爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內存芯片開(kāi)發(fā)完成

　　爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段，年底前則可實(shí)現正式批量供貨。據爾必達公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率 方面也比過(guò)去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%，而1.6Gbps數據傳輸率的產(chǎn)品良率更可達100%。

　　比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內存驅動(dòng)電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時(shí)也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的耗電量便可比過(guò)去下降45%左右。

　　爾必達同時(shí)表示，從50nm制程轉換到40nm制程的成本很低，幾乎相當于零，而從65nm制程技術(shù)轉換至40nm所需的成本也可以控制在比較理想的范圍之內。

　　除了積極開(kāi)發(fā)更小尺寸的制程工藝技術(shù)之外，爾必達同時(shí)也在積極完善現有的舊制程技術(shù)，他們正在開(kāi)發(fā)65nm XS制程技術(shù)，這種技術(shù)據稱(chēng)可與其它公司的50nm制程級別產(chǎn)品一爭高下。此外爾必達公司也在開(kāi)發(fā)一種可以利用65nm制程技術(shù)造出更小芯片尺寸產(chǎn)品的技術(shù)。

　　爾必達還表示，其在下屬臺灣合資企業(yè)中推進(jìn)40nm制程的政策將采取靈活應變的思路，會(huì )根據市場(chǎng)需求的實(shí)際變化來(lái)做出決定。

　　另外，爾必達還宣稱(chēng)采用了新制造系統(即按產(chǎn)品類(lèi)別區分產(chǎn)線(xiàn)，將移動(dòng)產(chǎn)品用內存和PC內存等不同用途的產(chǎn)品安排在不同的產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn))的廣島分廠(chǎng)的產(chǎn)品良率取得了不錯的提升。

　　爾必達表示如果未來(lái)的DRAM內存市場(chǎng)狀況允許，他們有可能會(huì )將40nm制程產(chǎn)品的產(chǎn)出量提升到總產(chǎn)量的50%。

　　相比之下,韓國廠(chǎng)商三星則早在今年七月份即宣稱(chēng)完成了40nm制程2Gb DDR3 1600內存芯片的研發(fā)工作，這種內存芯片工作電壓可低至1.35v。