ST車(chē)用大電流功率場(chǎng)效應晶體管導通電阻

　　意法半導體日前針對汽車(chē)市場(chǎng)推出新的大電流功率場(chǎng)效應MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專(zhuān)利技術(shù)，實(shí)現了最低的導通電阻。

　　據介紹，STD95N04是一個(gè)40V標準電平的DPAK產(chǎn)品，最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ，專(zhuān)門(mén)為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動(dòng)器和ABS設計的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區間內，能夠滿(mǎn)足標準閾壓的驅動(dòng)要求。STD95N04符合汽車(chē)電工理事會(huì )組件技術(shù)委員會(huì )針對汽車(chē)環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃，100%通過(guò)雪崩測試。 

　　STripFET技術(shù)以密度大幅度提高的單元為基礎，導通電阻和功耗比上一代技術(shù)更低，占用的硅片面積更少。正在開(kāi)發(fā)的其它的功率場(chǎng)效應MOS晶體管將采用相同的技術(shù)，以滿(mǎn)足DPAK和D2PAK的需求。

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