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半導體(st)應用軟件
半導體(st)應用軟件 文章 進(jìn)入半導體(st)應用軟件技術(shù)社區
扶持半導體新政臨產(chǎn) 定框架出口仍退稅
- 有望下半年出臺,大體框架已定,部分細節出爐,新政策的出臺將使國內半導體業(yè)獲得更大利好?!皣曳龀职雽w產(chǎn)業(yè)的新政策有望在今年下半年正式出臺,目前大體框架已經(jīng)確定?!敝袊雽w行業(yè)協(xié)會(huì )理事李珂本周在接受記者采訪(fǎng)時(shí)透露。據了解,這部將由國家發(fā)改委頒布的《半導體產(chǎn)業(yè)鼓勵條例》與18號文件最大的區別在于增值稅不再退稅,而是采用專(zhuān)項扶持基金等其他幾項扶持政策來(lái)加大對企業(yè)的扶持力度,而同時(shí)出口稅部分依然進(jìn)行退稅的優(yōu)惠政策。 新政策將“涵蓋”18號文件 2000年6月,為鼓勵我國發(fā)展軟件及半導體產(chǎn)業(yè),國家出臺了18號文
- 關(guān)鍵字: 半導體 退稅
專(zhuān)家稱(chēng)內地芯片建廠(chǎng)成功率低 半數夭折
- 7月12日消息,據港臺媒體報道,日前在美國半導體設備材料展覽會(huì )上,國際著(zhù)名半導體協(xié)會(huì )SEMI China專(zhuān)家對外表示,中國大陸建設芯片廠(chǎng)的成功率未過(guò)半數,許多企業(yè)面臨中途夭折。 SEMI中國區市場(chǎng)分析師倪兆明日前在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示,未來(lái)地方政府在投資半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中將扮演關(guān)鍵角色。他說(shuō),盡管中國大陸表示未來(lái)將興建20座芯片廠(chǎng),但他強調,中國大陸過(guò)去7年來(lái)芯片建廠(chǎng)成功率僅為40%,許多企業(yè)正面臨資金難關(guān)而可能中途夭折。 Gartner副總裁吉姆-沃克
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國家扶持IC產(chǎn)業(yè)新政策細節首次曝光
- 7月5日,中國半導體工業(yè)協(xié)會(huì )官員在上海接受美國EET記者采訪(fǎng)時(shí)透露,國家新的扶持IC產(chǎn)業(yè)的政策已經(jīng)制定完畢,將于今年下半年正式出臺,以替代2005年被停止的,違反WTO規則的上一個(gè)版本。 舊版政策規定對國內半導體制造商采取退稅政策。2005年因美國半導體產(chǎn)業(yè)嚴重不滿(mǎn),通過(guò)中美談判中止了該政策,但新版政策一直沒(méi)有出臺。 新政策要點(diǎn)如下: 1、對于研發(fā),采取信貸和減稅的復合優(yōu)惠政策 2、對用于IC的固定資產(chǎn)免稅 3、對半導體設計安排專(zhuān)項資
- 關(guān)鍵字: IC 半導體
全球五月芯片銷(xiāo)售同比增9.4%
- 據國外媒體報道,美國半導體工業(yè)協(xié)會(huì )日前發(fā)布了“世界半導體貿易統計機構”統計的數據。數據顯示,全球五月份的半導體銷(xiāo)售收入達到了197.5億美元,比去年同期增長(cháng)了9.4%。 需要指出的是,該機構的統計數據采用的是“移動(dòng)平均值”,即五月份的銷(xiāo)售實(shí)際指的是4、5、6三月的平均銷(xiāo)售收入。和今年四月份相比,半導體銷(xiāo)售則環(huán)比增長(cháng)了0.7%。 據美國半導體工業(yè)協(xié)會(huì )發(fā)布的數據,今年第一季度,半導體銷(xiāo)售比去年第
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二季度半導體存貨問(wèn)題猶存 在可控范圍內
- 雖然業(yè)內預計電子產(chǎn)品供應渠道中過(guò)剩的半導體存貨在第二季度結束的時(shí)候將達到13億美元,比第一季度增加11%,但是市場(chǎng)研究公司iSuppli公司相信這部分過(guò)剩的存貨還不足以提高警報的等級。 ISuppli公司稱(chēng),目前的存貨數量仍在預期的范圍和可控制范圍之內。目前的過(guò)剩存貨的增長(cháng)似乎僅限于電腦供應渠道。 預計第三季度的過(guò)剩存貨不會(huì )發(fā)生較大幅度的增長(cháng)。 當2006年第二季度結束的時(shí)候,盡管存貨數量有所
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半導體市場(chǎng)仍不會(huì )出現殺手級應用
- 6月25日消息,據中國臺灣媒體報道,臺積電全球營(yíng)銷(xiāo)副總裁Kenneth Kin日前表示,在未來(lái)5-10年內,全球半導體市場(chǎng)仍將保持適度增長(cháng)態(tài)勢。 據中國臺灣媒體digitimes報道,Kenneth Kin稱(chēng),目前半導體市場(chǎng)的增長(cháng)勢頭將一直持續到2015年。但在該期間內,半導體市場(chǎng)不會(huì )出現“殺手級”應用。因此,不要指望半導體市場(chǎng)會(huì )出現大幅度增長(cháng)。 Kin說(shuō),當前,半導體市場(chǎng)正處在協(xié)同階段,在一些成熟市
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美半導體協(xié)會(huì )建言美政府取消管制
- 美國剛剛放出將放寬對華高科技產(chǎn)品出口的風(fēng)聲,身處技術(shù)前沿的美國半導體行業(yè)就做出了回應。昨天,美國半導體協(xié)會(huì )總裁喬治
- 關(guān)鍵字: 半導體
ST推出世界第一個(gè)全集成的GPS低噪放大器IC
