<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d nand

存儲市場(chǎng)寡頭競爭,中國能否突出重圍

  • 事實(shí)上中國巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國大廠(chǎng)資本開(kāi)支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開(kāi)支就達到200億美金,因此,我國廠(chǎng)商的數字分攤到每年,還難以和龍頭廠(chǎng)商相比。雖然在量產(chǎn)初期,如此巨大的資本開(kāi)支也會(huì )給中國企業(yè)帶來(lái)不小的折舊壓力,下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內虧損,但若想實(shí)現存儲器的國產(chǎn)替代,這種投入十分必要。
  • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  

STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級新型材料亮相2019年TCT亞洲展

  •  3D打印和增材制造解決方案供應商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì )(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì )期間,Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本,滿(mǎn)足客戶(hù)多元化的專(zhuān)業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會(huì ),匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng )新發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: 醫療,3D  

Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

  • 3D打印和增材制造解決方案供應商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì )(TCT Asia 2019),以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì )期間,Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應用極限,大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本,滿(mǎn)足客戶(hù)多元化的專(zhuān)業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會(huì ),匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng )新發(fā)展和最新應用,
  • 關(guān)鍵字: 3D  打印  

中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易

  •   據businesskorea報道,中國計劃在未來(lái)六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢?,許多專(zhuān)家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴(lài)?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個(gè)原因?! ∈紫?,中國沒(méi)有提及將購買(mǎi)哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導體芯片,無(wú)論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

IC Insights:大陸半導體制造困難大,五年后自制率不過(guò)半

  • ICInsights最新報告顯示,大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠低于政府的目標。報告指出,2018年大陸半導體市場(chǎng)為......
  • 關(guān)鍵字: 半導體  晶圓  NAND  

韓媒:存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷,中國企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

  • 根據韓國媒體Business Korea報道,由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來(lái)低迷,存儲器產(chǎn)品價(jià)格下跌,各大存儲器廠(chǎng)商先后宣布降低產(chǎn)量以來(lái),雖然三星仍然穩坐半導體產(chǎn)業(yè)頭把交椅,但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?! o(wú)獨有偶,SK海力士等廠(chǎng)商的日子也不好過(guò)。頭部廠(chǎng)商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國存儲器廠(chǎng)商又將面對怎樣的未來(lái)呢? 
  • 關(guān)鍵字: 存儲器,NAND  

集邦咨詢(xún):供需失衡態(tài)勢難止,NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%

  •   根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求,且2019年筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現仍難見(jiàn)起色,預計產(chǎn)能過(guò)剩難解。在此情況下,供應商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進(jìn)程,避免位元成長(cháng)過(guò)多導致過(guò)剩狀況加劇?! RAMeXchange調查指出,2018年因供過(guò)于求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%,但供需失衡的情形仍無(wú)法逆轉。2019年美系廠(chǎng)商減少資本支出,使得NAND
  • 關(guān)鍵字: NAND  東芝  

存儲器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤(pán)點(diǎn)2018

  • 存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表,它的表現也影響著(zhù)整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著(zhù)技術(shù)上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

CES 2019:英特爾推出5G芯片 躋身無(wú)線(xiàn)基站

  • CES 2019展會(huì )上,英特爾宣布了因應5G時(shí)代的“Snow Ridge”。此外,該公司還同時(shí)發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動(dòng)處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
  • 關(guān)鍵字: CES2019  5G芯片  Snow Ridge  Foveros 3D  

2018年三大手機創(chuàng )新技術(shù):屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

  • 2018年,手機廠(chǎng)商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質(zhì)等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設計,充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現各種“超級夜景”,這些設計與創(chuàng )新為消費者提供了更多的選擇,但這些創(chuàng )新相比上述三種,它們出現并沒(méi)有讓消費者對手機的使用體驗有著(zhù)超預期的提升,實(shí)用但并不令人心生向往。
  • 關(guān)鍵字: 屏下指紋  3D ToF  

中天弘宇:攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當今數據存儲的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著(zhù)半導體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn),NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關(guān)鍵。不過(guò),因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng )新,也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構,但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
  • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  存儲器  

半導體設備廠(chǎng)商競爭格局生變?

  •   半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉,排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來(lái),應用材料公司一直是半導體設備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?! ?016年,應用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
  • 關(guān)鍵字: ASML  NAND  

突破瓶頸,英特爾重塑數據中心存儲架構

  • 2018年12月11日,以“智數據·創(chuàng )未來(lái)”為主題的2018中國存儲與數據峰會(huì )在北京拉開(kāi)帷幕。作為中國數據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會(huì )匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專(zhuān)家,就數據洪流時(shí)代下,企業(yè)如何實(shí)施數據戰略、深挖數據價(jià)值,變數據資源為實(shí)現更廣泛商業(yè)價(jià)值的數據資產(chǎn)等話(huà)題展開(kāi)深入探討。
  • 關(guān)鍵字: 數據  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續下跌

  •   全球DRAM市場(chǎng)上,三星一家獨大,接著(zhù)是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠(chǎng)商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見(jiàn)大巫?! ?  DRAM連漲之后持續下跌  在DRAM內存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后,內存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱(chēng)10月份DRAM現貨價(jià)格跌了10%,預計2019年還會(huì )繼續跌20%?! ∈艽擞绊?,全球第四大內存芯片廠(chǎng)商南亞科
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

存儲領(lǐng)域競爭加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化

  •   3D NAND的出現也是因為2D NAND無(wú)法滿(mǎn)足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類(lèi)型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步,厚度開(kāi)始不斷降低,但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量,但是其可靠性和性能卻在下降,因為工藝越先進(jìn),NAND的氧化層越薄,其可靠性也就越差,廠(chǎng)商就需要采取額外手段彌補這一問(wèn)題,這必然會(huì )提高成本,以至于在達到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢?!   ?D NAND將思路從提高制造工藝轉
  • 關(guān)鍵字: 存儲  NAND  
共1701條 19/114 |‹ « 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 » ›|

3d nand介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>