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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

三菱電機銳意成為功率半導體市場(chǎng)的全球霸主

  • 三菱電機董事技術(shù)總監Gourab Majumdar博士日前在PCIM亞洲2012展上會(huì )見(jiàn)了記者，深入交流了三菱電機未來(lái)的稱(chēng)霸計劃，并回答了記者的提問(wèn)。
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三菱電機在PCIM亞洲展上大放異彩

  • 三菱電機最新開(kāi)發(fā)的新MPD系列IGBT模塊，在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相，大受業(yè)內人士歡迎。新MPD系列非常適合水冷散熱設計，是一款散熱性能好、可靠性強的大電流功率模塊。
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采用HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT三相逆變器系統解決方案

  • 逆變器系統的開(kāi)發(fā)步驟　　用于HybridPACK2的HybridKIT的完整結構圖如圖1所示。HybridPACK2是一種典型的支持三相逆變器的6管IGBT產(chǎn)品。設計中需考慮的主要事項和挑戰如下：　　逆變器系統采用的直流母線(xiàn)支撐電容，提供
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IGBT在不間斷電源中的應用

  • 1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設計的
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基于IGBT的固態(tài)高壓脈沖電源的研究與設計

  • 摘要：由于脈沖電源有斷續供電的特性，在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應用，其中高壓脈沖電源是系統的核心組成部分。為了獲取高重復頻率、陡前沿高壓脈沖電源，文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統主要由高壓直流
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新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應用中的損耗分析

  • 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
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英飛凌與富士就HybridPACK 2功率模塊達成協(xié)議

  • 富士電子有限公司和芯片廠(chǎng)商英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)攜手為混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)提供功率模塊。這兩家公司于近日在PCIM歐洲展會(huì )(地點(diǎn)：德國紐倫堡;時(shí)間：2012年5月8日至10日)上宣布，雙方達成一項協(xié)議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開(kāi)發(fā)汽車(chē)IGBT功率模塊。為滿(mǎn)足混合動(dòng)力汽車(chē)的功率模塊的供電安全需求，英飛凌與富士就模塊的尺寸、輸出引腳的位置、針翅銅基板的應用，以及其他機械特性達成一致。該協(xié)議包含HybridPACK 2模塊——額定電壓和電流
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IGBT系統的介紹

  • IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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針對HEV/EV市場(chǎng)的IGBT模塊仿真工具Ansoft

  • 面對高度競爭化的混合動(dòng)力車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)(HEV/EV)市場(chǎng)，動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統效率、穩定性和可靠性挑戰。功率逆變器在動(dòng)力集成系統中至關(guān)重要，通常由6個(gè)4times;6英寸封裝的IGBT模塊組成。這些IGBT模塊
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IR推出600V超高速開(kāi)關(guān)、耐用高頻IGBT

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出高度創(chuàng )新的600V車(chē)用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動(dòng)車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力車(chē) (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應用，包括車(chē)載直流-直流轉換器、電機驅動(dòng)器、電池充電器等。
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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)

  • 1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀80年代問(wèn)世以來(lái)，由于其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應用。然而，由于半導體器件本身的材料和結構原因，IG
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安森美半導體推出高性能場(chǎng)截止型IGBT

  • 應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的場(chǎng)截止型(Field Stop) 絕緣門(mén)雙極結晶體管(IGBT)，目標應用為工業(yè)電機控制及消費類(lèi)產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用于高性能電源轉換方案，適合多種要求嚴格的應用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應用。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  IGBT  NGTB15N120  

采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車(chē)功率IGBT模塊

  • 混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車(chē)型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開(kāi)關(guān)，到目前為止，大功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品因為成本高，可靠性達不到汽車(chē)應用的期望，而無(wú)法適
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IGBT-汽車(chē)點(diǎn)火系統中的佼佼者

  • 新一代點(diǎn)火系統IGBT為火花塞系統的線(xiàn)圈度身定制，正快速成為主流點(diǎn)火拓撲結構。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無(wú)需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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智能IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統中的應用

  • 要產(chǎn)生火花，你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線(xiàn)圈)，以及用于控制變壓器初級電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt。因此，如果線(xiàn)圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大)，初級繞組上將產(chǎn)生高
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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