128層閃存:中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)
長(cháng)江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng )造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202004/412357.htm當前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數據是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。
中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開(kāi)始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。
在今天的第一季度財務(wù)會(huì )議期間,同樣來(lái)自韓國的SK海力士也確認,將會(huì )加速推進(jìn)128層3D閃存在今年第二季度投入大規模量產(chǎn)。
SK海力士目前的閃存主力是96層堆疊,128層技術(shù)遭在去年年中就已經(jīng)宣布,支持TLC、QLC兩種閃存類(lèi)型,當時(shí)號稱(chēng)堆疊密度、容量密度都是最高,單顆芯片容量1Tb(128GB),集成超過(guò)3600億個(gè)閃存單元。
SK海力士在去年底開(kāi)始小批量出貨128層閃存,今年初的CES上還展示了兩款使用這種閃存的高端SSD,型號分別為Gold P31、Platinum P31,都是M.2 22110形態(tài),采用自家主控,持續讀寫(xiě)最高3.5GB/s、3.2GB/s,最大寫(xiě)入壽命2TB/1500TBW。
接下來(lái),SK海力士還會(huì )沖擊176層閃存。
長(cháng)江存儲的128層閃存未透露具體量產(chǎn)時(shí)間,只說(shuō)在今年晚些時(shí)候。對此大家也不必過(guò)于苛求,認為長(cháng)江存儲只會(huì )講PPT、量產(chǎn)太慢之類(lèi)的。
一方面,從攻克技術(shù)到投入量產(chǎn),任何廠(chǎng)商都需要一定的時(shí)間,SK海力士的128層閃存可是去年年中就宣布了,現在仍未大規模量產(chǎn),前后耗時(shí)將近一年,長(cháng)江存儲即便到今年第四季度量產(chǎn)也不比這慢。
另一方面,我們在半導體行業(yè)的底子薄是有目共睹的,長(cháng)江存儲能從64層跨越發(fā)展到128層,從落后一代到比肩一流,這本身就堪稱(chēng)奇跡。
要不然,三星、SK海力士為何會(huì )紛紛表態(tài)要加速呢?
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