IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺采用IR的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節能應用提供卓越性能?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/139159.htm

　　全新的Gen8設計可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“通過(guò)開(kāi)發(fā)全新基準技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺，彰顯出IR在數十年來(lái)致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達提供百分之百變頻，以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境。”

　　新技術(shù)針對電機驅動(dòng)應用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過(guò)壓，從而提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺的參數分布較窄，在高電流功率模塊內并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí)，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達到175°C的最高結溫。

　　潘大偉補充道：“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供卓越技術(shù)。該IGBT平臺憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開(kāi)關(guān)功能，使工業(yè)市場(chǎng)中的艱巨難題迎刃而解。”

　　產(chǎn)品規格
       

　　產(chǎn)品供應

　　IR Gen8 1200V IGBT平臺的樣本已開(kāi)始提供給各大原始設備制造商 (OEM) 及原始設計制造商 (ODM) 合作伙伴。