<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 32gb ddr5

SK 海力士開(kāi)發(fā) 1anm DDR5 DRAM,兼容第四代英特爾至強可擴展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息,SK 海力士宣布,公司研發(fā)的第四代 10 納米級(1a)DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器(代號為 Sapphire Rapids)兼容認證。SK 海力士表示,采用 EUV(極紫外線(xiàn))技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲器認證。將通過(guò)目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應對增長(cháng)趨勢的服務(wù)器市場(chǎng),盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
  • 關(guān)鍵字: 海力士  DDR5  

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

  • 三星電子宣布,已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示:"三星12nm級DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動(dòng)系統等領(lǐng)域更可持續運營(yíng)的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶(hù)、計算
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

  • 12月19日,美光宣布,與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗室,以減少服務(wù)器內存驗證時(shí)間。目前美光適用于數據中心的DDR5內存和第四代AMD EPYCTM(霄龍)處理器均已出貨。長(cháng)期以來(lái),超級計算機承擔著(zhù)高性能計算工作負載。此類(lèi)大規模的數據密集型工作負載需要運行TB級的數據量以進(jìn)行數百萬(wàn)個(gè)并行操作,以解決人類(lèi)世界的難題,如天氣和氣候預測;地震建模;化學(xué)、物理和生物分析等。隨著(zhù)計算機架構的進(jìn)步,此類(lèi)工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強大的算力、架構、內存和存儲
  • 關(guān)鍵字: 美光  AMD  DDR5  

美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準測試:內存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息,據美光發(fā)布,美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗室,以減少服務(wù)器內存驗證時(shí)間,在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負載測試。目前美光適用于數據中心的 DDR5 內存和第四代 AMD EPYCTM (霄龍)處理器均已出貨,官方對其進(jìn)行了一些常見(jiàn)的高性能計算(HPC)工作負載基準測試。長(cháng)期以來(lái),超級計算機承擔著(zhù)高性能計算工作負載。此類(lèi)大規模的數據密集型工作負載需要運行 TB 級的數據量以進(jìn)行數百萬(wàn)個(gè)并行操作,以解決人類(lèi)世界的難題,如天氣和氣
  • 關(guān)鍵字: 美光  AMD  DDR5  

美光 DDR5 內存配合第四代 AMD EPYC 處理器,提升高性能計算工作負載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶(hù)及數據中心平臺提供一流的用戶(hù)體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗室,以減少服務(wù)器內存驗證時(shí)間,在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負載測試。目前美光適用于數據中心的 DDR5 內存和第四代 AMD EPYCTMTM (霄龍)處理器均已出貨,我們對其進(jìn)行了一些常見(jiàn)的高性能計算(HPC)工作負載基準測試。 長(cháng)期以來(lái),超級計算機承擔著(zhù)高性能計算工作負載。此類(lèi)大規模的數據密集型工作負載需要運行TB 級的數據量以進(jìn)行數百萬(wàn)個(gè)并行操作,以解決人類(lèi)世界的難題,如天氣和氣候預測;地震建模;化學(xué)、物理和生
  • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  AMD EPYC  

SK海力士研發(fā)全球最快內存:超越DDR5-4800 80%!

  • SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內存, 起步速率就可以達到8Gbps,相比于標準的DDR5-4800快了多達80% ,也追平了DDR5內存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱(chēng)“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過(guò)在DRAM內存模組、CPU處理器之間加入特殊的
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DDR5  DIMM  內存  

56核+8通道DDR5內存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來(lái)

  • 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎?當年這是Intel為了跟AMD競爭專(zhuān)業(yè)市場(chǎng),將服務(wù)器版至強下放到了工作站,滿(mǎn)血28核56線(xiàn)程,還是唯一解鎖超頻的至強,售價(jià)超過(guò)2萬(wàn)元。這款處理器在2021年就退役了,這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒(méi)了動(dòng)靜,至強W的繼任者也沒(méi)了音信,一度傳聞被取消,但是Intlel現在親自出面,證實(shí)了新一代工作站處理器要來(lái)了。他們的官推來(lái)看,Intel稱(chēng)新一代的工作站處理器非???,暗示性能強大,甚至需要用戶(hù)重新規劃下去接咖啡的時(shí)間了,因為工作等待時(shí)間會(huì )更短
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  CPU  至強  DDR5  

瀾起科技:DDR5 世代內存模組配套芯片需求將大幅增加

  • IT之家 12 月 5 日消息,根據瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄,瀾起科技在接受機構調研時(shí)表示,隨著(zhù) DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩步提升,2022 年第三季度公司的內存接口芯片和內存模組配套芯片收入均有所增長(cháng),從而推動(dòng)互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線(xiàn)業(yè)務(wù)的增長(cháng)。據介紹,內存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內存模組的數量呈正相關(guān)。行業(yè)對內存容量的需求是持續增加的,為滿(mǎn)足內存容量的增長(cháng)需求,主要通過(guò)兩種方式來(lái)實(shí)現,一是提升內存顆粒密度,二是增加內存模組數量。如果在一定時(shí)期內存顆粒密度提升放緩,則內存容量增
  • 關(guān)鍵字: 內存  DDR5  

