英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì )上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。

　　英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點(diǎn)，考慮到成本效益，它已可用于不同應用。不過(guò)，為了讓這一新的半導體技術(shù)成為可以依靠的革命性技術(shù)，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應用量身定制產(chǎn)品、我們的生產(chǎn)能力、對技術(shù)組合和系統的全面了解：這四大優(yōu)勢使我們成為功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導者。依托英飛凌碳化硅產(chǎn)品組合，我們希望并且能夠達成這一目標?！?/p>

　　全新1200 V碳化硅MOSFET已進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)具備高可靠性與性能優(yōu)勢。其動(dòng)態(tài)功率損耗要比1200V硅(Si)IGBT低一個(gè)數量級。首批產(chǎn)品將主推光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和充電/儲電系統等應用。不久的將來(lái)推出的新型號，也將為打造適用于工業(yè)變頻器、醫療設備或鐵路設備輔助電源的革命性解決方案創(chuàng )造條件。

　　1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的工作時(shí)間失效(FIT)率和有效的短路能力，可適應不同的應用。得益于4 V的閾值電壓(Vth)和+15 V的推薦接通閾值(VGS))，這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉。碳化硅MOSFET可以實(shí)現高速開(kāi)關(guān)，另外，英飛凌碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過(guò)柵極電阻調節來(lái)改變開(kāi)關(guān)速度，因此，可以輕松優(yōu)化EMC性能。

　　早在去年，英飛凌就已推出主導產(chǎn)品EASY 1B(半橋/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產(chǎn)品。EASY 1B平臺十分成熟，是實(shí)現快速開(kāi)關(guān)器件的理想模塊平臺。在今年的PCIM展會(huì )上，英飛凌將展出基于1200 V SiC MOSFET技術(shù)的其他模塊平臺和拓撲。它們將逐步擴大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括：

　　采用B6(Six-Pack)拓撲的EASY 1B：該模塊的特點(diǎn)是成熟的英飛凌模塊配置，導通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續流功能。該EASY 1B適用于傳動(dòng)、太陽(yáng)能或焊接技術(shù)領(lǐng)域的應用。

　　采用半橋拓撲的EASY 2B：這個(gè)較大的EASY器件，其性能增強，每個(gè)開(kāi)關(guān)的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過(guò)50 kW和快速開(kāi)關(guān)應用的理想選擇，比如太陽(yáng)能逆變器、快速充電系統或不間斷電源解決方案等。

　　采用半橋拓撲的62 mm：附加的半橋配置，具備更大功率，每個(gè)開(kāi)關(guān)功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統實(shí)現低電感連接創(chuàng )造了條件。這一特性適合諸多應用，包括醫療設備或鐵路設備的輔助電源等。由于有大量潛在應用，英飛凌預計該模塊將迅速普及。

　　供貨

　　在2016年P(guān)CIM上推出的旗艦產(chǎn)品EASY 1B和兩個(gè)分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin，今年將逐步開(kāi)始批量生產(chǎn)。EASY 1B半橋配置現已開(kāi)始供貨。為支持其市場(chǎng)發(fā)布，英飛凌同步推出了多種驅動(dòng)模塊和演示板，這些模塊和演示板也從現在起開(kāi)始供貨。新產(chǎn)品型號已開(kāi)始提供樣片，計劃于2018年開(kāi)始批量生產(chǎn)。