英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專(zhuān)利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專(zhuān)利。

　　通過(guò)廣泛的半導體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。

　　英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。

　　作為半導體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正在和多家半導體公司進(jìn)行專(zhuān)利許可談判。英飛凌認為，這些談判對持續保護其知識產(chǎn)權和商業(yè)利益至關(guān)重要。