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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達所有測試，預計今年底開(kāi)始交付
- 三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達的測試。此前有報道稱(chēng)，已從多家供應鏈廠(chǎng)商了解到，三星的HBM3E很快會(huì )獲得認證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒(méi)有最終確定供應協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預計今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計劃于 2025 上半年實(shí)現量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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全球三大廠(chǎng)HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增
- AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠(chǎng)，積極投入高帶寬內存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場(chǎng)人士估計，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿(mǎn)載。美光2
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SK海力士砸750億美元 力拚AI
- 韓國SK集團30日宣布，旗下內存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強化芯片事業(yè)，尤其將著(zhù)重AI發(fā)展。SK集團日前剛結束為期兩天的策略會(huì )議，并于會(huì )后宣布全力發(fā)展AI價(jià)值鏈，將SK海力士的技術(shù)應用在高帶寬內存芯片（HBM）、AI數據中心及AI語(yǔ)音助理等領(lǐng)域。SK集團指出，上述103兆韓元當中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達的HBM3獨家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營(yíng)收年增超過(guò)1倍至1
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SK海力士開(kāi)發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤(pán)‘PCB01’
- - SK海力士28日宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側（On-Device）AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側（On-Device）AI：在設備本身上實(shí)現AI運行，而非依賴(lài)物理分離的服務(wù)器進(jìn)行計算。由于智能手機或PC等終端設備自行收集信息并進(jìn)行計算，可提升AI功能的反應速度、加強用戶(hù)定制性AI服務(wù)功能。SK海力士表示：“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù)，以顯著(zhù)提升數據處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展，并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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美國對中國半導體制裁下：韓國最杯具 半導體設備賣(mài)不出庫存積壓嚴重
- 6月25日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，自從美國對中國實(shí)施半導體領(lǐng)域制裁以來(lái)，韓國最難受，因為其半導體舊設備庫存積壓嚴重。韓國半導體舊設備庫存積壓嚴重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì )進(jìn)行一次全面清理，售賣(mài)來(lái)自美國和歐洲的舊設備，以換取數億美元現金。自2022年10月起美國開(kāi)始限制對華半導體設備出口（包括二手設備）以來(lái)，韓國半導體制造商已將大部分舊設備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設備，但不出售前段工藝設備；SK海力士同樣不出售來(lái)自美國、歐洲的舊的前段
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案
- IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個(gè)新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò )存儲器等多種功能的 HBM 類(lèi)型，進(jìn)一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過(guò) SK 海力士已經(jīng)著(zhù)手設計相關(guān) IP 朝著(zhù)這個(gè)目標邁進(jìn)。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內存控制器，內存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上，賦予第
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會(huì )，展示 PVC10 固態(tài)硬盤(pán)等存儲新品
- IT之家 5 月 22 日消息，在北京時(shí)間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會(huì )上，SK 海力士帶來(lái)了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內存、固態(tài)硬盤(pán)品類(lèi)。在消費級固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤(pán)。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無(wú)法確認 PVC10 的具體讀寫(xiě)性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)方面，SK 海力
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內存向DDR5內存過(guò)渡，此外在存儲器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場(chǎng)消息稱(chēng)，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著(zhù)三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內存，很可能帶動(dòng)DDR3內存的價(jià)格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶(hù)將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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消息稱(chēng) SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片
- IT之家 5 月 16 日消息，韓國每日經(jīng)濟新聞報道稱(chēng)，SK 海力士代工部門(mén)啟方半導體（SK Key Foundry）將于今年下半年開(kāi)始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片?！?圖源：SK Key Foundry業(yè)內人士表示，SK 啟方半導體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠(chǎng)的 8 英寸晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動(dòng)汽車(chē)上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導體還在汽車(chē)功率半導體領(lǐng)域與多個(gè)全球車(chē)企展開(kāi)合作，近期還通過(guò)了博世、大陸集團等全球領(lǐng)先汽車(chē)零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導體
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DDR3內存正式終結！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％
- 5月15日消息，據市場(chǎng)消息稱(chēng)，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò )交換機等。但對于芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，DDR3利潤微薄，無(wú)利可圖，形同雞肋。而在A(yíng)I的驅動(dòng)下，HBM高帶寬內存需求飆升，產(chǎn)能遠遠無(wú)法滿(mǎn)足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿(mǎn)，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預計明年
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SK海力士出售無(wú)錫晶圓廠(chǎng)
- 據韓媒報道，SK海力士子公司SK海力士系統集成電路（SK Hynix System IC）計劃將其持有的無(wú)錫晶圓廠(chǎng)（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股權，轉讓給中國無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團”）。報道稱(chēng)，交易將在今年10月份完成。這一戰略舉措旨在進(jìn)一步加強無(wú)錫晶圓廠(chǎng)與中國市場(chǎng)的聯(lián)系，并擴大其在中國市場(chǎng)的業(yè)務(wù)布局。據悉，本次股權轉讓計劃分為兩個(gè)階段。第一階段，SK海力士系統集成電路將以約2054億韓元（約合10.87億元人民幣）的價(jià)格
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長(cháng)期使用所導致的性能下降方面實(shí)現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現業(yè)界最高
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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