<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d-mems

臺積電OIP推3D IC設計新標準

  • 臺積電OIP(開(kāi)放創(chuàng )新平臺)于美西當地時(shí)間25日展開(kāi),除表?yè)P包括力旺、M31在內之業(yè)者外,更計劃推出3Dblox新標準,進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統創(chuàng )新,并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰,幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統論壇今年由北美站起跑,與設計合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作,推動(dòng)AI芯片設計的創(chuàng )新。 Dan Kochpa
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  OIP  3D IC設計  

MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數字輸出接口的比較和選擇

  • 文章概述  本文將詳細討論脈沖密度調制 (PDM) 和集成電路內置音頻 (I2S) 兩種數字接口,簡(jiǎn)介它們的獨特特性以及在系統設計時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種,將取決于對兩種技術(shù)的研究,并要了解哪種協(xié)議對于特定應用更適合。具體要考慮的幾個(gè)關(guān)鍵因素包括:音質(zhì)功耗物料成本設計的空間限制硬件的運行環(huán)境如果您在MEMS 麥克風(fēng)的數字輸出接口選擇上有需求,相信本文會(huì )有所幫助。麥克風(fēng)用在嵌入式系統中已經(jīng)有很多年了。自其誕生以來(lái),由于家居、汽車(chē)和可穿戴設備中基于語(yǔ)音的應用范圍
  • 關(guān)鍵字: Digikey  MEMS  麥克風(fēng)  

拜登-哈里斯政府宣布與惠普達成初步條款,以支持尖端半導體技術(shù)的開(kāi)發(fā)和商業(yè)化

  • 擬議的投資將支持現有園區的擴建和現代化,并創(chuàng )造 250 多個(gè)制造和建筑工作崗位
  • 關(guān)鍵字: 美國芯片法規  惠普  MEMS  

基于ST ASM330LHH MEMS Sensor系列的智能座艙高精度慣性導航方案

  • 隨著(zhù)汽車(chē)輔助駕駛和無(wú)人駕駛的發(fā)展,慣性導航越來(lái)越成為不可或缺的技術(shù)需求。在城市密集的高樓大廈下、復雜的高架下、冗長(cháng)的地下隧道里,GPS信號因為受到遮擋和干擾,提供不了導航服務(wù)。這時(shí)候高精度的慣性導航就能很好彌補GPS信號丟失的不足,保證正常的導航行程。慣性導航IMU的核心是慣性傳感器,當慣性導航IMU安裝在車(chē)輛上時(shí),它可以通過(guò)測是車(chē)輛運動(dòng)的加速度和角速度來(lái)計算車(chē)輛的位移和方位角。 能夠填補GPS信號丟失的空白,為車(chē)輛提供高精度定位,確保車(chē)輛行駛安全。ST汽車(chē)級六軸慣性傳感器ASM330LHH系列,為先進(jìn)的
  • 關(guān)鍵字: ST  ASM330LHH  MEMS Sensor  智能座艙  高精度慣性導航  

內存制造技術(shù)再創(chuàng )新,大廠(chǎng)新招數呼之欲出

  • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
  • 關(guān)鍵字: HBM  3D DRAM  

鎧俠公布藍圖:2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊

  • 近日,據媒體報道,日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖,目標2027年實(shí)現1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來(lái),3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng),從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度,預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年,據日本媒體今年4月報道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示,公司計劃于2030至2031
  • 關(guān)鍵字: 鎧俠  3D NAND堆疊  

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%

  • 6月25日消息,據媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展,并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過(guò)一半(即561個(gè))為良
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D DRAM  

西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件,持續布局3D IC市場(chǎng)

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析,幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具,能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
  • 關(guān)鍵字: 西門(mén)子  Calibre 3DThermal  3D IC  

博世推出堅固耐用的高能效四合一 MEMS 室內空氣質(zhì)量傳感器

  • ※? ?四合一?MEMS?傳感器采用緊湊封裝,可精準測量氣體、濕度、溫度和氣壓?!? ?與上一代產(chǎn)品相比,功耗最多可降低?50%,是電池供電設備的理想之選?!? ?完全符合?WELL?和?RESET?室內空氣質(zhì)量標準,確保一流的監測性能?!? ?更堅固耐用,可在冷凝水平較高的環(huán)境中使用??諝獾馁|(zhì)量與清潔度對于健康而言至關(guān)重要。我們平均約有?90%&
  • 關(guān)鍵字: 博世  MEMS  空氣質(zhì)量傳感器  

生成式人工智能音頻快速發(fā)展:高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒(méi)

  • 最新一代人工智能或將開(kāi)啟新一輪科技革命,全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活,在方方面面帶來(lái)深刻變化?;谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng )建出令人難以置信的內容。不僅如此,人工智能的觸角已從視覺(jué)和文字媒介,伸向語(yǔ)音轉文字(STT)和自然語(yǔ)言處理(NLP)等音頻應用,展現出巨大潛力。然而,音頻應用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能?還是說(shuō)硬件依然功不可沒(méi)?就拿高信噪比(SNR)微機電系統(MEMS)麥克風(fēng)來(lái)說(shuō),它為實(shí)現這種必將改變人們日常生活的新質(zhì)人機交互
  • 關(guān)鍵字: NLP  STT  SNR  MEMS  麥克風(fēng)  

邁向 3D 內存:三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道,三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì )上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結構上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
  • 關(guān)鍵字: 3D 內存  存儲  三星  

“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動(dòng)

  • 據賽微電子消息,近日,2023年度國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“智能傳感器”重點(diǎn)專(zhuān)項“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì )在北京經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區召開(kāi)。該項目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司牽頭,聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國科學(xué)院空天信息創(chuàng )新研究院、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽??萍脊煞萦邢薰镜葐挝还餐瑢?shí)施。資料顯示,賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司專(zhuān)業(yè)從事半導體晶
  • 關(guān)鍵字: 傳感器  MEMS  賽微電子  

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D NAND  

5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利,準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
  • 關(guān)鍵字: 5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC  

聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用,預計今年量產(chǎn)

  • 近日,晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì ),公布2024年第一季財報,合并營(yíng)收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運效率提升,仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  
共2088條 1/140 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

3d-mems介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d-mems!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d-mems的理解,并與今后在此搜索3d-mems的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>