半導體C-V測量基礎
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圖1中的金屬/多晶層是電容的一極，二氧化硅是絕緣層。由于絕緣層下面的襯底是一種半導體材料，因此它本身并不是電容的另一極。實(shí)際上，其中的多數載流子是電容的另一極。物理上而言，電容C可以通過(guò)下列公式中的變量計算出來(lái)：
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/96649.htmC = A (κ/d), 其中
A是電容的面積，
κ是絕緣體的介電常數
d是兩極的間距
因此，A 和 κ越大，絕緣體厚度越薄，電容值就越高。通常而言，半導體電容的大小范圍從幾納法到幾皮法，甚至更小。
進(jìn)行C-V測量時(shí)要在電容的兩極加載直流偏壓同時(shí)利用一個(gè)交流信號進(jìn)行測量(如圖1所示)。通常情況下，這類(lèi)測量使用的交流頻率范圍從10kHz到10MHz。所加載的偏壓作為直流電壓掃描驅動(dòng)MOSCAP結構從累積區進(jìn)入耗盡區，然后進(jìn)入反型區(如圖2所示)。
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