拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買(mǎi)設備

　　記憶體大廠(chǎng)整軍經(jīng)武，準備展開(kāi)新一波大戰!據傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買(mǎi)設備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉進(jìn)新制程，拉高戰力。

　　韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠(chǎng)爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據了解，由2D轉進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設備。據了解，三星最早量產(chǎn)3D NAND Flash，目前正在擴充西安3D NAND Flash廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)，盼將堆疊層數從32層提高到48層。與此同時(shí)，SK海力士也增加投資，預定今年下半量產(chǎn)3D NAND Flash，將打造36層的3D NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)。

　　DRAM方面，今年下半，三星擬把20 奈米 DRAM制程比重提高到20%，SK海力士則要將25奈米DRAM制程比重提高至60%。為了轉進(jìn)新制程，兩家公司都將大肆采購。

　　南韓媒體中央日報日文版甫于6月19日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振3D架構的NAND型快閃記憶體 (Flash Memory)需求呈現急速增長(cháng)，故三星計畫(huà)把生產(chǎn) 3D NAND的中國西安半導體工廠(chǎng)產(chǎn)量較現行擴增50%。報導指出，據熟知 三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠(chǎng)晶圓月產(chǎn)量為4-5萬(wàn)片，而三星計畫(huà)于今(2015)年底前將其產(chǎn)量提高5成(增加2萬(wàn)片)至6-7萬(wàn)片。

　　barron`s.com 6月23日報導，雖然美光與英特爾(Intel Corp.)已在3月發(fā)表最新3D NAND技術(shù)，還宣稱(chēng)廠(chǎng)房已開(kāi)始投產(chǎn)、預計今年底就會(huì )產(chǎn)能全開(kāi)，但瑞士信貸分析師Keon Han與團隊發(fā)表研究報告指出，三星在3D NAND領(lǐng)域擁有獨特優(yōu)勢，因為該公司可將3D NAND直接賣(mài)回給自己，而在客戶(hù)需求前景較為穩定下，三星能夠直接打造全新的3D NAND廠(chǎng)房，不需要像競爭對手那樣把舊有廠(chǎng)房升級來(lái)節省成本。瑞信認為，三星未來(lái)2年在3D NAND市場(chǎng)都不會(huì )面臨太多競爭。

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