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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息，根據產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始，而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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One UI 6.1 導致 Galaxy S23 系列手機指紋識別出問(wèn)題
- 4 月 8 日消息，近日，三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1 更新意外導致了手機的指紋識別功能出現故障。有用戶(hù)反映，使用指紋識別解鎖手機時(shí)，會(huì )出現第一次識別失敗，手指離開(kāi)后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶(hù)表示，每次使用指紋識別解鎖手機時(shí)，系統都會(huì )崩潰，需要連續嘗試兩次才能成功。據 AndroidAuthority 報道，三星韓國社區論壇的一位社區經(jīng)理已經(jīng)確認了該問(wèn)題的存在。他表示：“對于設備使用過(guò)程中出現的不便，我們深表歉意。我們已經(jīng)確認，部分情況下鎖屏的指紋識別功能
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三星計劃推出Mach-1：輕量級AI芯片，搭配LPDDR內存
- 三星電子DS部門(mén)負責人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在第55屆股東大會(huì )上宣布，將于2025年初推出人工智能（AI）芯片Mach-1，正式進(jìn)軍AI芯片市場(chǎng)。三星希望，能夠在快速增長(cháng)的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競爭，比如英偉達。據SeDaily報道，Mach-1屬于A(yíng)SIC設計，被定為為輕量級人工智能芯片，搭配LPDDR內存產(chǎn)品。其擁有一項突破性的功能，與現有的設計相比，能顯著(zhù)降低了推理應用的內存帶寬需求，僅為原來(lái)的八分之一，降低了87.5%。三星認為，這一創(chuàng )新設計將使Mach-1在效率和成本效益
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xAI宣布開(kāi)源大語(yǔ)言模型Grok-1并開(kāi)放下載
- 3月18日消息，美國當地時(shí)間周日，埃隆·馬斯克（Elon Musk）旗下的人工智能初創(chuàng )企業(yè)xAI宣布，其大語(yǔ)言模型Grok-1已實(shí)現開(kāi)源，并向公眾開(kāi)放下載。感興趣的用戶(hù)可通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)GitHub頁(yè)面github.com/xai-org/grok來(lái)使用該模型。xAI介紹稱(chēng)，Grok-1是一款基于混合專(zhuān)家系統（Mixture-of-Experts，MoE）技術(shù)構建的大語(yǔ)言模型，擁有3140億參數。近期，公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權重和網(wǎng)絡(luò )架構詳情。該公司表示，Grok-1始終由xAI自行訓練，其預訓練階段于
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貿澤開(kāi)售加快工業(yè)IoT設備開(kāi)發(fā)的Boundary Devices Nitrogen8M Plus SMARC
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus?SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行業(yè)標準的高性能系統級模塊?(SoM)，與SMARC載板相結合可組成單板計算機，大大加快產(chǎn)品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)?(IIoT)?應用的
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思特威推出全新5000萬(wàn)像素1/1.28英寸圖像傳感器SC580XS
- 2024年1月11日，中國上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱(chēng)：思特威，股票代碼：688213），重磅推出其首顆5000萬(wàn)像素1/1.28英寸圖像傳感器新品——SC580XS。此款新品是思特威繼成功量產(chǎn)第一顆22nm HKMG Stack工藝的5000萬(wàn)像素1/1.56英寸產(chǎn)品SC550XS之后，在同一工藝平臺打造的升級產(chǎn)品。作為1.22μm像素尺寸圖像傳感器，SC580XS搭載思特威新一代像素技術(shù)SFCPixel?-2以及PixGain HDR?、AllPix ADAF?等多項技術(shù)和工
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詳細分析機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
- 本文介紹已獲專(zhuān)利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案，并對比傳統的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議，并作了機械規格和可靠性分析。越來(lái)越多的系統要求為傳統的非電子外設或耗材添加電子功能，包括存儲校準數據或制造信息，或者存儲外設、配件或耗材的OEM認證。這就要求系統需要添加存儲和安全功能，還必須在主機和外設之間添加機電連接功能。已獲專(zhuān)利的1-Wire接觸封裝（以前稱(chēng)為SFN封裝）專(zhuān)為機電接觸環(huán)境而設計，典型應用包括對象識
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Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、雙數據通道ReDriver支持 MIPI D-PHY 1.2協(xié)議
- Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI? D-PHY 1.2 協(xié)議的信號 ReDriver?。PI2MEQX2503 可重建從相機傳輸到顯示器的信號，數據傳輸速率高達 2.5Gbps，適用于筆記本電腦、平板電腦、手機、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設備、商用顯示器、增強現實(shí)頭戴顯示器、無(wú)人機和機器人等各種產(chǎn)品應用。PI2MEQX2503 具有雙數據通道均衡器和單時(shí)鐘通道，可補償與 PCB、接口、線(xiàn)材及開(kāi)關(guān)相關(guān)的損耗。此 ReDriver 可實(shí)現從 CSI2 信號來(lái)源傳輸到 D
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Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、雙數據通道ReDriver支持MIPI D-PHY 1.2協(xié)議
- Diodes?公司?(Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合?MIPI??D-PHY 1.2?協(xié)議的信號?ReDriver?。PI2MEQX2503?可重建從相機傳輸到顯示器的信號，數據傳輸速率高達?2.5Gbps，適用于筆記本電腦、平板電腦、手機、物聯(lián)網(wǎng)?(IoT)?設備、商用顯示器、增強現實(shí)頭戴顯示器、無(wú)人機和機器人等各種產(chǎn)品應用。PI2MEQX2503?具有雙數據通道均衡器和單時(shí)鐘通
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擁有8:1輸入比的1/4磚100W DC/DC轉換器
- Flex Power?Modules向其產(chǎn)品系列中加入了一款全新1/4磚、底板冷卻的DC/DC轉換器PKM8100A，該產(chǎn)品具有9-75 VDC超寬的輸入范圍（100V/100 ms）。PKM8100A以最高達89%的效率提供100 W功率，并提供12 V/8.35A或54 V/1.85 A的初始輸出。產(chǎn)品的輸入到輸出隔離電壓額定值為3000 VDC，滿(mǎn)足IEC/UL 62368-1的要求。該產(chǎn)品具有豐富的功能，包括遠程控制、輸出微調和遙感功能，保護功能則涵蓋過(guò)溫、輸入欠壓鎖定、輸出過(guò)壓和短路。
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機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
- 本文介紹已獲專(zhuān)利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案，并對比傳統的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議，并作了機械規格和可靠性分析。
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臺積電高雄廠(chǎng)已完成2nm營(yíng)運團隊建設，未來(lái)或切入1.4nm
- 據中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電高雄廠(chǎng)正式編定為臺積22廠(chǎng)（Fab 22），并且完成該廠(chǎng)2nm營(yíng)運團隊建設。臺積電供應鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進(jìn)駐態(tài)度及臺積電全盤(pán)規劃而定。報道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠(chǎng)原計劃切入28納米及7納米的規劃，改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠(chǎng)之際，也立刻于高雄第一期工廠(chǎng)作為生產(chǎn)2納米制程。此前據TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中
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芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開(kāi)發(fā)支持
- Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”）接續著(zhù)連接標準聯(lián)盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標準。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來(lái)的第二次更新?；谝荒赀M(jìn)行兩次更新的步調，可以幫助開(kāi)發(fā)者引入新的設備類(lèi)型，將Matter擴展到新的市場(chǎng)，同時(shí)可帶來(lái)互操作性和用戶(hù)體驗提升方面的其他改進(jìn)。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現有的IP網(wǎng)絡(luò )技術(shù)來(lái)實(shí)現智能家居設備的互聯(lián)互通，以建立一種新的開(kāi)放
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著(zhù)技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)，后段器件集成將會(huì )遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現具有挑戰性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點(diǎn)后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類(lèi)是1.5nm節點(diǎn)后段的最小目標金屬間距
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