新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布

    Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會(huì )議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中，描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項－使用傳統大量CMOS制程技術(shù)與45納米設計規則，在量產(chǎn)條件下建構面積小于0.25平方微米的6晶體管結構SRAM單元。 

　　Crolles2是由飛思卡爾半導體、飛利浦、意法半導體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線(xiàn)曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示了該聯(lián)盟作為業(yè)界領(lǐng)先的65納米及45納米CMOS設計節點(diǎn)之最大研發(fā)聯(lián)盟的成功地位。 

　　Crolles2聯(lián)盟表示，以創(chuàng )新與技術(shù)領(lǐng)先為基礎，我們已成功地展示了在45納米節點(diǎn)生產(chǎn)功能電路與超高密度SRAM單元的能力。

　　這個(gè)先進(jìn)的Crolles2晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始試產(chǎn)300毫米晶圓的90納米CMOS組件，并預計在2005年生產(chǎn)65納米CMOS的原型。而最新發(fā)布的45納米技術(shù)，則是邁向新一代量產(chǎn)制程技術(shù)的關(guān)鍵。