鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內存芯片
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鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱(chēng)下一代30nm制程級別的同類(lèi)產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開(kāi)始研制。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/106043.htm
兩家廠(chǎng)商預計將于今年第二季度開(kāi)始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。
兩家廠(chǎng)商宣稱(chēng)其42nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。
這款42nm 2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品的數據傳輸率最大可至1866Mbit/s，可用于組裝成16GB總容量的DDR3內存條產(chǎn)品。
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