5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價(jià)看漲

　　具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿(mǎn)足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來(lái)氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現，基地臺的功率放大器應用也是其另一項發(fā)展主力。

　　絡(luò )達科技技術(shù)長(cháng)林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會(huì )以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(PowerHandle)，并以表現度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會(huì )比較高。不過(guò)，基地臺的整體數量相較于手機應用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶(hù)能接受的范圍內。

　　林珩之指出，功率主導的特性，更將促使氮化鎵比砷化鎵來(lái)得更有優(yōu)勢，因頻率更高，往往得靠氮化鎵才有辦法做到。到了5G時(shí)代，氮化鎵將很有機會(huì )取代橫向擴散金屬氧化物半導體(LateralDiffusedMOS,LDMOS)。

　　而在手機功率放大器部分，目前2G是以互補式金屬氧化物半導體(CMOS)制程為主，3G、4G則是砷化鎵制程，5G因為高頻的關(guān)系，絡(luò )達十分看好氮化鎵制程，該技術(shù)同時(shí)還能讓電壓撐得更久。

　　林珩之分析，未來(lái)5G時(shí)代，手機功率放大器采用的半導體制程，預估將會(huì )是砷化鎵/氮化鎵占一半、CMOS占一半。小于6GHz頻段的半導體技術(shù)，會(huì )是以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因天線(xiàn)與電磁波的波長(cháng)是成正比的，且高頻的天線(xiàn)比較大，也就須采用高功率的技術(shù)來(lái)達成，因此很有機會(huì )變成砷化鎵與氮化鎵制程的天下。

　　林珩之進(jìn)一步指出，氮化鎵制程有辦法支撐很高的功率，這是CMOS無(wú)法做到的。除非5G技術(shù)有辦法運用小功率在空中進(jìn)行融合，CMOS制程才會(huì )有機會(huì )涵蓋到這部分的市場(chǎng)。但在5GmmWave頻段，則會(huì )是以CMOS制程為主。林珩之進(jìn)一步表示，因mmWave頻段采用的天線(xiàn)比較小，就會(huì )是以CMOS制程為主，像是CPU、GPU、ASIC等，該制程與化合物半導體很不相同，價(jià)格會(huì )比砷化鎵/氮化鎵制程來(lái)得低。

　　此外，CMOS制程的應用領(lǐng)域也比較寬廣，目前在交換器(Switch)上便使用得相當廣泛，而采用氮化鎵制程的交換器就比較難做，因其是屬于雙極性接面型晶體管(BipolarJunctionTransistor,BJT)。物聯(lián)網(wǎng)這類(lèi)以?xún)r(jià)格為主要驅動(dòng)的應用，由于對功率的要求比較低，也會(huì )是CMOS制程所能發(fā)揮的地方。