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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動(dòng)選型及供電設計要點(diǎn)
- 新能源汽車(chē)動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車(chē)載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場(chǎng)景高頻驅動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點(diǎn)，介紹了車(chē)載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動(dòng)芯片方案。最后，本文根
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET OBC
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
- 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過(guò) 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實(shí)現快速開(kāi)關(guān)的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實(shí)施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進(jìn)一步優(yōu)化了
- 關(guān)鍵字： 儒卓力 MOSFET
專(zhuān)為工業(yè)應用而設計的MOSFET—TOLT封裝
- 近年來(lái)，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開(kāi)發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無(wú)引腳封裝，以及內部硅技術(shù)的顯著(zhù)改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿(mǎn)足工業(yè)市場(chǎng)新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場(chǎng)英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
- 關(guān)鍵字： Arrow MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸、超低功耗的MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開(kāi)關(guān)應用。近年來(lái)，隨著(zhù)小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長(cháng)趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性?xún)?yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
- 關(guān)鍵字： ROHM MOSFET
SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
- 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動(dòng)電壓，以及SiC器件驅動(dòng)設計中的寄生導通問(wèn)題。本文作為系列文章的第三篇，會(huì )從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過(guò)程，供設計工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)
- 關(guān)鍵字： 富昌電子 MOSFET
通過(guò)轉向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉換中的權衡問(wèn)題
- 高壓功率系統設計人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對持續創(chuàng )新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過(guò)，隨著(zhù)高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會(huì )在提高性能的同時(shí)，應對所有其他挑戰。 在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著(zhù)額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率轉換
RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場(chǎng)空白
- 現階段半導體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題，為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現階段半導體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題，為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
- 關(guān)鍵字： RS瑞森半導體 MOSFET
單芯片驅動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統設計
- 本文介紹最新的驅動(dòng)器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應用的整體性能。隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數是功率轉換效率，高
- 關(guān)鍵字： 單芯片 驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS 電源系統設計
安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jì)，其三季度業(yè)績(jì)直線(xiàn)上揚，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(cháng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(cháng)46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(cháng)25.1%；高級解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(cháng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(cháng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線(xiàn)保持增長(cháng)。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統的I
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領(lǐng)先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務(wù)器和通信設備。 多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專(zhuān)業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結合起來(lái)，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿(mǎn)足特定應用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來(lái)，針對電池隔離(BMS)、直流
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET ASFET SOA
安森美推出采用創(chuàng )新Top Cool封裝的MOSFET
- 2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng )新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰的汽車(chē)應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤(pán)，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過(guò)傳統的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度
- 關(guān)鍵字： 安森美 Top Cool封裝 MOSFET
如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效
- 在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
- 關(guān)鍵字： Digi-Key MOSFET
全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效
- SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實(shí)現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品，其最大亮點(diǎn)是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
- 關(guān)鍵字： Toshiba MOSFET
認識線(xiàn)性功率MOSFET
- 本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進(jìn)行說(shuō)明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優(yōu)勢，與方案選擇的應用思考。線(xiàn)性MOSFET是線(xiàn)性模式應用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\作。然而，用于線(xiàn)性模式應用時(shí)，標準MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩定性，從而可能導致組件損壞。A類(lèi)音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線(xiàn)性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線(xiàn)性模式運作在功率 MOSFET 的線(xiàn)性工作模式下，高電壓和高
- 關(guān)鍵字： Littelfuse 線(xiàn)性功率 MOSFET
電源系統設計優(yōu)化秘技:單片驅動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)
- 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級封裝，從而實(shí)現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著(zhù)對這
- 關(guān)鍵字： 電源系統設計 單片驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 mosfet的理解，并與今后在此搜索 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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