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下半年閃存芯片行情疲軟:SSD價(jià)格或持續下滑

  •   TrendForce旗下專(zhuān)注存儲業(yè)追蹤和調研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場(chǎng)分析報告,稱(chēng)2018下半年,NAND Flash閃存市場(chǎng)的增長(cháng)潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升,市場(chǎng)會(huì )處在一種供需平衡的局面,從而自然延續NAND Flash合同價(jià)的下降趨勢?! 蟾娣Q(chēng),由于處于傳統的淡季和產(chǎn)能拉升期,所以在上半年,閃存市場(chǎng)已經(jīng)觀(guān)察到了連續兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢下,一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的擴張,以避免價(jià)格走到崩盤(pán)的
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賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案,助力汽車(chē)及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應用

  • 全球領(lǐng)先的嵌入式系統解決方案提供商賽普拉斯半導體公司(納斯達克代碼:CY)日前宣布,正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域,為用戶(hù)提供業(yè)內最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構和設計旨在打造無(wú)故障嵌入式汽車(chē)安全系統,是首款符合ISO 26262 功能性安全標準的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車(chē)行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標準,在汽車(chē)和工業(yè)的極端溫度應用環(huán)境中,仍可以提供卓越的耐用性和數據留存能力。
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閃存陣營(yíng)戰火起,2018誰(shuí)爭鋒!

  •   分析師從中整理出一些有趣的現象。   華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷(xiāo)售競爭當中可謂橫空出世,較上年同期飆升十倍。與此同時(shí),NetApp的A系列產(chǎn)品銷(xiāo)售額亦增長(cháng)超過(guò)四倍。   當然,這兩輪飛躍主要源自相對較小的原有銷(xiāo)售份額——分別為730萬(wàn)美元與4680萬(wàn)美元。不過(guò)增長(cháng)是實(shí)實(shí)在在的,如今華為公司銷(xiāo)售額已經(jīng)達到8410萬(wàn)美元,這意味著(zhù)買(mǎi)家完全能夠給今天新興廠(chǎng)商一些機會(huì )。   相關(guān)數據來(lái)自NetApp公司的分析師日活動(dòng),并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
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三星閃存工廠(chǎng)突發(fā)停電30分鐘:6000片晶圓報廢

  •   閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車(chē)道上,智能手機、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、數據中心等需求廣闊,極大推進(jìn)了發(fā)展。不過(guò),Digitimes 3月14日發(fā)回報道,3月9日,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠(chǎng)出現停電事故,TechNews預計損失相當于3月份的全球供應的3.5%。   雖然停電僅持續了半小時(shí),但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星3月產(chǎn)量的11%。   三星方面則表示,備用電源(設計為20分鐘)的有效啟動(dòng)應對了突發(fā)狀況,所以不會(huì )對閃存運營(yíng)造成顯著(zhù)影響。   據DRAMeXchange(集
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東芝閃存業(yè)務(wù)無(wú)法在三月底賣(mài)出

  •   去年,日本東芝公司和美國貝恩資本領(lǐng)軍的財團達成協(xié)議,以180億美元變賣(mài)寶貴的閃存芯片業(yè)務(wù)。據外媒最新消息,這一交易無(wú)法在預期的三月底(本財年結束)獲得通過(guò),但這將是東芝的一個(gè)好消息,東芝有望獲得更高的賣(mài)價(jià),或選擇上市。   據彭博社引述消息人士報道,目前中國政府相關(guān)部門(mén)正在審核東芝轉讓閃存業(yè)務(wù)的交易,目前仍然未批準,另外在三月底之前通過(guò)審批的可能性不大。   日本一位科技行業(yè)分析師表示,東芝在三月底之前完成這一交易的可能性非常微小,中國相關(guān)機構不太可能執行一個(gè)有利于東芝公司的時(shí)間表。   東芝是
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中國閃存廠(chǎng)商與蘋(píng)果合作可望在該領(lǐng)域迅速取得成功

  •   據外媒報道指蘋(píng)果正與中國閃存廠(chǎng)商長(cháng)江存儲商談采用后者生產(chǎn)的NAND flash芯片,后者預計今年底開(kāi)始投產(chǎn)NAND flash芯片,剛剛投產(chǎn)就能獲得蘋(píng)果這個(gè)大客戶(hù)的青睞將有助于后者迅速在該領(lǐng)域取得成功。     閃存領(lǐng)域需要新的競爭者   在過(guò)去十幾年,在NAND flash領(lǐng)域占據優(yōu)勢的是三星、東芝等閃存廠(chǎng)商,幾大廠(chǎng)商合計占有全球NAND flash市場(chǎng)份額高達80%,在這些廠(chǎng)商當中,三星以近四成的市場(chǎng)份額占有該市場(chǎng)第一位的市場(chǎng)份額。   過(guò)去幾年由于PC從傳統機械硬盤(pán)轉換為閃
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未來(lái)企業(yè)級閃存市場(chǎng)發(fā)展前景依然強勁

