聯(lián)華電子與SuVolta 宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

　　聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta與聯(lián)華電子正密切合作利用DDC晶體管技術(shù)的優(yōu)勢來(lái)降低泄漏功耗，并提高SRAM的低電壓效能。

　　這兩家公司還宣布該工藝技術(shù)將提供高度靈活的采用方式：

　　· “DDC PowerShrink™低功耗平臺”選項：所有晶體管都使用DDC技術(shù)以實(shí)現最佳功耗與效能優(yōu)勢;

　　· “DDC DesignBoost晶體管調換”選項：用DDC晶體管取代現有設計中部分晶體管。該選項的典型應用是用DDC晶體管取代泄漏功耗大的晶體管來(lái)降低泄漏，或者取代SRAM位單元晶體管從而提高效能并降低最低工作電壓(Vmin)

　　聯(lián)華電子先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)部副總裁游萃蓉表示：“在接下來(lái)的幾周或者幾個(gè)月，我們期待看到聯(lián)華電子與SuVolta聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù)有良好的結果，從而進(jìn)一步驗證DDC技術(shù)為我們的28納米 HKMG工藝帶來(lái)的功耗與效能優(yōu)勢。通過(guò)將SuVolta的先進(jìn)技術(shù)引進(jìn)到我們的HKMG工藝上，聯(lián)華電子將提供28納米移動(dòng)計算工藝平臺，以完善我們現有的Poly-SiON及HKMG技術(shù)。”

　　SuVolta總裁兼首席執行官Bruce McWilliams博士表示：“聯(lián)華電子與SuVolta團隊繼續將DDC技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米工藝，取得優(yōu)秀的進(jìn)展。通過(guò)合作，我們開(kāi)發(fā)的工藝使得聯(lián)華電子客戶(hù)的設計易于移植。此外，SuVolta為業(yè)界提供選擇，以替代昂貴而復雜的工藝技術(shù)，從而推動(dòng)未來(lái)移動(dòng)器件的發(fā)展。”