三大內存廠(chǎng)持續減產(chǎn)DDR4

三大原廠(chǎng)紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶(hù)停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。

法人認為，市場(chǎng)景氣低迷，上游存儲器廠(chǎng)加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時(shí)將資源轉向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。

短期內內存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來(lái)基本面仍存隱憂(yōu)。

三星已通知供應鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL），要求客戶(hù)于2025年6月前完成最后訂單（LBO）。 多款8GB及16GB DDR4 SODIMM與UDIMM模組將停產(chǎn)，最后出貨日期為2025年12月10日。

法人預期，采用1y nm 16GB DDR4顆粒的OEM業(yè)者首當其沖，供應量將大幅減少; 內存模組廠(chǎng)雖仍可取得三星DDR4顆粒，但貨源持續吃緊。

三星計劃減少1y nm制程產(chǎn)出，2024年該制程占位元產(chǎn)出約20%，但2025年下半年比重將降至10%以下。

1z nm制程為2024年主力，占約30%，2025年將降至20%，預計2026年進(jìn)入DDR4 EOL倒數，2027年全面停產(chǎn)。

同時(shí)，三星的1a nm及1b nm新制程產(chǎn)出比重將快速提升，1a nm為2025上半年主流，但2025年下半年1b nm制程將占第四季產(chǎn)出逾40%。

采用新制程的DDR5模塊，將優(yōu)先供應戴爾、惠普、華碩、宏碁等PC OEM客戶(hù)，舊制程DDR4則繼續供應消費性及模組客戶(hù)。

記憶體模組廠(chǎng)因DDR4產(chǎn)出減少，采購顆粒不足，模組廠(chǎng)轉向認證及采購南亞科及華邦電等中國臺灣廠(chǎng)商，法人預期，2025年第二季合約價(jià)將上漲，主因原廠(chǎng)謹慎控制產(chǎn)能，加上美國關(guān)稅政策反復，帶動(dòng)短期內器采購動(dòng)能。

法人認為，客戶(hù)提前拉貨以應對不確定性，可能導致2025年下半年旺季不旺。

當前存儲器廠(chǎng)商的策略為配合客戶(hù)需求，增加美國庫存，以降低未來(lái)風(fēng)險。