安森美推出9款新的高能效方案
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應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充N(xiāo)GBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案?！ ?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/138118.htm
這些新器件提升系統總體開(kāi)關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導體現有超過(guò)30款的IGBT產(chǎn)品系列中，將產(chǎn)品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產(chǎn)品中包含專(zhuān)門(mén)針對太陽(yáng)能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
安森美半導體功率分立產(chǎn)品高級總監兼總經(jīng)理John Trice說(shuō)：“全球能耗的大幅增加及對經(jīng)濟及環(huán)境預計帶來(lái)的不利影響，持續推動(dòng)對更高性能功率分立元器件的需求。這些新一代器件在提供高性?xún)r(jià)比及業(yè)界領(lǐng)先能效的同時(shí)無(wú)損強固性。安森美半導體專(zhuān)有的溝槽型場(chǎng)截止技術(shù)能為工程師在應用其電源系統設計時(shí)提供更豐富的選擇。”
第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產(chǎn)品采用強固及高性?xún)r(jià)比的溝槽型技術(shù)結構，為高頻開(kāi)關(guān)應用提供優(yōu)異的性能。低開(kāi)關(guān)損耗及超快恢復二極管使它們非常適合于高頻太陽(yáng)能、UPS及逆變焊機應用。這些器件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款器件均經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化，用于頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開(kāi)關(guān)應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門(mén)電荷(Qg)特性，并具備超快恢復能力，提供極低開(kāi)關(guān)損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT器件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。
第二組新器件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場(chǎng)截止IGBT器件陣容，將產(chǎn)品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極管，用于低頻(2 – 20 kHz)硬開(kāi)關(guān)應用，如電機控制變頻應用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些器件具有均衡的開(kāi)關(guān)及導電損耗，用于中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開(kāi)關(guān)應用，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。
封裝及價(jià)格
NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無(wú)鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價(jià)分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。
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