響。 關(guān)鍵詞：?GPS；SLC；MLC；3D導航 GPS 3D導航地圖的出現并非偶然，3D導航比2D顯示更多的信息量，通過(guò)3D圖像來(lái)真實(shí)地模擬顯示現實(shí)世界中的街道和交叉路口，駕駛者不僅可以看到詳細而
- 關(guān)鍵字： GPS 3D 導航設計 穩定性考慮 200803
Gartner下調全球半導體市場(chǎng)增長(cháng)率至3.4%
- 據報道，在芯片需求走軟價(jià)格下跌的情況下，市場(chǎng)調研機構Gartner下修全球IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(cháng)率至先前預測值的二分之一。 去年12月，Gartner曾預估全球2008年IC市場(chǎng)將有6.2%的增長(cháng);但是在最新的預估中，修正至3.4%。 根據Gartner分析，2009-2012年IC市場(chǎng)增長(cháng)幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。 然而，什么原因使2008年的預估表現下降?Gartner表示，市場(chǎng)中有許多不樂(lè )觀(guān)的跡象，首當其沖的就是美國經(jīng)濟的疲軟甚至衰退。
- 關(guān)鍵字： DRAM
芯片價(jià)格下滑 現代半導體Q4虧損5億美元
- 據國外媒體報道，全球第二大儲存芯片制造商韓國現代半導體周五公布去年四季度財務(wù)報告稱(chēng)，由于芯片價(jià)格下降，公司在超過(guò)四年的時(shí)間里首次出現虧損。 現代半導體表示，在12月31日結束的第四季度，公司虧損了4650億韓元(約合4.928億美元)，這是自2003年第二季度以來(lái)現代半導體首次出現的虧損。而2006年同期公司盈利1萬(wàn)億韓元。 由于使用在計算機上的DRAM儲存芯片和使用在數碼相機上的NAND閃存芯片價(jià)格下滑，四季度現代半導體的銷(xiāo)售收入從2006年同期的2.61萬(wàn)億韓元下降了29%為1.85萬(wàn)
- 關(guān)鍵字： 儲存 芯片 DRAM
奇夢(mèng)達;消費電子將取代PC成內存主要推動(dòng)
- 內存廠(chǎng)商奇夢(mèng)達(Qimonda)上一季度的銷(xiāo)售額出現了大幅下滑。在該公司的年度股東會(huì )議上，奇夢(mèng)達的首席執行官羅建華對未來(lái)發(fā)表了謹慎樂(lè )觀(guān)的預測，并稱(chēng)消費電子將取代PC市場(chǎng)成為行業(yè)的主要推動(dòng)力。 在向股東的發(fā)言中，羅建華表示，在過(guò)去一年中主流內存芯片(DRAM)產(chǎn)品的平均售價(jià)下跌將近80%，這是奇夢(mèng)達銷(xiāo)售大幅減少的最主要原因。單在12月份的這個(gè)季度里，價(jià)格就下跌超過(guò)四成?！斑@是內存芯片行業(yè)歷史上最嚴重的一次價(jià)格滑坡，”羅建華說(shuō)。 根據羅建華的分析，價(jià)格急劇下降的原因是供
- 關(guān)鍵字： 內存 奇夢(mèng)達 DRAM
全球DRAM廠(chǎng)虧損持續擴大
- 盡管DRAM價(jià)格暫止血，但全球DRAM廠(chǎng)虧損黑洞卻持續擴大，為搶救當前重大危機，包括國際大廠(chǎng)及臺系DRAM廠(chǎng)紛紛被迫出招應對，其中，全球第3大DRAM廠(chǎng)奇夢(mèng)達(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠(chǎng)，目前已確定將暫停機器設備移入；至于同樣面臨極大壓力的臺廠(chǎng)，則傳出茂德決定在中科12英寸廠(chǎng)歲修時(shí)程將破天荒長(cháng)達10天。臺DRAM廠(chǎng)坦言，目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)鏈的庫存非常夠用，盡管拉長(cháng)歲修時(shí)程對整體供需幫助不大，卻凸顯各DRAM廠(chǎng)面對虧損擴大壓力，紛紛展開(kāi)應變措施。 現階段對于DRAM廠(chǎng)而言，投資建廠(chǎng)
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導體 Qimonda
Hynix預測：DRAM芯片市場(chǎng)將在二季度出現反彈
- ?? 全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導體日前表示，預計到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲芯片市場(chǎng)將出現反彈。 ? 在美國拉斯維加斯參加2008 CES上，Hynix半導體公司首席執行官Kim Jong-kap發(fā)表了上述觀(guān)點(diǎn)。 他稱(chēng)，“此前，電腦儲存芯片市場(chǎng)一直處于低迷狀態(tài)，持續了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開(kāi)始，預計這一狀態(tài)還將延續一段時(shí)間。我們認為從今年第二季度開(kāi)始，存儲芯片市場(chǎng)將會(huì )陸續出現反彈
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 芯片市場(chǎng)
奇夢(mèng)達開(kāi)始供應首款512Mb XDRTM DRAM 樣品
- 奇夢(mèng)達公司宣布已開(kāi)始向客戶(hù)供應首款512Mb XDRTM DRAM的樣品。XDRTM (Extreme Data Rate) 內存解體決方案擴展了奇夢(mèng)達的繪圖RAM產(chǎn)品組合，以針對全球成長(cháng)快速的計算機和消費性電子市場(chǎng)，提供更佳的高效能、高頻寬應用。 奇夢(mèng)達公司繪圖產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Robert Feurle表示：“我們對與Rambus公司簽訂技術(shù)授權合約一年內，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常驕傲。XDRTM DRAM對于奇夢(mèng)達的高效能DRAM產(chǎn)品組合而言，是一項高價(jià)值的延伸，同時(shí)也在