  •   近日,根據一份來(lái)自IDC最新的有關(guān)企業(yè)級SSD閃存市場(chǎng)的報告顯示,SSD企業(yè)級市場(chǎng)未來(lái)前景依然強勁,2016年到2021年期間,出貨量、收入和總出貨容量預計都會(huì )呈現顯著(zhù)增長(cháng)。IDC預計全球SSD出貨量的5年復合年增長(cháng)率將達到15.1%。SSD行業(yè)收入預計到2021年達到336億美元,復合年增長(cháng)率為14.8%。   SSD市場(chǎng)前景改善的關(guān)鍵因素是產(chǎn)品可用性的提升,以及更好的定價(jià)動(dòng)態(tài),因為整個(gè)行業(yè)都在向3D NAND閃存過(guò)渡。IDC認為,目前NAND閃存供應的限制將在2018年開(kāi)始減少,并進(jìn)一步推動(dòng)整個(gè)
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投資機構稱(chēng)2018年半導體需求將放緩 良好業(yè)績(jì)難再重現

  •   半導體指數在兩年的上漲中上漲了92%。   投資者應該有選擇性地選擇證券,并關(guān)注需求放緩。        分析人士認為,不要指望今年半導體類(lèi)股的領(lǐng)先市場(chǎng)表現會(huì )在2018年重演。   盡管近期出現拋售,費城半導體指數自2016年初以來(lái)已經(jīng)上漲了92%,并有望連續第二年超過(guò)所有11個(gè)標準普爾板塊,這是由于獲利增加和前所未有的整合期。   盡管這一趨勢并沒(méi)有令分析師們感到悲觀(guān),但一些分析師建議投資者要謹慎選擇,并警惕需求放緩和庫存水平上升的跡象。   以下是分析師對2018年的看
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紫光集團:32層64G三維閃存芯片明年將實(shí)現量產(chǎn)

  •   紫光集團董事長(cháng)趙偉國近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì )表示,近年來(lái),紫光集團把企業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)聚焦在了集成電路上。在移動(dòng)領(lǐng)域,紫光現在每年向全球提供的手機芯片超過(guò)7億部套片;在存儲領(lǐng)域,紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權的三維閃存芯片,明年將實(shí)現量產(chǎn)。
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三星量產(chǎn)512GB閃存,Galaxy S9容量有望翻倍

  •   三星宣布512GB閃存已進(jìn)入量產(chǎn),意謂著(zhù)明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機儲存容量有望從當前最大256GB翻倍成長(cháng)。   512GB閃存主要因應4K超高分辨率影片的錄制需求增加,據三星表示,新內存芯片可容納130個(gè)10分鐘4K短片。 (日經(jīng)新聞)   三星從2015年開(kāi)發(fā)出128GB內存以來(lái),已連續三年將內存逐年倍增,成功將3D 64層閃存商業(yè)化。 展望未來(lái),三星將再推出96層3D堆棧閃存。   目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機種,不過(guò)三
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內存/閃存行業(yè)周期即將逆轉,存儲器芯片景氣或觸頂

  • 自2016年一季度以來(lái)半導體行業(yè)所享受的強勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權難以為繼,NAND閃存超級周期料將發(fā)生逆轉。
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c行業(yè)周期即將逆轉,存儲器芯片景氣或觸頂

  •   摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著(zhù)成長(cháng)為由,將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權重”,目標價(jià)下修3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出,隨著(zhù)NAND型快閃存儲器報價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉,下行風(fēng)險隨之升高;在此同時(shí),2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。自2016年一季度以來(lái)半導體行業(yè)所享受的強勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權難以為繼,N
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手機行業(yè)綜合發(fā)展指數連續兩年增長(cháng)

  •   2017年9月5日,工信部首次發(fā)布《中國電子信息產(chǎn)業(yè)綜合發(fā)展指數研究報告》,其中電子信息制造業(yè)綜合指數專(zhuān)門(mén)針對我國產(chǎn)業(yè)進(jìn)行規模、效益、研發(fā)、環(huán)境等全方位的評價(jià),并包括全國、分地區和分行業(yè)三大細分指數。行業(yè)綜合發(fā)展指數主要通過(guò)我國與全球同行業(yè)比較的方式,明確我國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平和特點(diǎn),手機行業(yè)作為了行業(yè)綜合發(fā)展指數評價(jià)的首個(gè)領(lǐng)域。   2016年,手機行業(yè)綜合發(fā)展指數132分,相比2015年分數提升20%,呈現連續兩年增長(cháng)的態(tài)勢。其中除產(chǎn)業(yè)效益指標得分相比2015年有所下降外,其他四個(gè)一級指標均呈現上漲
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Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

  • Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟-什么是閃存?閃存的存儲單元為三端器件,與場(chǎng)效應管有相同的名稱(chēng):源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,用來(lái)保護浮置柵極中的電荷不會(huì )泄漏。
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內存顆粒漲價(jià)狂潮,來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細節

  • 內存顆粒漲價(jià)狂潮,來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細節-2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合Intel公司的NOR多層單元(MLC)閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng )新性,并且在兩個(gè)母公司強大的IP庫支持下,IMFT在同一年推出的第一個(gè)產(chǎn)品就讓市場(chǎng)深受震動(dòng)。
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閃存 介紹

【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長(cháng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位,區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě),這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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