英飛凌：功率半導體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng )新提供契機

近年來(lái)，由于節能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現實(shí)環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機構也相應制定出法律法規，積極發(fā)展綠色能源。像太陽(yáng)能、電動(dòng)車(chē)，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉換器，才能使設備發(fā)揮出最佳性能。

電源轉換器技術(shù)著(zhù)重在高功率密度以及高轉換效率，可進(jìn)一步縮小轉換器的重量與體積，提高能源的利用率。目前電源技術(shù)拓撲架構發(fā)展已經(jīng)趨于成熟，不同的功率都有與其相適應的轉換器架構，如果想要進(jìn)一步提升效率，重點(diǎn)在于新的功率元件材料的使用。功率半導體技術(shù)進(jìn)步也為電路創(chuàng )新提供契機，新的電源拓撲結構不斷創(chuàng )新，傳統簡(jiǎn)單的拓撲得以重生。

為了滿(mǎn)足上述趨勢需求，近年來(lái)像碳化硅和氮化鎵這樣的寬能隙材料應運而生且被成功地商品化。作為一家創(chuàng )新公司，英飛凌致力于不斷的推出全新的產(chǎn)品，如最新一代氮化鎵系列產(chǎn)品，已經(jīng)實(shí)現了功率轉化效率達到硅芯片10到100倍的突破性改善效果，這必將成為未來(lái)半導體產(chǎn)業(yè)的顛覆性解決方案。

英飛凌碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域產(chǎn)品

英飛凌持續關(guān)注基于復合半導體的新技術(shù)，擴展碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域的產(chǎn)品。

從碳化硅誕生以來(lái)，英飛凌在市場(chǎng)上一直是這個(gè)技術(shù)的領(lǐng)導者。2017財年，我們在碳化硅MOSFET產(chǎn)品方面實(shí)現首次營(yíng)收，這一關(guān)鍵技術(shù)的突破性進(jìn)展為持續成功奠定基礎。2017年我們推出了分立器件和模塊。分立器件就是TO-247的三管腳、四管腳封裝。模塊包括EasyB系列和62毫米封裝系列，分別都可以用在太陽(yáng)能，傳動(dòng)UPS和電源應用上。首先，1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅固耐用性，失效率很低，這得益于門(mén)級氧化層的可靠性。第二，實(shí)現業(yè)界碳化硅器件導通、開(kāi)關(guān)損耗最低，溫升最低，效率最高。第三，我們SiC器件卓越的可靠性。這是由于其具備較低的失效率（FIT）和有效的短路能力，可適應不同的應用挑戰。得益于4 V的閾值電壓（V th）和+15 V的推薦接通閾值（V GS），可以像驅動(dòng)IGBT一樣驅動(dòng)英飛凌的SiC MOSEFT，在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉。這就是說(shuō)，用戶(hù)不需要專(zhuān)門(mén)再設計特別的驅動(dòng)電力，這樣就大大提高了碳化硅產(chǎn)品普及的速度。

如前面提到的，英飛凌最新一代氮化鎵系列產(chǎn)品，已經(jīng)實(shí)現了功率轉化效率達到硅芯片10到100倍的突破性改善效果，這必將成為未來(lái)半導體產(chǎn)業(yè)的顛覆性解決方案。

展望未來(lái)，英飛凌將繼續專(zhuān)注于關(guān)鍵的增長(cháng)市場(chǎng)，堅持創(chuàng )新，并借助于在碳化硅和氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的不斷突破，進(jìn)一步擴大產(chǎn)品組合，實(shí)現先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品在諸如電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的成功應用。