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3d 打印機
3d 打印機 文章 進(jìn)入3d 打印機技術(shù)社區
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術(shù)能夠實(shí)現 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器
- 中國的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng )性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現了對共振特性的精確控制并顯著(zhù)提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結構的品質(zhì)因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術(shù)難以滿(mǎn)足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現 AI
- Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng )新，該公司聲稱(chēng)該創(chuàng )新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性?xún)却婕夹g(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱(chēng)之為 3D 矩陣內存的東西。在同
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世
- 3D DRAM 將成為未來(lái)內存市場(chǎng)的重要競爭者。
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項目將擇機啟動(dòng)
- 日前，紫光國微在投資者互動(dòng)平臺透露，公司在無(wú)錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)，現正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì )根據產(chǎn)線(xiàn)運行情況擇機啟動(dòng)。據了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線(xiàn)，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗進(jìn)行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng )建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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李飛飛對計算機視覺(jué)的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能
- 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏(yíng)得了自己的地位。她在深度學(xué)習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來(lái)努力創(chuàng )建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰 AI 系統識別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠遠超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型，并贏(yíng)得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )開(kāi)始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界
- 12月5日消息，美國當地時(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng )造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛(ài)的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng )立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著(zhù)異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng)，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線(xiàn)3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具
- Teledyne DALSA推出在線(xiàn)3D機器視覺(jué)應用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線(xiàn)上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類(lèi)型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)電池、電機定子等）、汽車(chē)、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠(chǎng)自動(dòng)化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據韓媒報道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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臺積電OIP推3D IC設計新標準
- 臺積電OIP（開(kāi)放創(chuàng )新平臺）于美西當地時(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統創(chuàng )新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設計的創(chuàng )新。 Dan Kochpa
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鎧俠公布藍圖：2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊
- 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實(shí)現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來(lái)，3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示，公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展，并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件，持續布局3D IC市場(chǎng)
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具，能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關(guān)鍵字： 西門(mén)子 Calibre 3DThermal 3D IC
3d 打印機介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d 打印機的理解，并與今后在此搜索3d 打印機的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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