半導體C-V測量基礎
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圖5. 利用吉時(shí)利4200-SCS進(jìn)行參數提取的實(shí)例表現了半導體的摻雜特征(左邊的藍線(xiàn))，它與1/C2 與Vg的關(guān)系呈倒數關(guān)系(紅線(xiàn))。右圖給出了摻雜分布，即每立方厘米的載流子數與襯底深度的函數關(guān)系。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/96649.htm通常，人們都希望工程技術(shù)人員和研究人員在幾乎沒(méi)有任何儀器使用經(jīng)驗或培訓的情況下就能夠進(jìn)行C-V測量。具有直觀(guān)用戶(hù)界面和簡(jiǎn)單易用特征的測試系統使得這一點(diǎn)成為現實(shí)。其中包括簡(jiǎn)單的測試配置、序列控制和數據分析。否則，用戶(hù)在掌握系統方面就要比采集和使用數據花費更多的時(shí)間。對測試系統其它考慮因素包括：
· 緊密集成的源-測量單元、數字示波器和C-V表
· 方便集成其他外部?jì)x器
· 基于探針的高分辨率和高精度測量(直流偏壓低至毫伏級，電容測量低至飛法級)
· 測試配置和庫易于修改
· 提供檢測/故障診斷工具幫助用戶(hù)確定系統是否正常工作
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