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?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區
英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)
- 英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開(kāi)關(guān)管專(zhuān)用驅動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實(shí)現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著(zhù)CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動(dòng)IC的推出，目前，英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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用集成驅動(dòng)器優(yōu)化GaN性能
- 將GaN FET與它們的驅動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級設計。
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新
- Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官 我們可以想象一下：當你駕駛著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)行駛在馬路上，電動(dòng)車(chē)充電設備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅動(dòng)比目前應用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進(jìn)口袋?！ ‰娮釉O備的未來(lái)取決于電源管理創(chuàng )新?！ 』蛘咴O想一下：每個(gè)簡(jiǎn)單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢(xún)使用的電力足以灼燒一個(gè)60瓦燈泡約17秒?，F在乘上每天發(fā)生的數十億次的查詢(xún)，便可以獲得數十億千瓦時(shí)的能耗?！ 「行У毓芾砟茉床⒄加酶】臻g，所面臨的挑戰絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(G
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英飛凌：功率半導體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng )新提供契機
- 近年來(lái)，由于節能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現實(shí)環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機構也相應制定出法律法規，積極發(fā)展綠色能源。像太陽(yáng)能、電動(dòng)車(chē)，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉換器，才能使設備發(fā)揮出最佳性能。
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氮化鎵的卓越表現：推動(dòng)主流射頻應用實(shí)現規?；?、供應安全和快速應對能力
- 數十年來(lái)，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應用中的射頻半導體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替傳統LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！ ∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時(shí)，綜合測試數據已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！ 」杌壋蔀樯漕l半導體
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氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈
- 隨著(zhù)氮化鎵(GaN)不斷應用在二極管、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內專(zhuān)家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來(lái)技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統硅元件高出一大截，但其開(kāi)關(guān)速度、切換損失等性能指標，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來(lái)隨著(zhù)氮化鎵廣泛被應用于手機快充、電源以及5G市場(chǎng)，氮化鎵即將引領(lǐng)半導體技術(shù)革命的呼聲越來(lái)越高。 有望于手機快充、5G市場(chǎng)起飛 當下，氮化鎵的主要應用市場(chǎng)是手機快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)手機快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機標配，而促進(jìn)其普及的重要推手便是氮化
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我國第三代半導體發(fā)展路線(xiàn)圖漸明晰
- 6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過(guò)70%……第三代半導體發(fā)展戰略發(fā)布會(huì )25日在京舉行。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟理事長(cháng)吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢(mèng)”。 第二屆國際第三代半導體創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)大賽同日啟動(dòng)。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術(shù)應用創(chuàng )新，以及商業(yè)模式創(chuàng )新等內容征集參
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5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價(jià)看漲
- 具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿(mǎn)足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來(lái)氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現，基地臺的功率放大器應用也是其另一項發(fā)展主力。 絡(luò )達科技技術(shù)長(cháng)林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會(huì )以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(PowerHandle)，并以表現度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會(huì )比較高。不過(guò)，基地臺的整體數量相較于手機應用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶(hù)
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