DDR5加速滲透,封測龍頭帶來(lái)新消息

  • 近日,封測龍頭長(cháng)電科技宣布,高性能動(dòng)態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實(shí)現穩定量產(chǎn)。隨著(zhù)5G高速網(wǎng)絡(luò )、云端服務(wù)器、智能汽車(chē)等領(lǐng)域對存儲系統性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數據中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢,給用戶(hù)帶來(lái)更佳的可靠性和擴展性,市場(chǎng)前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節,包括DDR5在內的存儲芯片效能不斷提升,對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延,以及更短互連等要求。為此,長(cháng)電科技通過(guò)各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù),實(shí)現同尺寸
  • 關(guān)鍵字: DDR5  封測  

美光 DDR5 內存現已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨

  • 2022 年 11 月 18 日——中國上?!獌却媾c存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布出貨適用于數據中心并已通過(guò)AMD 全新EPYC? (霄龍) 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內存。隨著(zhù)現代服務(wù)器配備更多處理內核的CPU,其單個(gè)CPU內核的內存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸,美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合,使
  • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  AMD EPYC 處理器  

美光宣布推出適用于數據中心的DDR5存儲器

  • 當地時(shí)間11月10日,美光宣布推出適用于數據中心的DDR5存儲器,該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗證。隨著(zhù)現代服務(wù)器將更多處理內核裝入CPU,每個(gè)CPU內核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比,美光DDR5提供了更高的帶寬,從而緩解了這一瓶頸,提高了可靠性和可擴展性。據介紹,美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統
  • 關(guān)鍵字: 美光  數據中心  DDR5  存儲器  

SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內存模塊

  • 隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團的全球專(zhuān)業(yè)內存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內存模塊,為刀鋒服務(wù)器專(zhuān)用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專(zhuān)為網(wǎng)通及高算力應用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團的全球專(zhuān)業(yè)內存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內存模塊,為
  • 關(guān)鍵字: DDR5  內存模塊  

DDR5內存與上一代價(jià)差縮小,后市滲透率或借機提升

  • 據媒體報道,因筆電市場(chǎng)低迷,沖擊DDR5內存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴大,可望推動(dòng)各廠(chǎng)商在2023年啟動(dòng)產(chǎn)品世代轉換,DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來(lái)看,TrendForce集邦咨詢(xún)預估,2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右,而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場(chǎng)消息上,英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內存條當前秒殺價(jià)為499元,而今年6月份售價(jià)則一直穩定在699元左右,跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休?據了解,PC市場(chǎng)是DDR5的關(guān)鍵終端市場(chǎng)之一。然而近期PC市場(chǎng)情況并不樂(lè )觀(guān),終
  • 關(guān)鍵字: DDR5  滲透率  

DDR5價(jià)格漸親民,巨頭紛紛押注推動(dòng)入市

  • 近期,DDR4和DDR5價(jià)格持續下跌,吸引了不少消費者的持續關(guān)注。目前消費電子疲軟還在繼續,據TrendForce集邦咨詢(xún)數據顯示,第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴大至13~18%。從積極方面考量,價(jià)格的親民化或將加速DDR5的入世,DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對比DDR4的優(yōu)勢從過(guò)往歷史看,每代DDR新標準發(fā)布后都需要經(jīng)過(guò)2年左右的優(yōu)化,才能實(shí)現性能的較為全面的穩定提升,而后實(shí)現對上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數據顯示,DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據悉,DDR4
  • 關(guān)鍵字: DDR5  DDR4  

DDR5內存滿(mǎn)足未來(lái)內容創(chuàng )作、發(fā)布和消費的更高要求

  • 在過(guò)去的十年時(shí)間里,隨著(zhù)程序與應用、數據集與復雜代碼,以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展,DDR4技術(shù)已不堪重負,難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著(zhù)CPU內核數量的不斷增加,為了應對這些海量需求,內存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴展。下一代系統中的DDR5內存是實(shí)現當前所需性能的最佳解決方案,同時(shí)能夠進(jìn)一步擴展,以滿(mǎn)足未來(lái)內容創(chuàng )作、內容發(fā)布和內容消費的更高要求。內容創(chuàng )作內容創(chuàng )作者受到了DDR4技術(shù)的限制,因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內存密度或內存帶寬。等待時(shí)間延長(cháng)導致效率降低,甚至無(wú)法進(jìn)行多任
  • 關(guān)鍵字: DDR5  內存  Crucial  英睿達  
共93條 3/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>