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閃存
閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區
3D閃存產(chǎn)能大提升！SSD停止漲價(jià)
- 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠(chǎng)面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。 而需求方面，手機、服務(wù)器、數據中心依然表現強勢。 不過(guò)，來(lái)自集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱(chēng)，在明年，NAND閃存的市場(chǎng)將達到一種穩態(tài)局面。其中，供給側的產(chǎn)能將提升42.9%，而需求側，增長(cháng)預計在37.7%。 目前在3D閃存方面，三星的轉產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開(kāi)始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠(chǎng)商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。 據悉，在明年的所
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如何選擇最佳汽車(chē)應用閃存
- 在過(guò)去幾年里，汽車(chē)應用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應用在信息娛樂(lè )和引擎控制等方面。然而，隨著(zhù)汽車(chē)電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車(chē)領(lǐng)域中的應用越來(lái)越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統 (ADAS)、數字儀表盤(pán)和信息娛樂(lè )等系統對NOR 閃存的市場(chǎng)需求迅猛增長(cháng)?！ 「呒夞{駛輔助系統 針對提高駕駛安全性的高級駕駛輔助系統 (ADAS) 的市場(chǎng)發(fā)展快速增長(cháng)。目前，大部分ADAS 應用主要是基于
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2017年全球存儲市場(chǎng)規模將達950億美元
- 日前，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )在深圳圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機會(huì )。峰會(huì )吸引全球近700家企業(yè)參會(huì )，其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì )，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數據應用等，參會(huì )觀(guān)眾超
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中國閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket正從價(jià)格基準向品質(zhì)基準擴展
- 9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )在深圳華僑城洲際酒店圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機會(huì )?！ ⊥瑫r(shí)，吸引全球近700家企業(yè)參會(huì )，其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì )，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數據應用等，當天
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CFM：原廠(chǎng)加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底
- 9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )除了齊聚國內外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導?！ ‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會(huì )，其中包括西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì )，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
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銀行債權人向東芝施壓：八月必須賣(mài)掉閃存業(yè)務(wù)
- 日本東芝公司已經(jīng)資不抵債，但是轉讓閃存業(yè)務(wù)的交易，卻陷入了泥潭，讓債權人、日本政府等頗為著(zhù)急。據外媒最新消息，東芝的主要債權人已經(jīng)向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業(yè)務(wù)的轉讓。 據日經(jīng)新聞等媒體報道，東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負資產(chǎn)企業(yè)，之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌，降級到了二板，如果明年財年結束時(shí)繼續資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。 據報道，東芝多家債權人銀行(也是長(cháng)期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉讓閃存業(yè)務(wù)的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結束之前，完成全部交
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東芝轉讓閃存業(yè)務(wù)進(jìn)展不順 日政府看不下去全面介入
- 由于財務(wù)狀況惡化，日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經(jīng)越來(lái)越近，但是時(shí)至今日，轉讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進(jìn)展卻并不順利。據外媒最新消息，面對東芝高管所表現出的領(lǐng)導無(wú)方，日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉讓交易中。 按照原定計劃，東芝準備把閃存芯片業(yè)務(wù)以大約180億美元的價(jià)格，轉讓給一個(gè)美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開(kāi)發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機構、美國貝恩資本、韓國海力士半導體，不過(guò)東芝的芯片業(yè)務(wù)合資伙伴西部數據，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見(jiàn)，并已經(jīng)述諸法律手段。 有消息稱(chēng)，由于和西部
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機械硬盤(pán)持續大幅滑坡 閃存將取代HDD存儲市場(chǎng)？
- 如今，機械硬盤(pán)持續大幅滑坡，這讓西數、希捷兩大廠(chǎng)商不得不做戰略轉型向SSD市場(chǎng)?！ ”娝苤?，機械硬盤(pán)(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業(yè)競爭也非常激烈。最后，全球的機械硬盤(pán)被西部數據、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購或直接淘汰?！ ≡谶@其中，東芝是最先轉型到固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域的，今年年初，據外媒報道，東芝方面吐露將不再考慮生產(chǎn)15KHDD新品?！ ≡賮?lái)看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠(chǎng)后，又低調的關(guān)閉了位于韓國的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機械硬盤(pán)。閃存市
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東芝存儲器株式會(huì )社開(kāi)發(fā)出世界首款QLC 3D閃存
- 存儲器解決方案全球領(lǐng)導者東芝存儲器株式會(huì )社今日宣布開(kāi)發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結構的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術(shù)的閃存設備，該技術(shù)使閃存設備的存儲容量較3位元(TLC)設備進(jìn)一步提高并推動(dòng)了閃存技術(shù)創(chuàng )新?！ 《辔辉獌却嫱ㄟ^(guò)管理每個(gè)獨立存儲單元中的電子數目來(lái)存儲數據。實(shí)現QLC技術(shù)帶來(lái)一系列技術(shù)挑戰，在相同電子數目下位元數目每增加一個(gè)，需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲器株式會(huì )社利用其先
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東芝變賣(mài)閃存業(yè)務(wù)“跳票” 股東們表示很失望
- 本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個(gè)巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個(gè)美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣(mài)閃存芯片業(yè)務(wù)，獲得急需的180億美元。 然而在周三的股東大會(huì )上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據法新社報道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。 東芝總裁綱川智周三表示，依然無(wú)法公布上一財年的財報，另外轉讓閃存業(yè)務(wù)的談判依然沒(méi)有結束。 在轉讓閃存業(yè)務(wù)方面，東芝已經(jīng)花費了太多的時(shí)間，效率之低下令股東十分不滿(mǎn)。日本權威媒體日經(jīng)新聞本周曾報道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務(wù)的接手方
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(cháng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]
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