國產(chǎn)IGBT廠(chǎng)商開(kāi)始小批量銷(xiāo)售

　　“十二五”規劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節能減排”工作也深入開(kāi)展，中國開(kāi)始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專(zhuān)項中提供多方位的支持。

　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。