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高na euv 文章 進(jìn)入高na euv技術(shù)社區
通向14/15nm節點(diǎn)的技術(shù)挑戰
- 當半導體業(yè)準備進(jìn)入14/15nm節點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰 對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續縮小時(shí)，由于己達極限許多缺陷顯現。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著(zhù)互連銅線(xiàn)的尺寸縮小銅線(xiàn)的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個(gè)挑戰。
- 關(guān)鍵字： EUV 節點(diǎn)技術(shù)
GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)
- 繼晶圓代工大廠(chǎng)臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì )中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(chǎng)(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過(guò)浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長(cháng)的光源，走到22奈米已
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 晶圓代工
英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米
- 英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱(chēng)11納米可能發(fā)生在2015年。 Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 在Nikon的年會(huì )上許多其它的專(zhuān)家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 11納米 EUV
半導體能支撐未來(lái)的發(fā)展
- 相比于2009年今年全球半導體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì )上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂(yōu)，認為雖然半導體業(yè)正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。 恐怕更大的擔心來(lái)自全球半導體業(yè)間的兼并與重組到來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。 IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業(yè)正在復蘇，但是在半導體業(yè)運營(yíng)中仍面臨成
- 關(guān)鍵字： ASML 半導體 EUV
臺積電取得ASML超紫外光微影設備以研發(fā)新世代工藝
- TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個(gè)取得這項設備的客戶(hù)伙伴之一。 這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(chǎng)(GigaFab™)-臺積十二廠(chǎng)，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個(gè)可以在自身晶圓廠(chǎng)發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 相較于現行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長(cháng)當作光源，超
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 微影設備 ASML
三項半導體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
- 半導體技術(shù)市場(chǎng)權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 據IC Insights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠(chǎng)需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設--比預期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會(huì )應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會(huì )被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。 另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 450mm
EUV: 一場(chǎng)輸不起的賭局
- 2010年， ASML將有5臺最先進(jìn)的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶(hù)。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統將發(fā)送給3家頂級存儲器廠(chǎng)商和2家頂級邏輯廠(chǎng)商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專(zhuān)為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠(chǎng)前，解決正在發(fā)生的問(wèn)題，并預測著(zhù)各種可能發(fā)生的問(wèn)題及解決方案。 人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問(wèn)題已歷時(shí)數年，因為其波長(cháng)較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí)，延伸immersion技術(shù)，用其
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 22nm
臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰研發(fā)
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長(cháng)負責。 這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來(lái)，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 40納米 HKMG EUV
EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學(xué)系統。該公司已使EUV光學(xué)系統達到了生產(chǎn)要求。 光學(xué)系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開(kāi)發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。 據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統已經(jīng)研發(fā)了約15年。
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設備
EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線(xiàn)具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預處理和清洗會(huì )議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內部討論，并在會(huì )上向與會(huì )的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶(hù)下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(cháng)可達13.5納米，約是248波長(cháng)的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關(guān)鍵字： 消費電子 EUV 電子束 消費電子
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