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氮化鎵的卓越表現:推動(dòng)主流射頻應用實(shí)現規?;?、供應安全和快速應對能力

作者: 時(shí)間:2018-03-02 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  數十年來(lái),橫向擴散金屬氧化物半導體()技術(shù)在商業(yè)應用中的射頻半導體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉變,硅基(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替傳統技術(shù)的首選技術(shù)。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201803/376364.htm

  與相比,硅基的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率,將每單位面積的功率提高4到6倍,并且可擴展至高頻率。同時(shí),綜合測試數據已證實(shí),硅基符合嚴格的可靠性要求,其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。

  硅基氮化鎵成為射頻半導體行業(yè)前沿技術(shù)之時(shí)正值商用無(wú)線(xiàn)基礎設施發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過(guò)驗證,這推動(dòng)了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用,并使其定位為最適合未來(lái)5G無(wú)線(xiàn)基礎設施的實(shí)際促技術(shù),其轟動(dòng)性市場(chǎng)影響可能會(huì )遠遠超出手機連接領(lǐng)域,而將涉足運輸、工業(yè)和娛樂(lè )應用等領(lǐng)域。

  展望未來(lái),基于硅基氮化鎵的射頻技術(shù)有望取代舊式磁控管和火花塞技術(shù),充分發(fā)揮烹飪、照明和汽車(chē)點(diǎn)火等商用固態(tài)射頻能量應用的價(jià)值和潛力,我們相信上述應用的能源/燃料效率以及加熱和照明精度將在不久的將來(lái)發(fā)生質(zhì)的飛躍。

  制造和成本效益的突破

  鑒于5G基礎設施擴建將以前所未有的節奏和規模進(jìn)行,人們越來(lái)越關(guān)注硅基氮化鎵相對于LDMOS和碳化硅基氮化鎵的成本結構、制造和快速應對能力以及供應鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無(wú)線(xiàn)基礎設施獨一無(wú)二的出色半導體技術(shù),硅基氮化鎵有望以L(fǎng)DMOS成本結構實(shí)現優(yōu)異的氮化鎵性能,并且具備支持大規模需求的商業(yè)制造擴展能力。

  MACOM和意法半導體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應用領(lǐng)域的計劃,這標志著(zhù)氮化鎵供應鏈生態(tài)系統的重要轉折點(diǎn),未來(lái)會(huì )將MACOM的射頻半導體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規?;统錾\營(yíng)完美結合。我們預計這項協(xié)議在擴大MACOM供應來(lái)源的同時(shí),還將促進(jìn)擴大規模、提高產(chǎn)能和成本結構優(yōu)化,從而加速硅基氮化鎵技術(shù)在大眾市場(chǎng)的普及。

  對于無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )基礎設施,這次合作有望使硅基氮化鎵技術(shù)經(jīng)濟高效地部署和擴展到4G LTE基站以及大規模MIMO 5G天線(xiàn)領(lǐng)域,其中天線(xiàn)配置的絕對密度對功率和熱性能具有極高的價(jià)值,特別是在較高頻率下。經(jīng)過(guò)適當開(kāi)發(fā),硅基氮化鎵的功率效率優(yōu)勢將對無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商的基站運營(yíng)費用產(chǎn)生深遠影響。MACOM估計,采用0.1美元/千瓦時(shí)的平均能量率模型時(shí),僅將一年內部署的新大型基站轉換為MACOM硅基氮化鎵技術(shù)一項便可節省超過(guò)1億美元的費用。

  新時(shí)代

  硅基氮化鎵從早期研發(fā)到商業(yè)規模應用的發(fā)展歷程無(wú)疑是一次最具顛覆性的技術(shù)革新過(guò)程,為射頻半導體行業(yè)開(kāi)創(chuàng )了一個(gè)新時(shí)代。通過(guò)與ST達成的協(xié)議,MACOM硅基氮化鎵技術(shù)將獲得獨特優(yōu)勢,能夠滿(mǎn)足未來(lái)4G LTE和5G無(wú)線(xiàn)基站基礎設施對于性能、成本結構、制造能力和供應鏈靈活性的要求,在固態(tài)射頻能量應用領(lǐng)域擁有無(wú)限潛力。硅基氮化鎵提供的射頻解決方案具有LDMOS和碳化硅基氮化鎵競爭技術(shù)無(wú)法匹敵的價(jià)格/性能指標,而這僅僅是冰山一角。

  有關(guān)MACOM硅基氮化鎵技術(shù)領(lǐng)先地位的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn)www.macom.com/gan



關(guān)鍵詞: 氮化鎵 LDMOS

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