3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區

IC Insights預測：全球IC增長(cháng)和全球GDP增長(cháng)關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內，全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)的相關(guān)系數為0.88，這是一個(gè)強勁的數字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
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NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來(lái)兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來(lái)一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來(lái)越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢在下半年還會(huì )繼續，因為智能手機出貨量增長(cháng)放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續增加，預計Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì )下跌10%，不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤(pán)的普及，未來(lái)2-3內512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統旺季，但是N
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中國存儲三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權

　　今年下半年，隨著(zhù)長(cháng)江存儲、福建晉華、合肥長(cháng)鑫國內三大存儲廠(chǎng)商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或將對全球存儲市場(chǎng)價(jià)格走勢造成影響?！　《S著(zhù)中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！　∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于移動(dòng)式內存的合肥長(cháng)鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營(yíng)?！　〗趥鞒龊戏书L(cháng)鑫投產(chǎn)8
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三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續降價(jià)

　　據韓國媒體報道稱(chēng)，三星已經(jīng)上調了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠(chǎng)以及中國西安工廠(chǎng)的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來(lái)SSD的繼續降價(jià)是基本沒(méi)懸念的事?！　∪騈AND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?！　∮袌蟮婪Q(chēng)，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

　　近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。　　其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實(shí)現更大的結構和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠(chǎng)商的追捧，目前已成為NAND閃存廠(chǎng)商的
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美光科技就中國福建省專(zhuān)利訴訟案件的聲明

　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晉華”)提起專(zhuān)利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專(zhuān)利侵權訴訟，實(shí)為報復此前臺灣檢察機關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區聯(lián)邦地區法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷(xiāo)
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3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )?！　』景雽w展臺以充滿(mǎn)科技感和未來(lái)感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀(guān)眾的眼球?！　∪颡殑?chuàng )3D SiC?技術(shù)　　展會(huì )期間，基本半導體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng )的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(cháng)結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設計靈活性也有利于實(shí)現高電流密度的
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2018年Q1全球半導體銷(xiāo)售達1158億美元，無(wú)線(xiàn)通訊市場(chǎng)大幅下滑

　　在2018年第一季度，全球半導體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng )下了有史以來(lái)第二高的季度收入，其中，來(lái)自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)的需求最為強勁?！　‰S著(zhù)企業(yè)和儲存市場(chǎng)對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類(lèi)別增長(cháng)率為1.7%，達到397億美元。事實(shí)上，對于服務(wù)器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場(chǎng)資深總監Crai
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紫光對3D NAND閃存芯片的戰略愿景

在“2018中國半導體市場(chǎng)年會(huì )暨IC中國峰會(huì )”上，紫光集團有限公司董事長(cháng)趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒

　　為實(shí)現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來(lái)越多。目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩定的產(chǎn)品。而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場(chǎng)？

存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構調查，最終結果究竟如何，人們拭目以待。
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DRAM/NAND存儲器需求持續增溫南亞科、旺宏業(yè)績(jì)看好

　　隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應求，帶動(dòng)存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！　∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著(zhù)DRAM市場(chǎng)仍持續供不應求，對今年整體營(yíng)運表
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美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤(pán)

　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)現已開(kāi)始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤(pán)在美光 2018年分析師和投資者大會(huì )上首次亮相，面向之前由硬盤(pán)驅動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場(chǎng)，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤(pán)的推出，奠定了美光在實(shí)現更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導者地位，可以滿(mǎn)足人工智能、大數據、商業(yè)智能、內容傳輸和數據庫系統對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！　‰S著(zhù)工作負載的演變以滿(mǎn)足對于實(shí)時(shí)數據的
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韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額將在2020年減少78億美元

　　當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場(chǎng)基本上100%依賴(lài)進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長(cháng)江存儲已經(jīng)在武漢建設NAND Flash工廠(chǎng)，預計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來(lái)幾年，中國生產(chǎn)存儲就會(huì )逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。　　對此，韓國企業(yè)也開(kāi)始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時(shí)會(huì )因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷(xiāo)售金額。　　根據韓國媒體《et
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內存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)

　　根據Gartner的報告顯示，在過(guò)去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據著(zhù)這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無(wú)奈，因為沒(méi)有人能預料到這兩年內存市場(chǎng)會(huì )如此強勁。　　　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)，其中三星獲益匪淺，
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