- 新的單片低噪放大器,功能性更強,射頻性能更加優(yōu)異,封裝尺寸更小 意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)日前擴大了該公司硅單片微波集成電路(MMIC)放大器產(chǎn)品系列,新推出一個(gè)為具有GPS功能的電子設備設計的單片放大器IC。 新產(chǎn)品SMA661AS是第一個(gè)集成匹配網(wǎng)絡(luò )和嵌入省電功能的低噪放大器芯片,由于只需一個(gè)外部輸入電容,新IC大幅度降低了材料成本和PCB板占用空間,是一個(gè)理想的成本低廉的尺寸緊湊的GPS低噪放大器(LNA)。 這個(gè)全集成的SMA661AS采用ST先進(jìn)的70GHz硅鍺BiCMOS制造工藝
- 關(guān)鍵字: ST 放大器 模擬IC 電源
ST推出微型封裝USB 2.0接口ESD保護IC
- 意法半導體日前推出一個(gè)低電容的ESD保護IC,該產(chǎn)品現有SOT-666和SOT-23兩種微型封裝,用于保護USB 2.0高速接口的兩條數據線(xiàn)路和電源軌。新產(chǎn)品USBLC6-2P6 (SOT-666) 和 USBLC6-2SC6 (SOT-23)的典型電容2.5pF,能夠確保480-Mbit/s數據傳輸速率的USB 2.0信號沒(méi)有任何失真,這兩款產(chǎn)品的防靜電放電防護電壓達到IEC61000-4-2 第4級15kV標準。 USBLC6實(shí)現了
- 關(guān)鍵字: ST USB 2.0 通訊與網(wǎng)絡(luò ) 封裝
ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應晶體管導通電阻
- 意法半導體日前針對汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應MOS晶體管,該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專(zhuān)利技術(shù),實(shí)現了最低的導通電阻。 據介紹,STD95N04是一個(gè)40V標準電平的DPAK產(chǎn)品,最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ,專(zhuān)門(mén)為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動(dòng)器和ABS設計的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區間內,能夠滿(mǎn)足標準閾壓的驅動(dòng)要求。STD95N04符合汽車(chē)電工理事會(huì )組件技術(shù)委員會(huì )針對汽車(chē)環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作
- 關(guān)鍵字: ST 車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應晶體管 電源技術(shù) 電阻 電位器
ST新一代多片手機NAND閃存滿(mǎn)足多媒體
- 意法半導體(ST)日前推出一個(gè)多片封裝(MCP)的存儲器產(chǎn)品組合,該系列產(chǎn)品是為滿(mǎn)足第三代手機和CDMA以及便攜消費產(chǎn)品的多媒體應用需求而設計,這類(lèi)產(chǎn)品要求在更小的空間內提供更大的存儲容量。新IC在同一封裝內整合了密度達1Gbit的NAND閃存和512Mbit PSDRAM(低功耗同步動(dòng)態(tài)RAM存儲器),因為是與芯片組工具和操作系統廠(chǎng)商合作開(kāi)發(fā),所以能夠符合手機制造商的需求,并兼容市場(chǎng)上主要的手機平臺。 市場(chǎng)對第三代手機的多媒體應用的需求日益提高,目前的機型都具有拍照、攝像和播放以及上網(wǎng)功
- 關(guān)鍵字: NAND閃存 ST 電源技術(shù) 移動(dòng)多媒體
ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應晶體管導通電阻
- 意法半導體日前針對汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應MOS晶體管,該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專(zhuān)利技術(shù),實(shí)現了最低的導通電阻。 據介紹,STD95N04是一個(gè)40V標準電平的DPAK產(chǎn)品,最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ,專(zhuān)門(mén)為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動(dòng)器和ABS設計的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區間內,能夠滿(mǎn)足標準閾壓的驅動(dòng)要求。STD95N04符合汽車(chē)電工理事會(huì )組件技術(shù)委員會(huì )針對汽車(chē)環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作
- 關(guān)鍵字: ST 導通電阻 模擬技術(shù) 效應晶體管 電阻 電位器
半導體(st)應用軟件介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條半導體(st)應用軟件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對半導體(st)應用軟件的理解,并與今后在此搜索半導體(st)應用軟件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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