MOSFET與MOSFET驅動(dòng)電路原理及應用

　 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng )。包括MOS管的介紹，特性，驅動(dòng)以及應用電路?！?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/166816.htm

在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。

1、MOS管種類(lèi)和結構
　 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。

　 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。
　 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
　 在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅動(dòng)感性負載(如馬達)，這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒(méi)有的。下圖是MOS管的構造圖，通常的原理圖中都畫(huà)成右圖所示的樣子。 (柵極保護用二極管有時(shí)不畫(huà))

　 MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，如右圖所示。這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免，在MOS管的驅動(dòng)電路設計時(shí)再詳細介紹。

2、MOS管導通特性
　 導通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當于開(kāi)關(guān)閉合。
　 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅動(dòng))，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
　 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，使用與源極接VCC時(shí)的情況(高端驅動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在高端驅動(dòng)中，通常還是使用NMOS。
　 右圖是瑞薩2SK3418的Vgs電壓和Vds電壓的關(guān)系圖?？梢钥闯鲂‰娏鲿r(shí)，Vgs達到4V，DS間壓降已經(jīng)很小，可以認為導通。