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達 DRAM XDRTM MCU和嵌入式微處理器
三星半導體發(fā)動(dòng)攻擊型投資計劃
- 據DigiTimes網(wǎng)站報道，短期內三星電子(SamsungElectronics)將不減產(chǎn)DRAM，并將于2008年發(fā)動(dòng)攻擊型投資。三星副社長(cháng)周宇錫近日在首爾三星總部表示，為配合2009年三星總營(yíng)收達到1300億美元，并成為全球第1大電子廠(chǎng)商的目標，盡管DRAM面對價(jià)格暴跌的壓力，但三星不僅不會(huì )減產(chǎn)，并將繼續執行攻擊型投資。 根據三星已經(jīng)敲定的投資計劃，2008年總共11兆韓元(約合116.8億美元)，其中7兆韓元(約合74.3億美元)投資于半導體領(lǐng)域，3.7兆韓元(約合39.3億美元)投資于
- 關(guān)鍵字： 三星 半導體 DRAM 半導體材料
07年1-11月全球半導體銷(xiāo)售收入同比增3.4%
- 半導體行業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)修改了2007年全球半導體銷(xiāo)售的預測數字，改正了一個(gè)重大的預測錯誤，稱(chēng)DRAM內存市場(chǎng)的數字高于預期是造成其預測錯誤的主要原因。 世界半導體貿易統計組織(WSTS)發(fā)布的2007年1至9月份的DRAM內存市場(chǎng)的銷(xiāo)售數據是增長(cháng)的。目前還不清楚WSTS或者SIA是如何出現這個(gè)失誤的。WSTS和SIA都沒(méi)有解釋這個(gè)原因。 SIA稱(chēng)，修改后的數據是2007年1至11月份DRAM內存市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入比原來(lái)報告的數字增加了為13.5億美元，也就是4.8%。因此，同期的半導體銷(xiāo)售收
- 關(guān)鍵字： 半導體 銷(xiāo)售 DRAM
Hynix預測：DRAM芯片市場(chǎng)將在二季度出現反彈
- 全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導體日前表示，預計到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲芯片市場(chǎng)將出現反彈。 在美國拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導體公司首席執行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀(guān)點(diǎn)。 他稱(chēng)，“此前，電腦儲存芯片市場(chǎng)一直處于低迷狀態(tài)，持續了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開(kāi)始，預計這一狀態(tài)還將延續一段時(shí)間。我們認為從今年第二季度開(kāi)始，存儲芯片市場(chǎng)將會(huì )陸續出現反彈?！? 在今年第三季度，Hynix半導體擁有全球DRAM芯片市場(chǎng)20%份額
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 芯片 嵌入式
預測：DRAM芯片市場(chǎng)將在二季度出現反彈
- 全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導體日前表示，預計到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲芯片市場(chǎng)將出現反彈。 在美國拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導體公司首席執行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀(guān)點(diǎn)。 他稱(chēng)，“此前，電腦儲存芯片市場(chǎng)一直處于低迷狀態(tài)，持續了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開(kāi)始，預計這一狀態(tài)還將延續一段時(shí)間。我們認為從今年第二季度開(kāi)始，存儲芯片市場(chǎng)將會(huì )陸續出現反彈?！? 在今年第三季度，Hynix半導體擁有全球DRAM芯片市場(chǎng)20%份額
- 關(guān)鍵字： 芯片 DRAM 存儲 存儲器
2008年：中國半導體市場(chǎng)增長(cháng)趨緩
- 對于中國的半導體產(chǎn)業(yè)而言，2008年將是又一輪循環(huán)發(fā)展的新起點(diǎn)。這一年，既是中國的首個(gè)奧運年，也是全球第一塊集成電路(IC)誕生50周年。感知事業(yè)冷暖，預言市場(chǎng)趨勢，雖有著(zhù)諸多不確定的變數，但跟隨2007年半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步，仍是有跡可循。 國際市場(chǎng)將回暖? 2007年，全球半導體產(chǎn)業(yè)繼續疲軟。 雖然2006年底和2007年初，國內外各大業(yè)內機構對2007年全球半導體市場(chǎng)都有一個(gè)相對樂(lè )觀(guān)的預測，普遍認為2007年度全球市場(chǎng)的增長(cháng)率將在5%～10%之間，但根據世界半導體貿易統計組織(W
- 關(guān)鍵字： 半導體 IC DRAM 半導體材料
3d x-dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
3d x-dram相關(guān)帖子
3d x-dram資料下載
3d x-dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473