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32gb ddr5
32gb ddr5 文章 進(jìn)入32gb ddr5技術(shù)社區
瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶(hù)端時(shí)鐘驅動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴苛的DDR5客戶(hù)端與服務(wù)器DIMMs應用
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶(hù)端系統推出客戶(hù)端時(shí)鐘驅動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達7200MT/s的速度，是業(yè)內首款與小型DIMM
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 時(shí)鐘驅動(dòng)器 RCD DDR5 DIMM
美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內存
- IT之家 6 月 7 日消息，內存廠(chǎng)商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進(jìn)制內存，雙槽即可實(shí)現 96GB，四個(gè)內存插槽全插滿(mǎn)可實(shí)現 192GB 的內存容量。美光今天宣布開(kāi)始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當于 DDR4 內存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內存類(lèi)型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱(chēng)為 Registered DIM
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5
DDR5 重新下跌，內存現貨價(jià)格未見(jiàn)回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預期不太樂(lè )觀(guān)。
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海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內存程序進(jìn)行驗證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對
- 關(guān)鍵字： 海力士 DDR5
三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著(zhù)我們?yōu)闈M(mǎn)足計算市場(chǎng)對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著(zhù)芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數據中
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR5 DRAM
三星、美光等推動(dòng)普及，DDR5正進(jìn)入放量期
- 在行業(yè)下行周期時(shí)，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì )成為振奮市場(chǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)。當下DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點(diǎn)。據外媒消息報道，行業(yè)專(zhuān)家認為三星、美光等公司正大力推動(dòng)DDR5內存普及，以此遏制半導體市場(chǎng)下滑的趨勢。公開(kāi)資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設備工程委員會(huì )（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是1
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DDR5服務(wù)器DRAM價(jià) Q2跌幅料收斂
- 服務(wù)器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機種量產(chǎn)在即，但近期市場(chǎng)上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問(wèn)題。研調機構集邦科技（Trendforce）認為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠(chǎng)短期內將同步提升對芯源的采購比重，另外內存將停留在舊制程，因此預估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價(jià)格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統）供應的電源管理IC無(wú)狀況，DRAM原廠(chǎng)短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠(chǎng)DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內供給量難
- 關(guān)鍵字： DDR5 服務(wù)器DRAM Trendforce
Server DDR5 RDIMM傳PMIC問(wèn)題，供給受限跌幅將收斂
- 服務(wù)器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機種量產(chǎn)在即，但近期市場(chǎng)上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問(wèn)題，目前DRAM原廠(chǎng)與PMIC廠(chǎng)商均已著(zhù)手處理。TrendForce集邦咨詢(xún)認為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統）供應的PMIC無(wú)狀況，DRAM原廠(chǎng)短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠(chǎng)DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內供給量難免受此事件影響，故預估第二季DDR5 Server DRAM
- 關(guān)鍵字： Server DDR5 RDIMM PMIC
存儲產(chǎn)品價(jià)格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過(guò)于求問(wèn)題
- IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導致存儲產(chǎn)品價(jià)格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績(jì)營(yíng)業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機以來(lái)，三星時(shí)隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據韓國《中央日報》援引業(yè)內人士消息，三星的減產(chǎn)計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內存產(chǎn)品線(xiàn)產(chǎn)量將削減 3 至 6 個(gè)月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過(guò)技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DDR4 DDR5 三星
美光科技宣布DDR5服務(wù)器內存已獲驗證
- 近日，美光科技宣布，其用于數據中心的DDR5服務(wù)器內存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據介紹，美光DDR5提供的內存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動(dòng)當今數據中心處理器內核的快速增長(cháng)至關(guān)重要。過(guò)渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個(gè)處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來(lái)幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數）基準測試中的性能
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 服務(wù)器內存
美光：DDR5 內存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強可擴展處理器中完成驗證
- IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數據中心的 DDR5 服務(wù)器內存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。據介紹，美光 DDR5 所提供的內存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現了翻番。升級到 DDR5 將帶來(lái)更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來(lái)幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數據顯示，SPECjbb 在關(guān)鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數）的基準測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內存帶寬和更強的性
- 關(guān)鍵字： DDR5 美光
美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來(lái)更強的性能和可靠性
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數據中心的DDR5服務(wù)器內存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現了翻番，為當今數據中心快速增長(cháng)的處理器內核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來(lái)更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來(lái)幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手，可為各
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 英特爾至強
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