2009年晶圓級封裝趨勢

　　其他挑戰

　　最近一個(gè)新的挑戰給ASE制造了意想不到的困難。當用戶(hù)增加芯片的復雜度和密度時(shí)，更多的功能部分被封裝進(jìn)芯片中，且大都使用再分布的方法。“與密度增加同時(shí)發(fā)生的是，一些引線(xiàn)鍵合焊盤(pán)或硅芯片上的焊盤(pán)降低到UBM結構之下。因為那里沒(méi)有了襯墊效應，而是一個(gè)高應力集中區域，因此會(huì )降低可靠性。增加密度時(shí)焊盤(pán)下的通孔會(huì )導致這個(gè)問(wèn)題。我們正試圖優(yōu)化設計——不但在在硅芯片級別上，而且在再分布系統結構上，來(lái)調節落到高密度器件焊墊下方的通孔。”

　　大電流也可能在將來(lái)帶來(lái)一些挑戰。Hunt表示，有些ASE的終端用戶(hù)希望得到比傳統上ASE為便攜式設備提供的大得多的電流。“我們將不得不增加RDL的厚度和UBM結構的性能以及選擇具有最好電遷移性能的合金，”Hunt說(shuō)“嵌入式閃存和扇出技術(shù)中我們需要低溫聚合物。對于扇出技術(shù)，當晶圓被埋入塑料框架，塑料框架必須有與硅相似的較低的熱膨脹系數(TCE)，現今的材料有低的固化溫度適合做塑料框架。如果你試圖將高固化溫度的聚酰亞胺PBO放到RDL上，它會(huì )使輔助晶圓彎曲而無(wú)法處理。對于這種情形，我們也需要低固化溫度的材料。這種材料是存在的，只是可靠性卻不如高固化溫度材料。”

　　可靠性是另一個(gè)需要被關(guān)注的問(wèn)題。雖然它一直是一個(gè)問(wèn)題，但過(guò)去人們卻最關(guān)心溫度循環(huán)。“每個(gè)人都從標準封裝技術(shù)推斷，并且將標準封裝技術(shù)的規則應用于晶圓級封裝，但是很明顯，相對于溫度循環(huán)性能，手持設備終端用戶(hù)對跌落測試性能更感興趣，”Hunt說(shuō)。“現在我們也看到對于有鍵盤(pán)的設備需要增加彎曲測試，按壓時(shí)它會(huì )使電路彎曲在其中產(chǎn)生應力。彎曲測試和跌落測試是主要因素，但我們不能排除溫度循環(huán)測試，而且我們必須使這些高密度、高I/O的產(chǎn)品通過(guò)所有這些測試。”