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先進(jìn)封裝
先進(jìn)封裝 文章 進(jìn)入先進(jìn)封裝技術(shù)社區
存儲大廠(chǎng)業(yè)務(wù)重心轉移？
- 近期，媒體報道三星電子在最新財報電話(huà)會(huì )議中表示，未來(lái)存儲業(yè)務(wù)的重心不再放在消費級PC和移動(dòng)設備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內存以及企業(yè)級SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話(huà)會(huì )議上透露，公司計劃到今年年底，HBM芯片的供應量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動(dòng)下，HBM需求持續高漲，部分原廠(chǎng)表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調整業(yè)務(wù)方向，專(zhuān)攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另?yè)襟w報道，三
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英特爾先進(jìn)封裝產(chǎn)能也吃緊，影響第二季AI PC處理器供應
- 在近期的英特爾財報會(huì )議上，英特爾執行長(cháng)Pat Gelsinger表示，因晶圓級封裝能力不足，第二季對Core Ultra處理器的供應受到限制。Pat Gelsinger在會(huì )議中表示，在A(yíng)I PC需求和Windows更新周期推動(dòng)下，客戶(hù)向英特爾不斷追加處理器訂單，英特爾2024年的AI PC CPU出貨量有望超過(guò)原設定的4000萬(wàn)顆目標。 對此，英特爾正積極的追趕客戶(hù)的訂單需求，而目前的供應瓶頸集中在后端的晶圓級封裝上。晶圓級封裝（Wafer Level Assembly）是一種在晶圓切割成晶粒前
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創(chuàng )新驅動(dòng)長(cháng)電科技經(jīng)營(yíng)穩健發(fā)展 2023年四季度收入創(chuàng )歷史新高
- 今日，全球領(lǐng)先的集成電路成品制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(cháng)電科技（600584.SH）公布了2023年年度報告。報告顯示，公司2023全年實(shí)現營(yíng)業(yè)收入人民幣296.6億元，全年實(shí)現凈利潤人民幣14.7億元；其中四季度實(shí)現收入人民幣92.3億元，環(huán)比增長(cháng)11.8%，同比增長(cháng)約3%，四季度收入重回同比增長(cháng)并創(chuàng )歷史單季度新高。四季度實(shí)現凈利潤人民幣5.0億元，環(huán)比增長(cháng)3.9%。2023年，長(cháng)電科技有效應對市場(chǎng)變化，聚焦高性能先進(jìn)封裝，強化創(chuàng )新升級推進(jìn)經(jīng)營(yíng)穩健發(fā)展，自二季度起公司運營(yíng)持續回升，業(yè)績(jì)逐季回暖反彈。公司持續優(yōu)
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價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴產(chǎn)
- 市場(chǎng)對人工智能的熱情還在持續升溫，隨著(zhù)芯片庫存調整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內閃存產(chǎn)品價(jià)格均開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于A(yíng)I需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(cháng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會(huì )
- 華泰證券發(fā)布研報稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會(huì ))上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠(chǎng)商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長(cháng)?！ ∪A泰證券主要觀(guān)點(diǎn)如下：
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先進(jìn)封裝技術(shù)：在半導體制造中贏(yíng)得一席之地
- 在半導體技術(shù)的飛速發(fā)展中，摩爾定律一度被視為不可逾越的巔峰，然而隨著(zhù)其優(yōu)勢逐漸達到極限，業(yè)界對于芯片性能提升的關(guān)注點(diǎn)開(kāi)始轉向后端生產(chǎn)，特別是封裝技術(shù)的創(chuàng )新。先進(jìn)封裝技術(shù)，作為半導體技術(shù)的下一個(gè)突破點(diǎn)，正以其獨特的優(yōu)勢引領(lǐng)市場(chǎng)的新一輪增長(cháng)。傳統上，封裝工藝在半導體生產(chǎn)流程中一直被視為后端環(huán)節，往往被低估其重要性。原因有兩點(diǎn)：首先，使用老一代設備仍然可以封裝晶片。其次，封裝大多由外包的半導體組裝和測試公司（OSAT）完成，這些公司主要依靠低廉的勞動(dòng)力成本而非其他差異化競爭。然而，隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)的變化，封
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50億元！先進(jìn)封裝等半導體項目簽約湖北黃石
- 3月23日，湖北黃石市人民政府和聞泰科技共同主辦了“聞泰科技2024年全球精英合作伙伴大會(huì )暨黃石光電子信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)布會(huì )”，共有51個(gè)產(chǎn)業(yè)項目集中簽約，總投資高達507.9億元。其中，現場(chǎng)有31個(gè)產(chǎn)業(yè)項目分4批集中簽約，部分項目涉及半導體領(lǐng)域。第一批簽約共9個(gè)聞泰供應鏈項目包括半導體先進(jìn)封裝項目（投資10億元）；第二批簽約共8個(gè)項目包括半導體光學(xué)材料項目（投資20億元）、半導體紫外LED芯片及模組項目（投資5億元）、精細金屬掩膜版項目（投資5億元）；第三批簽約共7個(gè)項目包括半導體掩膜版項目（投資10億元）
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3億美元！AAMI滁州生產(chǎn)基地落成投產(chǎn)
