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華為、三星、蘋(píng)果手機下滑 閃存先遭殃：3個(gè)月來(lái)跌價(jià)20%
- 作為NAND閃存的最大市場(chǎng)，智能手機市場(chǎng)今年還會(huì )下滑，蘋(píng)果、三星及華為的手機業(yè)務(wù)都遭受了壓力，閃存市場(chǎng)也應聲而跌，3個(gè)月來(lái)價(jià)格跌了20%，這一個(gè)月來(lái)就跌了8%。全球每年將近15億臺的智能手機是NAND閃存廠(chǎng)商的最大客戶(hù)，如今手機的存儲容量都是64-128GB起了，256GB及512GB也不少見(jiàn)，比很多人的SSD硬盤(pán)容量都大，結果這個(gè)最大動(dòng)力今年也熄火了。今年全球經(jīng)濟都在下滑，第一大品牌三星最近調整了手機出貨量目標，至少砍了15%，全年預期只有2.4億部，接下來(lái)要發(fā)布的Note 20系列也在砍單，三星要求供
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疫情之下，長(cháng)江存儲程衛華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 6月27日，SEMICON China 2020大會(huì )于上海拉開(kāi)帷幕。會(huì )上，長(cháng)江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官程衛華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來(lái)挑戰》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長(cháng)江存儲3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內容。程衛華認為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢的變幻莫測，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導體技術(shù)帶來(lái)了改變。程衛華指出，消費市場(chǎng)的變化驅動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅動(dòng)企業(yè)級SSD需求增長(cháng)。從全球市場(chǎng)綜合發(fā)展來(lái)看，企業(yè)級SS
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國產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世 武漢基地二期開(kāi)工
- 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團、長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開(kāi)工建設以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠(chǎng)，實(shí)現了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開(kāi)工，計劃分兩期建設3D NAND
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)
- 據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)。三星電子生產(chǎn)線(xiàn)建設上月已經(jīng)開(kāi)始，預計2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產(chǎn)線(xiàn)，新產(chǎn)線(xiàn)專(zhuān)注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始建設，預計明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線(xiàn)，韓國將擁有7條
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閃存顆粒哪家強？最新市場(chǎng)排名出爐
- 來(lái)自統計機構TrendForce的最新統計顯示,剛過(guò)去的一季度,主要NAND閃存廠(chǎng)商的營(yíng)收均有所增長(cháng),整體規模達到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營(yíng)收45億美元,環(huán)比增加1.1個(gè)百分點(diǎn),市場(chǎng)份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲)緊隨其后,營(yíng)收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場(chǎng)份額19%。3~6名分別是西數、美光、SK海力士和Intel,營(yíng)收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報告稱(chēng),一季度
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128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)
- 長(cháng)江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng )造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數據是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開(kāi)始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。在今天的第一季度財務(wù)會(huì )議期間,同樣來(lái)自韓國的SK海
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長(cháng)江存儲128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)
- 從去年下半年到現在,內存閃存的漲價(jià)讓存儲廠(chǎng)商重新過(guò)上了好日子,想降價(jià)只能靠中國廠(chǎng)商了。上周?chē)鴥鹊拈L(cháng)江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預計今年底量產(chǎn)。據介紹,長(cháng)江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU， 可同時(shí)實(shí)現設備控制與網(wǎng)絡(luò )連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設備
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會(huì )社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設備控制與網(wǎng)絡(luò )連接。RX72N基于瑞薩專(zhuān)有的RXv3 CPU內核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級導致程序代碼愈加龐大。因此，存儲容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存，可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng )新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)
- 在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠(chǎng)商的空間并不多。國內公司中,兆易創(chuàng )新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng )新發(fā)布了2019年報,去年營(yíng)收32億元,同比增長(cháng)42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng )新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場(chǎng)份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng )新的NOR閃存累計出貨量超過(guò)100億顆,目前依然供不應求
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紫光存儲解散？國產(chǎn)閃存、內存市場(chǎng)人事地震：長(cháng)江存儲、紫光存儲發(fā)聲
- 今天國產(chǎn)的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關(guān)人員要合并到長(cháng)江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報道。存儲芯片是近年來(lái)國產(chǎn)半導體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內存及閃存芯片超過(guò)1000億美元,份量極大,而紫光主導的幾家存儲公司是重點(diǎn),尤其是長(cháng)江存儲,去年首發(fā)量產(chǎn)了國產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱(chēng),紫光存儲公司解散,未來(lái)重點(diǎn)轉向DRAM內存,大部分員工正等著(zhù)長(cháng)江存儲挑選,沒(méi)有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認公司解散,但承認公司業(yè)務(wù)有所調整。紫光存儲表示
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2000億大基金二期3月底開(kāi)始投資 國產(chǎn)3D閃存仍是重點(diǎn)
- 為了扶植半導體發(fā)展,多部門(mén)推動(dòng)成立了“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規模高達2041億元,今年3月份將開(kāi)始實(shí)質(zhì)投資。此前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時(shí)發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開(kāi)投資公司為23家,累計有效投資項目達到70個(gè)左右。據報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個(gè)環(huán)節,其中67%的投資投向了半導體制造,包括
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美光3D XPoint存儲芯片量產(chǎn) 分析師：不影響Intel
- 3D閃存在2020年將全面升級到100+層堆棧,128層會(huì )是很多廠(chǎng)商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤(pán)的容量會(huì )進(jìn)一步增加,同時(shí)降低成本。不過(guò)新一代閃存的問(wèn)題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當年反感TLC閃存一樣。有沒(méi)有性能更強、可靠性更高的存儲芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲芯片,基于PCM相變存儲技術(shù),原理跟NAND閃存就不同,所以當時(shí)Intel、美光宣稱(chēng)它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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國內內存、閃存工廠(chǎng)生產(chǎn)正常Q1合約價(jià)小幅上漲
- 集邦科技旗下下半導體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報告,稱(chēng)國內的內存及閃存工廠(chǎng)并沒(méi)有受到疫情的影響,目前沒(méi)有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價(jià)已經(jīng)談完了,預計會(huì )小幅上漲。國內的存儲芯片工廠(chǎng)主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無(wú)錫的SK海力士?jì)却婀S(chǎng)、大連的Intel閃存工廠(chǎng)、西安的三星閃存工廠(chǎng),這些地方都遠離武漢,正常生產(chǎn)沒(méi)有受到影響。國產(chǎn)的存儲芯片工廠(chǎng)中,合肥長(cháng)鑫的內存工廠(chǎng)、福建晉華的內存工廠(chǎng)也同樣沒(méi)受到什么影響,只有紫光旗下的長(cháng)江存儲是在武漢的,不過(guò)
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(cháng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]
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