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mosfet 文章 進(jìn)入 mosfet技術(shù)社區
科普：MOSFET結構及其工作原理
- MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著(zhù)氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體(S)導電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱(chēng)為絕緣柵型場(chǎng)效應管。市面上大家所說(shuō)的功率場(chǎng)效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案
- REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性?xún)r(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開(kāi)關(guān)特性，是電動(dòng)汽車(chē)和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動(dòng)汽車(chē)快速充電，功率轉換系統 （PCS）?場(chǎng)景應用
- 關(guān)鍵字： mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端 功率 dc 充電器
上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動(dòng)IC和MOSFET解決方案
- 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來(lái)越豐富，隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開(kāi)始探索更快的電量補給，以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶(hù)體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過(guò)一條USB-TYPE C線(xiàn)纜
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項：一般測量方法
- SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(cháng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開(kāi)關(guān)速度較快時(shí)
- 關(guān)鍵字： 羅姆半導體，MOSFET
東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
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Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽(tīng)器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿(mǎn)足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級 MOSFET
單片驅動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統設計
- 本文介紹最新的驅動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應用的整體性能。引言隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數是功率轉換效率
- 關(guān)鍵字： ADI MOSFET 電源系統設計
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽(tīng)戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設計帶來(lái)了若干挑戰。首先，隨著(zhù)功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著(zhù)
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
豪威集團發(fā)布業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET
- 電源管理系統要實(shí)現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專(zhuān)為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng )新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問(wèn)題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開(kāi)關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
- 關(guān)鍵字： 豪威集團 MOSFET
分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
- 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應，硬開(kāi)關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路。為此，本文介紹了
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具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H
- 過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經(jīng)過(guò)不斷研究和持續優(yōu)化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討
- 隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē)，可再生能源及儲能等應用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
- 關(guān)鍵字： 富昌電子 SiC MOSFET
東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動(dòng)IC，助力移動(dòng)電子設備小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設備等移動(dòng)電子設備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過(guò)電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅動(dòng)
當SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設計都帶來(lái)了額外的挑戰。應用痛點(diǎn)氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬(wàn)轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì )造成空壓機線(xiàn)包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 2L-SRC
SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因
- _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
- 關(guān)鍵字： Tektronix SiC MOSFET
mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 mosfet的理解，并與今后在此搜索 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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