- 3月18日，總投資3億美元的先進(jìn)半導體材料（安徽）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“滁州生產(chǎn)基地”）正式落成投產(chǎn)。根據報道，滁州生產(chǎn)基地由先進(jìn)封裝材料國際有限公司（AAMI）投資，總投資3億美元，位于中新蘇滁高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區。首期生產(chǎn)基地建成廠(chǎng)房總建筑面積達7萬(wàn)平方米，包括多條沖壓式及蝕刻式引線(xiàn)框架產(chǎn)線(xiàn)，滁州生產(chǎn)基地擁有高精密引線(xiàn)框架以及高精密沖壓模具設計與制造的能力，以及世界先進(jìn)的表面處理技術(shù)，提供全面的引線(xiàn)框架產(chǎn)品和材料解決方案，年產(chǎn)能1.5萬(wàn)千米，并采用數字化及網(wǎng)絡(luò )化生產(chǎn)管理系統。滁州生產(chǎn)基地是先進(jìn)封裝材料國際
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存儲大廠(chǎng)10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝
- SK海力士負責封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(cháng)認為，半導體行業(yè)前50年都在專(zhuān)注芯片本身的設計和制造，但是，下一個(gè) 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開(kāi)。據彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過(guò)10億美元，用于擴大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現任 SK Hynix 封裝開(kāi)發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng )新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場(chǎng)領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
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臺積電先進(jìn)制程／封裝擴產(chǎn)持續，全臺北中南大規模建廠(chǎng)
- 臺積電不只海外擴產(chǎn)，中國臺灣也持續進(jìn)行，董事長(cháng)劉德音承諾，中國臺灣投資持續進(jìn)行，目前市場(chǎng)消息，除了2納米廠(chǎng)及先進(jìn)封裝廠(chǎng)，接下來(lái)更先進(jìn)1納米也將興建八至十座工廠(chǎng)，因應市場(chǎng)需求。2納米廠(chǎng)部分，因高性能計算與智能手機需求強勁，原規劃兩座2納米廠(chǎng)的高雄將再增一座，三座2納米廠(chǎng)量產(chǎn)后，高雄將成為臺積電2納米重要基地。最早規劃2納米廠(chǎng)的新竹寶山，四座廠(chǎng)依市場(chǎng)需求再規劃2納米，加上近期通過(guò)都審，6月?lián)芙o臺積電用地中科也有2納米廠(chǎng)，屆時(shí)2納米將全面爆發(fā)，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。2納米N2制程采納米片（Nanosheet）電晶體結構
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異構集成面臨更多障礙
- 業(yè)界能夠使小芯片集成在封裝中成為現實(shí)，這只是時(shí)間問(wèn)題。
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?先進(jìn)封裝，兵家必爭之地
- 在半導體產(chǎn)業(yè)的歷史長(cháng)河中，戈登·摩爾是一個(gè)不可或缺的名字。去年 3 月，戈登·摩爾逝世于夏威夷的家中，享耆壽 94 歲。由他提出的摩爾定律在引領(lǐng)半導體行業(yè)發(fā)展近 60 年后，也逐漸走向極限。摩爾定律預測，集成電路上的晶體管數量每隔約 18 個(gè)月就會(huì )翻倍，與此同時(shí)，芯片的性能也會(huì )持續提升。然而，隨著(zhù)芯片尺寸的不斷縮小，業(yè)界開(kāi)始面臨前所未有的挑戰。有聲音開(kāi)始質(zhì)疑，「摩爾定律是否已經(jīng)走到盡頭？」總有人相信，摩爾定律未死。業(yè)界巨頭如臺積電、英特爾和三星等公司并未放棄，持續投入大量資金、人力和資源，希望在這場(chǎng)納米尺
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30 億美元，美國投向先進(jìn)封裝
- 美國本土半導體制造復興計劃正在推進(jìn)。
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30億美元，美國加碼先進(jìn)封裝領(lǐng)域
- 當地時(shí)間11月20日，美國宣布計劃投入大約30億美元的資金，專(zhuān)門(mén)用于資助美國芯片封裝行業(yè)。該計劃資金來(lái)自美國《芯片法案》中專(zhuān)門(mén)用于研發(fā)的110億美元資金，與價(jià)值1000億美元的芯片制造業(yè)激勵資金池是分開(kāi)的。上述計劃將專(zhuān)門(mén)用于各種活動(dòng)，包括建立先進(jìn)的封裝試點(diǎn)設施，用于驗證新技術(shù)并將其轉移給美國制造商；勞動(dòng)力培訓計劃，以確保新流程和工具配備有能力的人員；以及為材料和基材，設備、工具和流程，電力輸送和熱管理，光子學(xué)和連接器，小芯片生態(tài)系統，以及測試、修復、安全性、互操作性和可靠性的協(xié)同設計等項目提供資金。先進(jìn)封
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一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱(chēng)為T(mén)SV構建的，TSV是首字母縮寫(xiě)，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實(shí)現硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
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先進(jìn)封裝介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條先進(jìn)封裝!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對先進(jìn)封裝的理解，并與今后在此搜索先進(jìn)封裝的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對先進(jìn)封裝的理解，并與今后在此搜索先進(jìn)封裝的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
先進(jìn)封裝專(zhuān)欄文章
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