2009年70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項目將促進(jìn)設備支出超20％的反彈

　　根據SEMI近期發(fā)布的World Fab Forecast報告，報告顯示2008年半導體設備支出將減少20％，而2009年將獲得超過(guò)20％的反彈，主要受全球70多個(gè)晶圓廠(chǎng)項目的帶動(dòng)。該報告的2008年8月版列出了53個(gè)晶圓廠(chǎng)組建項目，2009年還有21個(gè)晶圓廠(chǎng)建設項目。

　　2008年，300mm晶圓廠(chǎng)項目占了晶圓廠(chǎng)設備支出的90％，約69％的支出用于65nm及以下節點(diǎn)技術(shù)。2008年全年晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能預計相當于1600萬(wàn)片200mm晶圓，年增長(cháng)率僅9％，2007年增長(cháng)率達16％。2009年，總產(chǎn)能預計增長(cháng)10％。

　　2008年存儲器占據了晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的最大份額，占40％，代工廠(chǎng)產(chǎn)能占20％，邏輯電路占15％。2009年，存儲器份額將微增至42％，而代工廠(chǎng)和邏輯電路的份額預計保持不變。

　　晶圓廠(chǎng)建設項目的支出狀況發(fā)生了巨大變化。2008年，許多項目都推遲了進(jìn)程，建設支出較2007年減少38％，然而2009年許多項目都將開(kāi)工，建設支出將增長(cháng)超過(guò)50％。

　　長(cháng)期以來(lái)，日本在晶圓廠(chǎng)支出上占據最大份額。但2009年，情況將發(fā)生改變，臺灣和韓國將在設備支出上超過(guò)日本。到2009年，亞太地區（不包括日本）在支出上所占的份額將升至67％（2006年為50％）。2008年，僅4家半導體公司支出超過(guò)15億美元，World Fab Forecast預測2009年這個(gè)數字將翻番。