安森美推出符合汽車(chē)標準的自保護低端MOSFET驅動(dòng)IC

　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車(chē)及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應用。

　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過(guò)壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。

　　安森美半導體汽車(chē)電源產(chǎn)品總監Jim Alvenaz說(shuō)：“汽車(chē)中的電子成分持續增加，需要提供能幫助減少元器件數量及節省珍貴電路板空間的半導體方案。安森美半導體的NCV840x系列幫助設計人員達到這些目的，提供強固的系統設計足以配合汽車(chē)嚴峻的應用環(huán)境。”

　　特性及優(yōu)勢

　　NCV840x驅動(dòng)器能用于多種電阻型、電感型及電容型負載的開(kāi)關(guān)，使設計人員能夠以更緊湊、更強固及工作壽命更長(cháng)的另一選擇，替代機電式繼電器或分立電路。所有這些器件都提供邏輯電平輸入。

　　NCV8401、NCV8402D及NCV8403的額定漏極至源極電壓(VDSS)為42伏特(V)，最大漏極電流(ID)分別為33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS為40 V，最大額定ID為6 A。所有這些器件的柵極至源極電壓(VGS)為±14 V。

　　這新系列的所有器件均提供低導通阻抗(RDS(ON))值，幫助實(shí)現更高能效的系統設計。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分別為23毫歐(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。

　　這些器件都提供−40 °C至150 °C的寬工作溫度范圍及高靜電抑制等級(25°C結溫時(shí)為4,000 V)。當VGS為5 V及10 V時(shí)，關(guān)閉溫度限制分別設定在175?C及165?C。

　　封裝及價(jià)格

　　NCV840x器件采用無(wú)鉛SOT-223、DPAK及SOIC8封裝，批量每1,000片的單價(jià)介于0.25美元至0.58美元之間。