英飛凌與中芯國際合作擴展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域

     英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現有合作，開(kāi)始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。 
       根據新協(xié)議的內容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉讓于中芯國際，并可以在未來(lái)期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內的產(chǎn)品。預計在2006年中期完成產(chǎn)品的最終驗證之后，中芯國際將開(kāi)始將其目前用于英飛凌110納米DRAM產(chǎn)品的300毫米生產(chǎn)線(xiàn)轉移至90納米產(chǎn)品之上。 
       “我們與中芯國際的合作起步于2002年十二月，此次的擴展協(xié)議將進(jìn)一步增大我們現有的生產(chǎn)合作協(xié)議內容，從而可以在無(wú)需投資修建新生產(chǎn)線(xiàn)的前提下繼續拓展我們的DRAM 業(yè)務(wù)” 
，英飛凌科技股份有限公司管理董事會(huì )成員兼英飛凌存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)集團總裁羅建華（Kin Wah Loh）先生表示。 “中芯國際是我們在中國和亞洲的核心合作伙伴。我們希望繼續仰仗他們?yōu)橛w凌提供具有高效益的最佳生產(chǎn)制造解決方案”。