三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3
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作為尖端半導體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/234623.htm
三星電子利用現有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術(shù)限制，開(kāi)創(chuàng )了內存存儲器制造技術(shù)的新紀元。NAND閃存的基本存儲單元由一個(gè)晶體管構成，而DRAM則由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管串聯(lián)構成，因此后者更難實(shí)現制程技術(shù)的微細化。然而，三星電子通過(guò)對芯片設計和制程技術(shù)的改良，創(chuàng )新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)(Modified Double Patterning)”和“超薄介電層成型技術(shù)(Atomic layer deposition)”，順利實(shí)現了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。
“改良版雙重照片曝光技術(shù) (Modified Double Patterning)”僅利用現有的光刻機設備即可生產(chǎn)20納米DDR3，而且更為下一代10納米級DRAM的量產(chǎn)做了核心技術(shù)儲備，為半導體制程技術(shù)建立了一個(gè)新的里程碑。同時(shí)，電容器單元的介電層不僅超薄，而且前所未有的排列均衡，確保了基本存儲單元的優(yōu)越性能。
在這些新技術(shù)的基礎上，新一代20納米DDR3 DRAM的生產(chǎn)率比25納米DDR3提高了30%以上，更比30納米級DDR3提高了超過(guò)一倍。同時(shí)，基于20納米的DDR3 DRAM模組的耗電量同比基于25納米的DDR3降低了25%，將為全球IT企業(yè)提供最優(yōu)質(zhì)的“超節能綠色IT方案”。
三星電子存儲芯片事業(yè)部戰略營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人全永鉉副總裁表示：“三星電子的新一代超節能型20納米DDR3內存將在包括電腦和移動(dòng)市場(chǎng)在內的IT領(lǐng)域迅速站穩腳跟，并進(jìn)一步占據主流地位。今后，三星電子將繼續領(lǐng)先競爭對手推出下一代大容量DRAM和綠色存儲方案，與全球客戶(hù)攜手為世界IT市場(chǎng)的快速增長(cháng)做出貢獻?！?/p>
未來(lái)，三星電子將致力于研發(fā)10納米級的新一代DRAM產(chǎn)品，突破半導體技術(shù)的瓶頸，持續推進(jìn)存儲器市場(chǎng)的發(fā)展。
據市場(chǎng)調研機構Gartner預測，2014年全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)值將由2013年的356億美元增長(cháng)至379億美元。
三星綠色存儲官網(wǎng) www.samsung.com/GreenMemory
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